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国際特許分類[C01B21/082]の内容

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本発明は、無機樹脂を製造する方法であって、CO抽出によって純粋な、水素を含まない重合物に変わることができる、少なくとも1種の水素を含まない無機イソシアネートの重合を含む方法に関し、前記方法によって製造される樹脂に関し、コーティングを製造するためのこのような樹脂の使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、式(I)(Ca,Sr,Ba)6−X(Si1−yMe(O1−zMa2z:Eu (I)、式中、Me=Th、Ruおよび/またはOs、Ma=Fおよび/またはCl、x<0.5、y<1およびz<0.1である化合物に関し、ならびにまたこれらの化合物の製造方法および発光物質としての使用のための方法、ならびにまたLEDからの青色発光または近UVにおける発光の変換のための変換発光物質に関する。 (もっと読む)


本発明は、M3―x―yIIxSi6―xAl12:Euの形の改良された緑色発光材料に関する。ここで、Mは、アルカリ土類金属であり、MIIは希土類金属又はランタンである。この材料は、低温度焼結ステップを使用しているセラミックとして作られることができ、より良好で更に均一のセラミック体をもたらす。
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【課題】アズルミン酸が良好に溶解したアズルミン酸混合液の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のアズルミン酸混合液の製造方法は、アズルミン酸とアミノ基を有する溶媒とを混合する工程を有する。 (もっと読む)


本発明は、式MLi2−yMgSi2−x−yx+y4−x:RE(Mはアルカリ土類元素;Aはアルミニウム、ガリウム、ホウ素)の、改善された赤色発光の発光材料に関連する。この材料は、立方晶構造型で結晶化し、多くの用途に関して役に立つ。
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【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラザン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 (もっと読む)


本発明は、水素不含の炭素窒化物、殊に化学量論式C34の炭素窒化物を製造する方法に関する。合成は、水素不含の反応体、即ち熱処理の際に専らCO2を分離する無機イソシアネートを使用して行なわれる。殊に、安価で効率的なカルボニトリドを、有利に粉末または被覆の形で準備する経路が提案される。
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【課題】酸窒化物蛍光体、その製造方法及び発光装置を提供する。
【解決手段】本発明は酸窒化物蛍光体、その製造方法及び発光装置に関し、より詳細には下記化学式で示される結晶を含む酸窒化物蛍光体及びその製造方法、そして前記酸窒化物蛍光体を含む発光装置を提供する。本発明によれば、下記組成の化学式で示される結晶を含んで優れた発光効率を有する。
(A(l-p-q)pqabSicde:xEu2+,yRe3+,zQ
(上記式中、A、B及びCは互いに異なる金属で、+2価の金属で;Dは3族元素で;Reは+3価の金属で;Qはフラックス(flux)で;p及びqは0<p<1.0及び0≦q<1.0で;a、b、c、d及びeは1.0≦a≦2.0、0≦b≦4.0、0<c≦1.0、0<d≦1.0及び0<e≦2.0で;x、y及びzは0<x≦0.25、0≦y≦0.25及び0≦z≦0.25である。) (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に酸化物半導体を形成する場合であっても、素子特性が悪化することを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、基板上に形成されたゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層の表面に表面処理を行い、当該表面処理を行った後、ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ガス吸着量が多いミクロポーラス炭素系材料を提供する。
【解決手段】ミクロポーラス炭素系材料であって、炭素骨格中に窒素を有し、3次元の長周期規則構造と、内部にミクロ細孔とを有し、BET表面積が1500m/g以上であり、窒素/炭素の元素比が0.07以上である。このミクロポーラス炭素系材料は、多孔質材料1の表面及び空孔(ミクロ孔)の内部に窒素含有有機化合物を導入し、この窒素含有有機化合物を加熱して炭化する第1の工程と、多孔質材料1の表面及び空孔の内部に有機化合物を導入して気相炭化する第2の工程と、多孔質材料1を除去する第3の工程と、を有する製造方法により得られる。 (もっと読む)


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