本発明は、放射源と、少なくとも１つの蛍光体を含む蛍光材料とを有する照明装置であって、この蛍光体は、前記放射源により放射される光の一部を吸収して、この吸収された光と異なる波長の光を放射しうる蛍光体である照明装置において、前記少なくとも１つの蛍光体は、一般式Ｅａ_xＳｉ_yＮ_2/3x+4/3y：Ｅｕ_zＯ_aＸ_bで表わされる黄色から赤色で発光するユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカートであり、式中、１≦ｘ≦２、３≦ｙ≦７、０．００１＜ｚ≦０．０９、０．００５＜ａ≦０．０５、０．０１＜ｂ≦０．３であり、Ｅａはカルシウム、バリウム及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選択した少なくとも１種のハロゲンである照明装置に関するものである。本発明はまた、一般式Ｅａ_xＳｉ_yＮ_2/3x+4/3y：Ｅｕ_zＯ_aＸ_bで表わされる黄色から赤色で発光するユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカートであって、式中、１≦ｘ≦２、３≦ｙ≦７、０．００１＜ｚ≦０．０９、０．００５＜ａ≦０．０５、０．０１＜ｂ≦０．３であり、Ｅａはカルシウム、バリウム及びストロンチウムからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属であり、Ｘはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選択した少なくとも１種のハロゲンである当該ユウロピウム（ＩＩ）付活ハロゲノオキソニトリドシリカート及びその製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

本発明は、光透過性放電管を有する低圧水銀蒸気放電ランプであって、前記放電管は、気密方式で、水銀が充填された放電空間を取り囲み、前記放電管の壁の少なくとも一部には、発光体組成物が設置され、該発光体組成物は、一般式が（Gd_1-x-y-zY_xLu_y）PO₄：Ce_zで、0≦x＜1.0、0≦y＜1.0、0＜z≦0.2で、x+y+z＜1である第1のUV−A蛍光体を含み、さらに、当該低圧水銀蒸気放電ランプは、前記放電管内で、電気放電を開始し、持続する放電手段を有する、低圧水銀蒸気放電ランプに関する。そのようなランプは、特に、日焼け用、さらには美容用および医療用に有益である。また本発明は、一般式が（Gd_1-x-y-zY_xLu_y）PO₄：Ce_zで、0≦x＜1.0、0≦y＜1.0、0＜z≦0.2で、x+y+z＜1である、UV−A蛍光体に関する。 （もっと読む）

本発明の白色発光ダイオードは、３７０ｎｍ〜４２０ｎｍの間の波長範囲の放射線の発光源、式Ｂａ_3(1-x)Ｅｕ_3xＭｇ_1-yＭｎ_yＳｉ₂Ｏ₈（１）（ここで、ｘは０＜ｘ≦０．３、ｙは０＜ｙ≦０．３である）の青色光及び赤色光を発する第１の蛍光体、並びに緑色光を発する第２の蛍光体を含むことを特徴とする。別の具体例において、前記ダイオードは、同じ発光源及び化学組成がＢａ_3(1-x)Ｅｕ_3xＭｇ_1-yＭｎ_yＳｉ₂Ｏ₈（ここで、ｘは０＜ｘ≦０．３、ｙは０＜ｙ≦０．３である）であり且つ少なくともＢａ₂ＳｉＯ₄、Ｂａ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇及びＢａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈の相の混合物の形にある単一の蛍光体を含む。本発明のダイオードは、照明装置に用いることができる。
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本発明は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ及びＨｏからなる群から選択された少なくとも一種の元素を表わすＭでドープした一般式Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓを有する蛍光セラミックであって、その体積に単一相を有する当該蛍光セラミックと、単軸ホットプレス法を用いたこの蛍光セラミックの製造方法と、電離放射線を検出する検出器と、電離放射線を検出する検出器の使用方法とに関するものでもある。
単軸ホットプレス法を用いた蛍光セラミック材料の製造方法は、
ａ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選択された少なくとも一種の元素を表わすＭでドープした一般式Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓを有する色素粉末を選択するステップであって、ホットプレス処理に使用する前記粉末の粒径を１μｍ〜２０μｍとし、このホットプレス処理を
− １０００℃〜１４００℃の温度か、又は
− １００ＭＰａ〜３００ＭＰａの圧力か、或いは
− これらの双方を満たす条件で実施する当該ステップと、
ｂ） ７００℃〜１２００℃の温度で０．５時間〜３０時間のに亘り空気中でアニールするステップと
を有する。 （もっと読む）

非線形光学のための３５０ｎｍ以下での使用のための化合物。化合物は非線形光学のためのＡ_ｘＭ_{（１−ｘ）}Ａｌ_３Ｂ_４Ｏ_１２から構成される物質を含む。xは０以上０．１以下である。Aはスカンジウム、イットリウム、ランタン、イッテルビウム、ルテチウムから成るグループから選択される。Mはスカンジウム、イットリウム、ランタン、イッテルビウム、ルテチウムから成るグループから選択される。化合物中のモリブデンから生じる不純物は１０００ｐｐｍ以下である。
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最初に金属ドーパント合金を形成し、次に、合金を反応器中において制御された条件下で高純度アンモニアと反応させることにより、高発光効率を表すドープ金属窒化物粉末を大量に製造する簡単で安価な方法。得られるドープ金属窒化物粉末は、純粋の非ドープＧａＮ粉末、ドープＧａＮ薄膜、およびＺｎＳ粉末に見られるものを遥かに凌ぐ発光効率を表す。
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本発明は化学式Ａ_ｎＬｎ_ｐＸ_{（３ｐ＋ｎ）}からなる無機シンチレーター材料に関係する。ここでＬｎは一以上の希土類を表し、Ｘは一以上のハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩから選択される）を表し、そしてＡは一以上のアルカリ金属（例えばＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ又はＣｓ）を表し、ｎ及びｐは、ｎ（これは０でもよい）が２ｐ以下であり、かつ、ｐが１以上であるような値を表し、ウラン及びトリウムの娘元素の含有量が十分低くこれらの元素からのα放射に起因する放射能が０．７Ｂｑ／ｃｃ未満である。
この材料は非常に低い核バックグラウンドノイズを有し、そして特に被覆質量又は厚さ測定のための、核医療、物理、化学及び石油探索の分野における、及び危険な又は不正な材料の検知のためのシンチレーター検知器として好適である。 （もっと読む）

明るい環境下でも目視できる高輝度応力発光材料およびその製造方法とその利用の代表的な一例とを提供する。本発明にかかる応力発光材料は、摩擦による静電気に由来する発光機構、摩擦によるマイクロプラズマに由来する発光機構、歪による圧電効果に由来する発光機構、格子欠陥に由来する発光機構、および発熱に由来する発光機構の少なくとも何れかの発光機構により発光する条件を満たしている。例えば、応力発光材料として、少なくとも１種のアルミン酸塩からなる母体材料を含有する場合には、歪による圧電効果に由来する発光機構を実現するために、上記母体材料には、自発分極性を有する結晶構造が含まれる構成、具体的には、α−ＳｒＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。 （もっと読む）

式(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Euを有する蛍光体組成物、及び半導体光源及び上記蛍光体を含む発光デバイス。(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Eu及び1種以上の追加の蛍光体の混合物、及びそれを組み込んでいる発光デバイスも開示される。好ましい混合物は、(Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu及び(Sr,Mg,Ca,Ba,Zn)₂P₂O₇:Eu,Mn;(Ca,Sr,Ba,Mg)₅(PO₄)₃(Cl,F,OH):Eu,Mn;(Sr,Ba,Ca)MgAl₁₀O₁₇:Eu,Mn;及びMg₄FGeO₆:Mn⁴⁺の少なくとも1種;及び一般式(Y,Gd,La,Lu,T,Pr,Sm)₃(Al,Ga,In)₅O₁₂:Ceを有する1種以上のガーネット蛍光体を含む。
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実験式Ｌａ_{２−ｘ−ｙ}Ｂ_２２Ｏ_３６、Ｍｎ_ｘＡ_ｙを有するプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用のマンガンおよびアルカリハライドで活性化された緑色を発光するランタンアルミネート発光体を提供するもので、式中のＡはＬｉ、ＮａまたはＫであり、ＢはＡＩまたはＡＩ＋Ｇａであり、０．０１≦ｘ≦０．１であり、０．０１≦ｙ≦０．１である。発光体は、緑色領域に帯放射を有し、キセノンガス混合物からの１４７および１７３ｎｍの放射線で励起する場合、５１５ｎｍでピークを有し、均一な粒径分布（０．０１〜１０μｍ）を有し、様々なフラットパネルディスプレイおよびランプ用途に必要な薄型の発光体画面に適切なサイズ分布である。それらは、ＶＵＶ励起下で高輝度、良好な彩度、良好な安定性およびより短い残光性を示す。 （もっと読む）