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国際特許分類[C01B33/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 無機化学 (31,892) | 非金属元素;その化合物  (21,484) | けい素;その化合物 (4,055) | けい素 (1,305)

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製造 (383)
精製 (223)

国際特許分類[C01B33/02]に分類される特許

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【課題】モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を併用する連続鋳造方法であって、プラズマトーチを、原料3の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド2の断面における2本の対角線により形成される4つの角のうちの角度がθの2つの角に含まれるいずれか一の方向もしくは二以上の方向に走査させるとともに、原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、投入する原料がモールドの中心にあるプラズマトーチに衝突する(原料の落下点がモールドの中心から外れる)ように、投入角度および高さを調整して行う。 (もっと読む)


【課題】 歪みが小さい多結晶シリコン焼結体を、複数枚同時に製造することを可能とする多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン粉末および成形助剤の混合粉を成形してなる複数の板状成形体を積層配置すること、前記積層配置した成形体の最上部に荷重をかけること、および前記積層配置し、荷重をかけられた成形体を、非酸化性雰囲気下もしくは還元性雰囲気下で焼成処理することを具備することを特徴とする多結晶シリコン焼結体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 珪素系活物質の高い電池容量を維持しつつ、充放電時の体積膨張と活物質の破損が抑制された、非水電解質二次電池用負極活物質を製造する方法、並びにそれを用いた非水電解質二次電池用負極材及び非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】 炭素被覆された非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法であって、酸化珪素粉末及び珪素粉末の少なくとも一方を含む負極活物質原料を、触媒CVD法により炭素被覆する非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法、並びに、それを用いた非水電解質二次電池用負極材及び非水電解質二次電池。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコン破砕物の製造方法を提供する。
【解決手段】平行な軸線回りに互いに逆回転する一対のロール間に塊状の多結晶シリコンを挟み込むことにより破砕する破砕工程を有し、各ロール3には、外周面上に複数の破砕歯5が半径方向外方に突出して設けられ、各破砕歯5は、先端面15が球面状に形成されるとともに、側面16が円錐面状又は円柱面状に形成されており、破砕工程は、両ロール3の対向部間における破砕歯5の先端面15どうしの対向距離Gに対する投入される破砕前の多結晶シリコンの最大辺の長さの比で特定される破砕比を1.0以上1.5未満に設定して破砕する。 (もっと読む)


【課題】残存酸素濃度が低い多結晶シリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン焼結体の製造方法は、例えば、シリコン粉末を成形して成形体を得る第1工程と、前記成形体を加熱装置中に装入する第2工程とを具備している。これら第1及び第2工程は、非酸化性ガス雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度が低い多結晶シリコン焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン焼結体の製造方法は、シリコン粉末と成形助剤とを含む成形体をシリコンの焼結温度で焼成することを具備している。この成形助剤は、前記焼結温度における蒸気圧が10−1atm以上である、金属、合金、酸素及び炭素原子を実質的に含有していない金属化合物、又はこれらの混合物である。 (もっと読む)


【解決課題】安価な原料から、簡易な工程で、種々の炭素−金属コンポジットを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】液体有機化合物中で、特定の金属からなる金属電極または炭素電極からなる陰極と、特定の金属からなる金属電極からなる陽極との間でパルスプラズマ放電することにより、結晶質および/または非晶質の炭素材と、該金属電極を構成する金属のナノ粒子とからなる、一次粒径が3nm〜500nmの炭素−金属コンポジットを製造する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンSを容器3に収納した状態で洗浄槽21〜27に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置1であって、洗浄槽21〜27の内底部に容器3を載置状態に保持するガイド枠5を有しており、ガイド枠5には上方から容器3の導入を案内する複数のガイド板52が上方に向かうにしたがってガイド枠5の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】主としてリチウムイオン電池の負極として使用するための清浄で微細なシリコンを効率よく製造する、製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は、切削、又は研削により微粉化した結晶性シリコンを分散液中で解砕し分散させることによってより分散度を高めた後、該分散液を重力分級法により見かけ粒径0.1〜20μmの微細なシリコンをシリコン分散液として採取すると共に、粗な部分の少なくとも一部を分散液中に戻して更に解砕すると共に、分散させる様にした微細シリコンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第1の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第2の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第1の微結晶半導体膜を形成し、第1の微結晶半導体膜上に、第1の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第3の条件で第2の微結晶半導体膜を形成し、第2の微結晶半導体膜上に、第2の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第4の条件で、第3の微結晶半導体膜を積層形成する。 (もっと読む)


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