【課題】本発明は、ボール接合部の形状、サイズの安定化、ループ形状の安定性などに優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装などの半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる金属を主成分とする表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の金属が面心立方晶であって、前記表皮層の表面の結晶面における長手方向の結晶方位<hkl>のうち、<111>と<100>の占める割合が、ともに50%未満であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_ａｖｅを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_ａｖｅは１０μｍ以下を満足している。 （手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。 （手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。 ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ 式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。 （手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_ａｖｅとする。 （もっと読む）

【課題】 軸線方向には成分濃度が基本的に均一で、軸線を中心とする半径方向には成分濃度の傾斜を有する伸線用インゴットを作製する。
【解決手段】 高比重の金属元素成分と低比重の金属元素成分とからなる伸線用インゴットにおいて、インゴットを真空または不活性雰囲気中で加熱するとともにインゴットの高さ方向の中心線を回転軸として超高速で回転することによって最外周部に存在する二種以上の金属元素成分に異なる遠心力を発生させ、インゴットの最外周部で低比重の金属元素成分を希釈化させる。また、インゴットの最外周部で高比重の金属元素成分を濃縮させる。 （もっと読む）

【課題】発火部の剥離や発汗等を本質的に生じにくく、例えばガスエンジン等に適用された場合においても、ブリッジング等によるギャップ短絡を生じにくいスパークプラグを提供する。
【解決手段】スパークプラグ１００は、火花放電ギャップｇを挟んで対向する中心電極３と接地電極４と備え、それら電極３，４の少なくとも一方に対して放電ギャップｇに臨む位置に、Ｐｔ又はＩｒを主成分とし、かつ酸素含有量が１００ｐｐｍ以下である金属からなる発火部３１，３２が固着されてなる。発火部３１，３２を構成する金属中の酸素含有量が多くなるほど、発火部の剥離や発汗等の不具合も生じやすくなるが、金属中の酸素含有量を１００ｐｐｍ以下とすることによりこれを抑制でき、ギャップ短絡等の不具合を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板が曲がってもアンテナが曲がって電波が送受信できなくなるのを防ぎ、かつ厚さが薄くて柔らかい基板を用いることを可能にすることを課題とする。
【解決手段】平板状可撓性基板の少なくとも片面の全面に、超弾性合金材料あるいは形状記憶合金材料で形成された、らせん状、ジグザグ状、くし形状、格子状、放射状、あるいは、ネット状のアンテナと、前記アンテナと接続された、薄膜トランジスタで形成された回路とを有する半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】加工性がよく、作業性がよく、無駄の無い製造方法で、変形し難い、軽薄短小化、適応・多用性高機能金属合金が得られる高機能金属合金部材とその合金の製造方法を提供する。
【解決手段】金（Ａｕ）合金、プラチナ（Ｐｔ）合金、銀（Ａｇ）合金、銅（Ｃｕ）合金、鉄（Ｆｅ）合金、アルミニウム（Ａｌ）合金、マグネシウム（Ｍｇ）合金、チタン（Ｔｉ）合金につき、それぞれの場合の主含有量が３７．５〜９９．９９５重量％であり、ガドリニウムＧｄを５０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ未満の範囲で含有させ、更にモリブデンＭｏを５０ｐｐｍ以上１０００００ｐｐｍ未満含有させて構成された高機能部材及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜３．０質量％、Ｇａ：０．０５〜２．０質量％、Ｃａ：０．００１〜０．１質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、ターゲット本体１の周囲に鍔２を有する鍔付きターゲットであって、ビッカース硬さが４０〜７０の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性、耐酸化性を有すると共に、プローブピンとして十分な硬度を有する材料を提供する。
【解決手段】本発明は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕからなり、Ａｕ濃度：４０〜５５重量％、Ａｇ濃度：１５〜３０重量％、及び、ＰｄとＣｕとの合計濃度：１５〜４０重量％であるプローブピン用の材料である。この材料は、更に、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏの少なくともいずれか１つの元素を０．６〜５重量％含むことができる。また、これらの合金は、３００〜５００℃で加熱することにより析出硬化させることができ、より硬度の高い材料とすることができる。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合された銀層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記銀層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦９°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有するエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、含有酸素濃度が３０〜２００ｐｐｍの銀板を、熱間加工・熱処理する配向化処理を行い、金属板と配向化処理した銀板とを表面活性化接合することにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】狭いボンディングピッチであっても、ワイヤボンディング時におけるリーニング不良および偏芯ボール不良の発生を抑制できるボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】主成分となる金属と、Ｐｄとを装入した坩堝を加熱空間に配置し、熔湯を１３５０℃以上、１５００℃以下に加熱した後、坩堝が下部から上部へ順に徐冷されるように、坩堝を前記加熱空間から下方へ引き抜き、坩堝中の熔湯を凝固させて、インゴットを鋳造する。得られたインゴットと、Ｐｄ以外の所定の添加元素とを、連続鋳造炉に装入し、連続鋳造炉で加熱し、連続鋳造炉中の熔湯を１３５０℃以上、１５００℃以下に加熱し、１０〜１５分間、熔湯の温度を保持した後、連続鋳造炉の下部から、水冷式ダイスを通して、引き抜き凝固させる。 （もっと読む）