【課題】シリコン原料の初期溶解時において溶融シリコンの差し込みを発生させることなく、多結晶シリコンインゴットの円滑な引き下げを可能とする多結晶シリコンの連続鋳造方法および連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料の初期溶解時に、無底冷却ルツボ内のダミーブロックと前記無底冷却ルツボ側壁とで形成される隙間に不燃性部材を装入する。前記不燃性部材を石英ウールとすれば、不燃性部材による溶融シリコン中への汚染を最小限にすることができる。この方法は、前記ダミーブロックと前記無底ルツボとで形成される隙間に、不燃性部材が装入されていることを特徴とする本発明の多結晶シリコンの連続鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層２を利用して、複数のシリコン粒子３４が前記核形成促進層２上にシリコン融液３２から核形成するとともに、シリコン融液３２を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせずに、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を製造する方法を提供する。また、本発明では、連続性が高い半導体シリコン膜を有する半導体積層体を提供する。
【解決手段】半導体積層体を製造する本発明の方法は、基材の表面上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結シリコン膜１２０を形成する工程、及び未焼結シリコン膜に光２００を照射して、半導体シリコン膜１３０ａを形成する工程を含み、かつ基材の表面１００ａに対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。本発明の半導体積層体は、この半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、かつ基材の表面に対する溶融シリコンの接触角が７０度以下である。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】単純な構成でシリコンスラリーを再資源化できる、シリコンスラリーの固液分離方法、及びその装置を提供すること。
【解決手段】固液分離装置１０は、シリコンスラリー原液槽１２、反応槽２０、酸性溶液槽２２、中和槽３０、中和剤溶液槽３２、熱分解機４０、及び熱風発生炉５０を具えている。固形成分と液状成分とを含有するシリコンスラリーは、反応槽２０で酸性溶液と十分に反応させられた後、中和槽３０で中和剤溶液によって中和させられ、次いで熱分解機４０で液状成分が気化させられることによって、固形成分と液状成分とに分離させられる。固液分離させた固形成分は粉状物であり、シリコン粉を主成分とするため、また、気化させた液状成分を蒸留すれば、油分を回収できるため、資源として再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を８００−１１００℃に制御した基板上に、１ｋｇ／ｈｒを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が２−３０ｍｍの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉内に析出した多結晶シリコンの反応炉内からの取り出しが容易であり、製造効率が高い多結晶シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】反応炉内で四塩化珪素と亜鉛を反応させて、反応炉内に多結晶シリコンを生成させる第一工程と、９０７〜１２００℃で、該反応炉内に、四塩化珪素のみを供給するか、又は四塩化珪素に対する亜鉛のモル比が、該第一工程でのモル比よりも小さくなる供給量で、四塩化珪素及び亜鉛を供給する第二工程と、該反応炉内の温度が８００℃以上で、反応炉内を不活性ガス雰囲気にし、次いで、多結晶シリコンを、８００℃以上の反応炉内から、該反応炉に繋がる不活性ガス雰囲気の冷却空間へ移動させることにより、多結晶シリコンを反応炉内から反応炉外へ取り出し、冷却する第三工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなる第１の層３Ａと、第１の層３Ａの上に形成されたシリカからなる第２の層３Ｂとにより構成し、かつ、第２の層３Ｂは、鋳型内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部よりも上部にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂３１をシリカ５で結合した内層スタッコ層３０を少なくとも１層含む内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ５から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、を備え、窒化ケイ素コーティング層４の最表面の混合体素地層４０’が、平均粒径０．０１〜０．１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有するシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）