【課題】ターゲットと基材の間の磁力を強くするとともに、ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように又はカソード表面の外周から中心側（内側）に向かう方向となるように制御されたアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】アーク式蒸発源は、磁場発生機構８と外周磁石３とを備えることを特徴とする。磁場発生機構８を、ターゲット２の前方において軸心がターゲット２の前面と略垂直となる方向に沿うように配置し、且つターゲット２の前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状とする。外周磁石３を、リング状として、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、ターゲット２の外周を取り囲むように、且つ概磁化方向がターゲット２の前面と平行となる方向に沿うように配置する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように又はカソード表面の外周から中心側（内側）に向かう方向となるように制御されたアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】本発明のアーク式蒸発源１は、ターゲット２の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット２の前面と平行となる方向に沿うように配置されたリング状の外周磁石３と、磁化方向がターゲット２の前面と直交する方向に沿うようにターゲットの背面側に配置された背面磁石４と、を備え、リング状の外周磁石３の径内側の磁極と背面磁石４のターゲット２側の磁極とが互いに同じ極性であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アークスポットが蒸発源の表面部以外に入り込む現象を防止して、安定した放電を行わせるとともに、表面平滑性を向上させ、残留応力の制御性が高い薄膜を形成可能なアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】蒸発源の端面から内方に所定幅の端部領域を除く内側領域表面の磁束密度が１０〜１５ｍＴであり、端部領域表面の磁束密度が内側領域表面の磁束密度よりも３ｍＴ以上大きく、蒸発源の表面からワークまでの距離が１２０〜３００ｍｍであり、その距離の間の磁束密度の絶対値の積算値が２６０ｍＴ・ｍｍ以下であり、蒸発面における磁力線は、蒸発面の法線に対する角度θが０°＜θ＜２０°であり、端部領域表面では内側領域に向けて傾いており、内側領域の磁束密度は、標準偏差が３以下である。 （もっと読む）

【課題】リークパスの発生を抑制し、耐電圧特性を向上させた圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】Ｐｔ下部電極層４上に第１の比誘電率を有する第１のＰＺＴ圧電体層５Ａをアーク放電反応性イオンプレーティング（ＡＤＲＩＰ）法により形成し、第１のＰＺＴ圧電体層５Ａ上に第１の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第２のＰＺＴ圧電体層５ＢをＡＤＲＩＰ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なガスバリア性を示すガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、ポリエステル基材の少なくとも一方の面にポリエステルとメラミンとが架橋してなる成分を含有する有機層が形成された有機層ポリエステル積層基材を準備する工程と、イオンプレーティングにより上記有機層に蒸発源材料を付着させて無機層を形成する工程と、を有するように構成して上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング（ADRIP）法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZr_xTi_1-xO₃の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板にイオンボンバード処理を施した後、この透明基板上にイオンプレーティングにより厚さ５〜２０ｎｍ、好ましくは厚さ５〜１０μｍの銀を含む金属薄膜を蒸着させて、抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍおよび５００ｎｍの光の透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上である透明導電薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】様々な材料からなる基材表面を改質することができる表面改質方法及び装置を提供する。
【解決手段】セラミックスから溶出された無機材料を含む粒子が生成された処理溶液３を電解して粒子を帯電させた後、基材１表面に付与して乾燥させることで無機材料を固着させる。無機材料が固着した基材１表面は、親水性、防汚染性、反射防止特性といった様々な特性を備えるように改質処理される。例えば、ホウ酸シリカ水を電解してステンレス板の表面に電着させてシリカ等の無機材料を固着させることで、親水性及び防汚染性を有するように改質処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

【課題】部品組付け性およびコスト面での改良がなされたプラズマガンを提供する。
【解決手段】第１中間電極21および第２中間電極22の第１電極取付基体26および第２電極取付基体27において、それらの各胴部29，29の外周面に環状の第１磁石35および第２磁石36をそれぞれ嵌着する。第１中間電極21と第２中間電極22との間に配置された絶縁部材23は、第１磁石35と第２磁石36との間に位置する絶縁本体部37から第１被嵌部38および第２被嵌部39を軸方向に一体に突設し、これらの第１被嵌部38および第２被嵌部39を第１磁石35および第２磁石36の外周面上にそれぞれ被嵌する。そして、第１電極取付基体26および第２電極取付基体27の各フランジ部28，28を締結部材25で相互に締結する。 （もっと読む）