【課題】Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低い温度で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーの提供。
【解決手段】Ｃｕ系合金粒子（Ｃｕ系合金粒子は、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｎを含み、かつＣｕ、Ｉｎ及びＳｎの中でＣｕを最高の質量割合で含み、そして該Ｃｕ系合金粒子の含有量は３０〜４５質量％である）；並びに複合合金粒子（該複合合金粒子は、Ｂｉ系合金粒子とＳｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子との混合物であり、該Ｓｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子の含有量は２５〜２５０質量部であり、該Ｂｉ系合金粒子は、４０〜７０質量％のＢｉ並びに３０〜６０質量％のＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ及び／又はＳｎを含み、そして該Ｂｉ不含有Ｓｎ系合金粒子は、該Ｂｉ系合金粒子の固相線温度以上の固相線温度を有する）を含む金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】接合部の接着剤による補強箇所の視認性を高めることができ、不良品の検知を容易にすることができるはんだペーストを提供すること。
【解決手段】接着剤含有はんだペースト１は、Biの含有量が15〜65wt%とSnからなるはんだと、エポキシ樹脂である接着剤用樹脂と、硬化剤と、ヒドロキシカルボン酸である第１活性剤及び脂肪族ジカルボン酸である第２の活性剤とを含む構成であるため、接合部の接着剤による補強箇所の視認性を高めることができ、不良品の検知を容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の導電性接着剤では、０．８ｍｍより更に細かいファインピッチのランドを有する電子回路基板への印刷が出来なかったという課題。
【解決手段】本発明の導電性接着剤は、１０〜９０ｗｔ％のSnBi系はんだ粉末と、残部が有機酸を含有する接着剤とを含む導電性接着剤であって、SnBi系はんだ粉末は、粒子径Ｌ_１が２０〜３０μｍのはんだ粒子Ａ〜Ｄと、粒子径Ｌ_２が８〜１２μｍのはんだ粒子Ｅから構成されており、SnBi系はんだ粉末の混合割合は、粒子径が２０〜３０μｍのはんだ粒子Ａ〜Ｄがはんだ粉末全体の４０〜９０ｗｔ％で、残部が８〜１２μｍのはんだ粒子Ｅである。 （もっと読む）

【課題】 はんだ材料として高い固相線温度と適度な液相線温度を有し、良好な濡れ性を具えるだけでなく、Ｂｉ系はんだにおける特有の課題、即ちＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できると同時に、加工性に優れたＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｂｉを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、ＺｎとＳｎの少なくとも１種を含有すると共にＧｅを含有し、Ｚｎを含有する場合その含有量が０.２〜１３.５質量％、Ｓｎを含有する場合その含有量が０.１〜１０．０質量％であり、Ｇｅの含有量が０.００１〜０.５００質量％であって、Ｐは０.５００質量％を超えて含有せず且つＡｇは３.０質量％を超えて含有していない。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュール部品が有する電子部品の端子電極と回路基板の端子電極とを接合する接合金属の耐熱性を向上させること。
【解決手段】電子部品２と、電子部品２が搭載される回路基板３と、電子部品２の端子電極２Ｔと回路基板３の端子電極３Ｔとの間には、Ｐｂフリーはんだが溶融した後硬化して得られた接合金属１０が介在して両者を接合する。接合金属１０は、Ｎｉ−Ｓｎ合金を主成分とする主相に、Ｎｉ−Ｆｅ合金を主成分とするＮｉ−Ｆｅ合金相とＳｎを主成分とするＳｎ相とが分散している。 （もっと読む）

【課題】はんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部の熱伝導性を高め、放熱性を向上させることができる熱硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】熱硬化性樹脂組成物は、融点が２４０℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、無機フィラー、及びフラックス成分として、末端にカルボキシル基を有する、特定の構造の脂肪族カルボン酸化合物が含有されている。 （もっと読む）

【課題】優れた耐落下衝撃性を維持しつつ、再リフローにより半導体部品を回路基板に実装する場合であっても、はんだフラッシュを起こり難くすることができる熱硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】融点が２４０℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、シリコーン樹脂化合物、及びフラックス成分として、末端カルボキシル基を有する、特定の構造のカルボキシル基含有化合物が含有されている熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 濡れ性および加工性に優れ、且つ電子部品等のＮｉメタライズ層との反応やＮｉ拡散を抑制できるＢｉ系の高温用Ｐｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｓｎを０.０１質量％以上１０質量％以下含有し、ＡｌまたはＣｕのいずれか１種以上を、Ａｌの場合は０.０３質量％以上１.０質量％以下、Ｃｕの場合は０.０１質量％以上１.８質量％以下含有し、Ｐを０質量％以上０.５質量％以下含有し、残部が不可避不純物を除いてＢｉからなる。このＰｂフリーはんだ合金は、さらにＡｇまたはＺｎのいずれか１種以上を、Ａｇの場合は０.０１質量％以上３.０質量％以下、Ｚｎの場合は０.０１質量％以上０.４質量％未満含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】安価な製造コストにて、緻密で、熱電変換性能の高いｎ−型スクッテルダイト系Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ熱電変換材料が得られる方法を提供する。
【解決手段】ＣｏＳｂおよびＣｏＳｂ₂の少なくとも一種が含まれる原料を、包晶反応温度以上液相線温度以下の温度範囲で加熱して溶解させた後に冷却することで、粉砕を行わずに、下記の構成(a)〜(c)を満たし、スクッテルダイト構造を有するｎ−型Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ系熱電変換材料を得る。
(a)密度が７．４ｇ／ｃｍ³以上である。(b)熱電変換性能を示す無次元性能指数ＺＴ（Ｚ：性能指数、Ｔ：絶対温度）が０．６以上である。(c)Ｙｂの含有量ｘが０＜ｘ≦１であり、Ｃｏの含有量ｙが３．５≦ｙ≦４．５であり、Ｓｂの含有量ｚが１０≦ｚ≦１５である。 （もっと読む）

【課題】現状市場に大量に流通している、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕやＳｎ−３ＡｇのＳｎ−Ａｇ系はんだボールが搭載されている半導体装置を、基板に対し１８０度以下の低温で安定して実装でき、機械的な信頼性を向上させるとともに、経時による電気抵抗の上昇を低減することが可能な接合材料を得ることができる。
【解決手段】本発明に係る接合材料は、融点が１８０℃以下であるはんだ合金と、ＢｉまたはＩｎのいずれか１種以上を９０ｗｔ％以上含有する。 （もっと読む）