【課題】操作が簡単で、しかも、汚染や異物混入が生じ難い多結晶シリコンロッドの破砕方法を提供すること。
【解決手段】中心軸Ｃの方向に力学成分を有する衝撃力Ｆ₁（第１の衝撃力）を、打撃等により、多結晶シリコンロッド１０の一方端部に加える。この衝撃力（打撃の力）Ｆ₁は、多結晶シリコンロッド１０の内部に弾性波（第１の弾性波）を発生させ、この弾性波により、多結晶シリコンロッド１０の中心軸Ｃを分断する破砕面１を有する多結晶シリコン塊に破砕する。第１の衝撃力の付与は、多結晶シリコンロッド１０の一方端部とは逆の端部である他方端部を固定した状態で行われることが好ましい。多結晶シリコンロッドは結晶粒の集合であり、ロッド内部では局所的に強度のばらつきがあるため、付加された衝撃力が局所的に強度の弱い部分に有効に作用し、長尺の多結晶シリコンロッドであっても全長に渡る破砕を実現させることができる。 （もっと読む）

【課題】より結晶成長に適した温度勾配を形成でき、品質の高い結晶を製造できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】上端に開口３１を有し、下端に底部３２を有するるつぼ３と、るつぼ３を包囲し、るつぼ３の上下方向に沿って第１の位置と第２の位置の間を移動できる加熱装置２とを有しており、加熱装置２が稼動すると、るつぼ３の底部３２の側から開口３１の側に向かう順に、第１の温度域２０１と、第１の温度域２０１よりも温度が高い第２の温度域２０２とがそれぞれ画成され、加熱装置２が前記第１の位置にあるときに、るつぼ３は第２の温度域２０２にあり、加熱装置２が前記第２の位置にあるときに、るつぼ３は第１の温度域２０１にあることを特徴とした結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末とＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により２時間以上７２時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｇｅ粉末は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末の総モル数に対する割合が１モル％以上２０モル％以下となるように使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】シリコンを溶融するときに、溶融し易く、且つ、表面酸化を受け難い高純度シリコン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】棒状、粒状若しくは板状のシリコン、又は棒状、粒状及び板状のもののうちの少なくとも１種が複数接合したシリコンであり、径が２ｍｍを超える部分の割合が７５質量％以上であることを特徴とする高純度シリコン。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、かつ放充電時体積変化が抑制されたシリコン二次粒子を提供すること。
【解決手段】５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子を核とし、該核の周囲にアモルファスグラファイトのカーボンシェルが形成された被覆シリコン微粒子が凝集してなる、シリコン二次粒子。このシリコン二次粒子は、５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子０．１〜１．０質量部が１００質量部の純水にコロイド状に浮遊する上澄みを有する溶液を調製し、上澄みに、０．３〜３．０質量部のアニリンを添加し溶解させ、５〜２０質量部の過酸化水素水を添加し、攪拌しながらシリコン微粒子を核としてアニリンを重合させて、周囲にポリアニリンシェルが形成されたシリコン微粒子を製造し、シリコン微粒子を凝集させて二次粒子を製造し、乾燥させた後、６５０〜７５０℃で焼成し、ポリアニリンシェルをカーボンシェルに変性させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン含有材料のピラー化粒子を製造する方法及び粒子をその活物質として含む電極、電気化学的電池、リチウム蓄電池のアノード、電池、電池によって駆動されるデバイス、複合電極を作成する方法、リチウム蓄電池を製造する方法、及び、シリコン含有ファイバーを製造する方法の開発。
【解決手段】ピラー化粒子は、次の５つの工程により製造される。粉砕（grinding）及びふるい分け；洗浄；核形成（nucleation）；エッチング；及び銀除去。
【効果】それらの粒子は、高分子バインダー、導電剤及び金属ホイル集電体を有する複合アノード構造及び電極構造の両方を作成するために用いられ得る。該粒子の構造は、充電／放電の容量損失の問題を克服できる。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコンの破砕に適した破砕装置を提供する。
【解決手段】破砕装置１は、塊状の多結晶シリコンを破砕する１次破砕手段１０と、１次破砕手段により破砕された多結晶シリコン破砕物のうち、サイズの大きい多結晶シリコン破砕物を破砕する２次破砕手段２０とを有しており、１次破砕手段１０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円錐面状に形成され、２次破砕手段２０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円柱面状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）