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国際特許分類[C01B33/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 無機化学 (31,892) | 非金属元素;その化合物  (21,484) | けい素;その化合物 (4,055) | けい素 (1,305)

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製造 (383)
精製 (223)

国際特許分類[C01B33/02]に分類される特許

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【課題】放射温度計を用いてシリコンの温度を高精度に安定して測定でき、シリコンの相状態を精度よく判別でき、高品位な製品を製造でき、かつ、操業時間やランニングコストの無駄をなくして生産性を高めることができるシリコン鋳造炉の温度測定機構及びこれを備えたシリコン鋳造炉を提供すること。
【解決手段】シリコンを貯留する坩堝と、前記坩堝を収容する炉と、前記炉内に不活性ガスを供給する供給管4と、を有するシリコン鋳造炉に設けられ、シリコンの温度を測定するシリコン鋳造炉の温度測定機構1であって、シリコンの温度を測定する放射温度計5が、前記供給管4内に配設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】不純物量が少なく、かつ、結晶の成長方向が安定したシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液を保持する坩堝と、この坩堝を加熱するヒータと、前記坩堝内に向けて不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を備えたシリコンインゴット製造装置であって、前記坩堝の上に載置される蓋を有し、前記蓋は、前記坩堝の側壁上面に載置される載置部と、前記坩堝の側壁外縁から外周側に突出した庇部と、厚さ方向に貫通した開口部と、を有し、前記庇部は、前記坩堝の側壁上端の10%以上の領域の外周側に配設され、かつ、前記側壁上端外縁からの突出長さが50mm以上とされており、前記開口部は、前記坩堝の側壁上端面の50%以上の領域が前記ヒータに対して露出するように配設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 (もっと読む)


【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝20の上に載置される蓋50を有し、蓋50の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋50は、坩堝20の側壁22上端面に載置される載置部51と、坩堝20の側壁22外縁から外側に突出した庇部52と、厚さ方向に貫通した開口部53と、を有し、庇部52は、坩堝20の側壁22上端外周縁の10%以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁22上端外縁からの突出長さが50mm以上とされており、開口部53は、坩堝20の側壁22上端内縁から100mm以内の領域に形成されており、開口部53による坩堝20の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝20の上端内側領域全体の面積の1.5%以上10%以下とされている。 (もっと読む)


【課題】電気化学系において有用であり、高い電気化学容量、良好なサイクル容量、低い自己放電率及び良好な環境耐性のうちの少なくとも1つを示す電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも部分的に炭素で被覆された多孔質ケイ素を基材とする電気化学系のためのアノードであって、多孔質ケイ素でできている絶縁性支持体上に被覆されたポリマー層を熱分解する工程を含む、多孔質材料から電気化学系のためのアノードを製造する方法である。 (もっと読む)


【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置10は、気相成長室36と、加熱室8と、混合室38と、トリクロロシランガスを貯蔵する第1貯蔵庫42と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第2貯蔵庫40を備えている。加熱室8は、第1貯蔵庫42と混合室38に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室38に供給している。混合室38は、第2貯蔵庫40と気相成長室36に連通しており、加熱室8から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス34を気相成長室36に供給している。加熱室8の室内温度は、混合室38の室内温度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制し、かつ、離型性に優れるとともに、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンの加工工程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して、一定の品質の多結晶シリコンを製造する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造では、鋳造された多結晶シリコンインゴット1から切り出されたシリコン廃材であるボトム材1b又は鋳肌材2bの最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、これらのシリコン廃材をリサイクル原料として使用する。上記多結晶シリコンインゴットを鋳造時には、リサイクル原料と天然原料からなるバージン原料とを含み且つバージン原料のほうがリサイクル原料よりも高い比率で配合された混合原料を用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 (もっと読む)


【課題】アーク炉に抵抗加熱炉などを併設しないでアーク炉のみで回収シリコンくずを加熱、融解することができ、回収シリコンくずに印加する電圧も400V以下で稼動することができ、高電圧を使用するような大きな設備を要しない回収シリコンくずの融解方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る回収シリコンくずの融解方法は、回収されたシリコンくずをアーク炉により融解する回収シリコンくずの融解方法であって、該アーク炉の電極間電圧を40〜400Vに保持するとともに、電極を導電材に接触させた状態で通電し、該導電材の昇温に伴って発生するアーク放電により前記シリコンくずが加熱され、アーク放電及び電極間電流が安定したのち通常のアーク炉操業に移行することによって実施される。 (もっと読む)


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