【課題】フォトレジストによるサブミクロン寸法の高解像イメージの提供。
【解決手段】下記式Ｉまたは式ＩＩ




で示されるトリ（スルホニル）メチドまたはビス（スルホニル）イミド光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）、並びに、このようなＰＡＧ化合物を含むフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

本発明は、ドロネダロンの調製における中間体である式（３）の化合物、Ｎ−（２−ブチルベンゾフラン−５−イル）−Ｎ−（メチルスルホニル）メタンスルホンアミドを調製するための幾つかの合成方法を提供する。本発明はさらに、式（３）の２−ブチル−５−ビス（メタンスルホン）−アミドベンゾフランをドロネダロンに変換する工程を含み、式（３）の２−ブチル−５−ビス（メタンスルホン）−アミドベンゾフランが本発明の方法によって調製されるドロネダロンの調製方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、特定のＮ−アシルオキシスルホンアミドおよびＮ−ヒドロキシ−Ｎ−アシルスルホンアミド誘導体化合物、そのような化合物を含む医薬組成物およびキット、ならびにそのような化合物または医薬組成物を使用する方法を提供する。特に、本発明は、そのような化合物または医薬組成物を、疾患または状態の発病および／または発症を処置し、防止し、または遅延させるために使用する方法を提供する。いくつかの態様において、疾患または状態は、心血管疾患、虚血、再灌流傷害、癌性疾患、肺高血圧症およびニトロキシル療法に応答する状態から選択される。 （もっと読む）

【課題】バッテリーや燃料電池などの電気化学デバイスに有用な芳香族イミド電解質および芳香族メチリジントリススルホニル電解質を提供する。
【解決手段】式（Ｖ）：（Ａｒ−ＳＯ₂−）_m−ＱＨ−（−ＳＯ₂−Ｒ₁）_n （Ｖ）
（式中、Ａｒは芳香族化合物から誘導される芳香族基であり、ＱはＣまたはＮであり、各Ｒ₁は独立して、飽和、不飽和、直鎖状、分枝状、環状、ヘテロ原子含有、ポリマー性、ハロゲン化、フッ化または置換されていてもいなくてもよい脂肪族基および芳香族基からなる群より選択され、少なくとも１つのＲ₁は、スルホン酸、カルボン酸、およびホスホン酸からなる群より選択される少なくとも１つの酸性度の高い基を含んでおり、ｍは１以上であり、ｎは１以上であり、ＱがＮのときｍ＋ｎ＝２であり、かつＱがＣのときｍ＋ｎ＝３である）で表される化合物。 （もっと読む）

【課題】活性光線若しくは放射線又は熱に対する感度に優れた組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法及びインクジェット記録方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は、式Ａ−ＬＧにより表される化合物であって、前記Ａは、下記一般式（Ａ−１）により表される残基であり、前記ＬＧは、酸の作用により脱離して式Ａ−Ｈにより表される酸を発生させる基である化合物と、活性光線若しくは放射線の照射により酸を発生する化合物、及び／又は、加熱により酸を発生する化合物とを含んでいる。
【化１】
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【課題】塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー等の分野で使用される、カチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れた光酸発生剤として使用できるジスルホニウム塩の提供。
【解決手段】下記一般式（１）：


｛式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立にパラ位にハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、Ｒ³は、パラ位に炭素数１〜８個のアルキルチオ基又は炭素数６〜１２個のアリールチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化物イオンの混入が回避された高純度なジスルホニウム塩の製造方法を提供する。
【解決手段】アニオン部位にスルホネートを有するスルホニウム化合物と、スルホンイミド塩とを接触させ及び混合することにより、高純度のジスルホニウム塩を高収率で得る、ジスルホニウム塩の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】難燃性であり、高いイオン伝導性を示す電解質を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるイオン液体および無機微粒子を含む電解質組成物。


［式中、Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ、Ｈ原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アリール基又はアルコキシアルキル基のいずれかを示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ及びＹは、Ｎ原子又はＰ原子を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｚは、Ｓ原子又はＯ原子を示す。Ａ⁻は特定の構造式群を示す。］ （もっと読む）

【課題】安全性及び生産性が高く、簡便な含フッ素スルホニルイミド化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ペルフルオロアルキルスルホニルフロライド（Ｒｆ^１ＳＯ_２Ｆ）とアンモニアとを反応させて反応液を得る第１の工程と、前記反応液とＬｉ，Ｎａ，Ｋのいずれかのアルカリ金属元素Ｍの、水酸化物、炭酸塩、及び重炭酸塩の中から選ばれた少なくとも１種のアルカリ金属化合物とを反応させて、ペルフルオロアルキルスルホンアミドのアルカリ金属塩（Ｒｆ^１ＳＯ_２ＮＨ・Ｍ）を含む混合物を得る第２の工程と、前記混合物とペルフルオロアルキルスルホニルハライド（Ｒｆ^２ＳＯ_２Ｘ）とを反応させる第３の工程と、を備える含フッ素スルホニルイミド化合物（（Ｒｆ^１ＳＯ_２）（Ｒｆ^２ＳＯ_２）Ｎ・Ｍ）の製造方法を採用する。但し、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のペルフルオロアルキル基であり、Ｘはフッ素又は塩素である。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、疎密依存性、ラインエッジラフネス、パターンプロファイルに優れ、且つＥＵＶ光露光に於ける感度、溶解コントラストが改良された感光性組成物、当該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により特定構造の化合物を発生するスルホニウム塩又はヨードニウム塩化合物を含有する感光性組成物、当該感光性組成物を用いたパターン形成方法及。 （もっと読む）