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国際特許分類[C22C16/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理 (53,456) | 合金 (38,126) | ジルコニウムを基とする合金 (94)

国際特許分類[C22C16/00]に分類される特許

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【課題】元素Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta及びCrの金属粉末もしくは金属水素化物粉末の製造方法。
【解決手段】これらの元素の酸化物が還元剤と混合され、この混合物が炉中で、還元反応が開始するまで、場合により水素雰囲気下に(ついで金属水素化物が形成される)加熱され、反応生成物が浸出され、かつ引き続いて洗浄され、かつ乾燥され、その場合に使用された酸化物が0.5〜20μmの平均粒度、0.5〜20m/gのBETによる比表面積及び94質量%の最小含量を有する。 (もっと読む)


【課題】製造工程における熱履歴によらず、高い耐食性を有するジルコニウム合金材料を提供する。
【解決手段】質量%でSn:0.001〜1.9%、Fe:0.01〜0.3%、Cr:0.01〜0.3%、Ni:0.001〜0.3%、Nb:0.001〜3.0%、0.027%以下のC、0.025%以下のN、4.5%以下のHf及び0.16%以下のOを含み、残部が不可避不純物とZrとからなるジルコニウム合金を用い、少なくとも表面部に塑性ひずみ3以上又はビッカース硬さで260HV以上となる冷間加工を施工し、前記冷間加工を施工した層を残した状態でその表面を機械的又は化学的な研磨手法によって平坦化する。 (もっと読む)


【課題】金属ストリップの生産のための装置および方法を提供する。
【解決手段】急速凝固技術により延性があり,非結晶質又はナノ結晶である金属ストリップ2を製造する装置1において,回転軸5を中心に回転することができる可動ヒートシンク3の外部表面7を清浄化するのに使用される圧延装置11含む装置であり,ヒートシンクの外部表面の粗さを連続的に軽減しつつ、溶融物8が注がれ,凝固しストリップ2が製造される。圧延装置はロール12を含みヒートシンクが動いている間に、外部表面に対して押し付け可能であるとともに、ローラーは,可動ヒートシンクの外部表面とらせん状に接触するように,可動ヒートシンクの回転軸に平行に,可動ヒートシンクの外部表面を動くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】伝熱性に優れる水素吸蔵材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素吸蔵材は、水素吸蔵合金とカーボンナノチューブとから構成され、カーボンナノチューブが水素吸蔵合金の表面に結合している。水素吸蔵合金とCNTとの接触熱抵抗が小さいこと、及び、CNTの長手方向の一端が水素吸蔵合金に結合しており、CNTは長さ方向に対する伝熱性が優れる特性を有することから、水素吸蔵材は優れた伝熱性を有する。そして、この水素吸蔵材は、加熱雰囲気下に水素吸蔵合金を配置するとともに炭素源ガスを供給し、化学的気相合成法により水素吸蔵合金の表面からカーボンナノチューブを成長させることで得られる。 (もっと読む)


【課題】簡単な作業工程のみで機械的に加工が容易な超伝導体を生成すると共に、特別な処理を必要とせずにピンニングサイトを導入することができる合金超伝導体生成方法等を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する高融点金属のNb固溶体とB2型金属間化合物TiNiとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるNb相と常伝導相となるTiNi相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。また、配合物を融点以下の温度における時効析出反応により鋳造し、前記Nb相内に前記TiNi相がピンニングサイトとして析出される。 (もっと読む)


【課題】耐食性と耐水素吸収性の両者を同時に満たすジルコニウム基合金およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ニオブの質量パーセント濃度をCNb、鉄の質量パーセント濃度をCFe、ランタンの質量パーセント濃度をCLaとしたときに、0.9(質量%)≦CNb≦1.0(質量%)、0.06(質量%)≦CFe≦0.11(質量%)、0.10(質量%)≦CLa≦0.30(質量%)を満足するようにした。 (もっと読む)


【課題】金型からの離型性に優れた非晶質合金、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】20℃以上のガラス遷移領域を有する非晶質合金を形成する複数の金属を溶融混合して母合金を作製する母合金作製工程と、前記母合金中に、当該母合金に比べて融点の高い遷移金属からなる粒子を、アーク溶解法により当該母合金の融点以上、当該遷移金属の融点以下に加熱しながら分散する金属粒子分散工程とを有することを特徴とする遷移金属粒子分散合金の製造方法、及び遷移金属粒子分散合金。 (もっと読む)


【課題】
本発明は多成分単一体のスパッタリングターゲット及びその製造方法、これを利用した多成分合金系ナノ構造薄膜製造方法に関するものである。
【解決手段】
本発明による多成分単一体のスパッタリングターゲットは、窒素と反応して窒化物形成が可能な窒化物形成金元素及び前記窒化物形成金元素に対する高溶度がないか低く、窒素と反応しないか反応性が低い非窒化物形成金元素の非晶質または部分結晶化された非晶質形成合金系を含むもので、前記窒化物形成金元素はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Siから選択された少なくとも一つの元素を含み、前記非窒化物形成金元素はMg、Ca、Sc、Ni、Cu、Y、Ag、In、Sn、La、Au、Pbから選択された少なくとも一つの元素を含んで構成してもよい。 (もっと読む)


【課題】
各々の部品が有する形状や特性を接合後も損なうことなく、かつ接合の信頼性が高く実用に耐えうる接合体を提供すること。
【解決手段】
接合されている2つ以上の精密部品のうち、少なくとも1つが非晶質相を主相とする合金からなる場合において、非晶質相を主相とする合金の結晶化温度以下の温度帯で溶解する、一般式(1)にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体及び非晶質相を主相とする合金からなる部材の接合界面側にAu, Pt, Pd及びNiのうち少なくとも何れか1種を含有する箔層と、一般式(1)にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体
一般式(1):Au100-xx
但し、MはSi,Ge,Snのうち少なくとも1種を必ず含む任意の元素群であり、xは原子%で、17.5≦x≦40である。 (もっと読む)


【課題】 不純物を含む希ガスを、加熱下でゲッタ材と接触させて、該希ガスに含まれる不純物を除去する希ガスの精製方法において、希ガスに不純物が多く含まれている場合であっても、圧力損失の上昇を抑制できる精製方法を提供する。
【解決手段】 不純物を含む希ガスを、第2のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が低く空隙率が高い第1のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素を除去した後、第1のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が高く空隙率が低い第2のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素以外の不純物を除去する。 (もっと読む)


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