【課題】シリコン融液が浸み出すことなく、長期に亘って多数回の繰返し使用が可能であり、しかも、搬送中におけるシリコン融液の飛沫の発生を抑制することができるシリコン融液の搬送部材を提供する。
【解決手段】Ｃ／Ｃコンポジット材により一端開口筒体状に形成され、開口側には入口開口が形成されていると共に外周部の平坦側面部には側面方向に向けて開口する出口開口を有し、底面側には入口開口から流入したシリコン融液の流れ方向を出口開口に向けて変える底流案内部を有する方向変更部材と、Ｃ／Ｃコンポジット材により溝状又は筒状に形成された樋部材とを有し、使用時には、樋部材の上方に方向変更部材をその底流案内部が重なり合うように配置し、方向変更部材の入口開口から流入したシリコン融液の流れを樋部材のシリコン融液流れ方向に案内するシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコンの破砕に適した装置及びその破砕装置を用いた多結晶シリコン破砕物の製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線４回りに互いに逆回転する一対のロール３の間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置１であって、両ロール３の両端部に、両ロール３の間隙の側方を閉塞する仕切り板９（側板）が、ロール３の軸線４と直交し相互に一定の間隔をおいて平行に設けられており、ロール３の外周面上に複数の破砕歯５が半径方向外方に突出して設けられるとともに、仕切り板９の内壁面上に複数の突出歯９１がロール３の軸線４と平行な方向に突出して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 円筒状シリコンインゴットの側面剥ぎ切断装置上で、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する方法および外周刃の横揺れ幅を小さくすることができる自己補償機構の提供。
【解決手段】 加圧冷却液供給パッド一対９６ｐ，９６ｐを外周刃９１ａを挟んで外周刃の前面および後面に設け、ポンプ９６ｐより供給される加圧液体の供給管を２分岐し、分岐された供給管のそれぞれの先端を前記一対の加圧冷却液供給パッドの液体貯め空間に望ませた外周刃横揺れ自己補償機構９６。および、レーザ光反射型変位センサｓを用い、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができる、多結晶シリコンの破砕に適した装置及びその破砕装置を用いた多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線回りに互いに逆回転する一対の主ロール３間に塊状の多結晶シリコンを挟み込んで破砕する多結晶シリコンの破砕装置１であって、二つの主ロール３の間隙Ｇ１の下方に、間隙Ｇ１を通過する多結晶シリコンを受ける副ロール４（受け部材）が設けられるとともに、副ロール４と主ロール３との対向間隙Ｇ２は間隙Ｇ１と同じか又はそれよりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に、粉塵爆発が発生する危険性を低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気に維持されるチャンバー内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルからの電磁誘導加熱によりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造する方法において、リンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を２００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃することを特徴とする。また、ボロンがドープされたシリコンインゴットの鋳造を行ったチャンバー内を清掃する際に不活性ガス雰囲気の温度を４００℃以下にした状態でチャンバーを開放して清掃する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子製造など結晶シリコンを基材とする加工工程で排出されるシリコン切削廃液を良好に固液分離し、シリコン切削屑などの含有された有用成分を低負担且つ低コストで分離回収し再生と再利用に供する処理方法の提供。
【解決手段】含有固体成分の微細粒子が分散した懸濁液であるシリコン切削廃液に極性非プロトン性溶媒、極性プロトン性溶媒、ノニオン系凝集剤、エチレンジアミン多価カルボン酸とその塩などの相分離成分を添加して廃液中の固相を凝集沈殿させることにより、廃液処理の初めの段階において良好な固液分離を確保して廃液中の有用成分の分離回収を容易なものとする。 （もっと読む）

【課題】冶金法によるシリコン原料の精製プロセスにおいて、各工程間の搬送経路の途中で溶融シリコンの搬送方向を変える必要がある場合に、好適に使用することができるシリコン融液の搬送部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ５〜１０mmを有する複数のＣ／Ｃコンポジット板材の端部を接合して形成され、搬送経路の途中に溶融シリコンの搬送方向を変える方向変更部を有するシリコン融液の搬送部材であり、Ｃ／Ｃコンポジット板材の２枚が互いに所定の角度で接合される接合箇所が、直径３〜８mmφ及び長さ７．５〜３２mmの大きさの軸部を有する連結具を４〜５０mmの間隔で打ち込んで固定され、かつ、カーボン接着剤で固着されているシリコン融液の搬送部材である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ７に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ７にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材１７および１８を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Ｆｅ濃度が１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下、Ｎｉ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下およびＣｒ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 （もっと読む）