【解決手段】
本発明は、半導体ナノ粒子群を含む第１マトリックス材料を含む１次粒子に関し、各１次粒子は、更に半導体ナノ粒子の物理的、化学的、光安定性を高めるための添加物を含む。そのような粒子の方法が記載されている。そのような粒子を含む複合材料及び光放出装置はもまた記載されている。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、コーティングされた複数の１次粒子であって、各１次粒子が、１次マトリックス材料から構成されており、半導体ナノ粒子の集団を含み、各１次粒子は、表面コーティング材料の層が個別に与えられている、コーティングされた複数の１次粒子に関する。このような粒子の調製方法が説明される。このような１次粒子を組み込む複合材料及び発光デバイスも説明される。 （もっと読む）

【課題】種々の樹脂に分散可能、かつ、分散安定であり、さらには、発光強度が強い金属酸化物蛍光体微粒子、その製造方法、及び該蛍光体微粒子を含有する樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】沸点が250℃以上であるポリオール系溶媒中、金属酸化物前駆体と、分子末端に反応性のアルコキシシリル基を有し、かつ、分子量が300〜3000であるポリシルセスキオキサン誘導体とを200〜300℃での反応に供することにより得られる金属酸化物蛍光体微粒子。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を備えた、新規な機能を有する光学素子の提供。
【解決手段】少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段が、励起光照射時の温度に依存して異なる発光スペクトルを示すことを特徴とする温度可変光センサ素子；少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする温度可変光センサ素子。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する薄膜及びその成膜方法、並びに微細な結晶から形成される高発光効率、高輝度を有する薄膜蛍光体の提供。
【解決手段】多角柱状構造を有する結晶からなることを特徴とする薄膜であって、該薄膜は物理気相成長法、化学気相成長法、溶液法のいずれかの方法によって形成され、還元雰囲気において薄膜がエッチングされない温度で熱処理が施される。該薄膜蛍光体は酸化亜鉛結晶であり、四価〜一価のイオン原子、リンから選択される少なくとも1種を添加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視域よりもはるかに高い感度を波長が紫外域で有するＺｎＳナノベルトを提供する。
【解決手段】陰極線ルミネッセンスによる発光ピークが紫外域、特に３３７ｎｍ付近に特徴的に存在する、ベルト状に単結晶化した硫化亜鉛ナノベルトが与えられる。硫化亜鉛粉末の蒸発時の昇温速度を従来よりも緩慢にすることにより、この特徴を有する新規なナノベルトが得られる。
更に、一対の金属電極間にこのナノベルトを１本あるいは複数本掛け渡すことによって、可視域に比べて紫外域にはるかに大きな感度を有する紫外線センサーが得られる。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ結晶を放射線検出に利用する場合に、蛍光寿命が長い長波長発光により放射線検出の弁別機能の安定性が害されるという問題を解決できる４５０〜６００ｎｍの発光が少ない励起子発光型シンチレータＺｎＯ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープＺｎＯ単結晶やＩＩＩ族元素やランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。ＺｎＯ系単結晶の組成は（Ｚｎ_1-x-yＭｇ_xＣｄ_y）Ｏ[０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７]である。 （もっと読む）

【課題】発光波長帯の変化無く光学的に安定し発光性能が向上した量子点を含む量子点波長変換体を得る。
【解決手段】量子点波長変換体１００は、励起光を波長変換して波長変換光を発生させる量子点１１１及び上記量子点を分散させる分散媒質１１２を含む波長変換部１１０と、波長変換部を密封する密封部材１２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高発光強度の発光デバイスを提供する。
【解決手段】４６０ｎｍ〜６５０ｎｍ間の波長を有する発光チップ、発光チップを封入する封止材料、及び封止材料に散布され、発光チップから放出された光によって励起されて、７００ｎｍ〜１２００ｎｍ間の波長を有する光を放出し、銅ドープされた硫化カドミウム、銅ドープされたセレン化カドミウム、銅ドープされたテルル化カドミウム、またはその組み合わせからなるグループから選択された蛍光体を有する発光デバイス。 （もっと読む）