【課題】プラズマ処理装置におけるドロップレット捕獲用の環状リブ上に形成されたプラズマ流由来の堆積物が、プラズマ発生部へ落下して短絡を起こすことを防止する。
【解決手段】ドロップレット捕集用の環状リブ４０を複数のリブ片に分割することにより、プラズマ流の物質の凝集により前記環状リブ上に形成する堆積物９０の、形成当初からの細分化が達成される。この堆積物の細分化により、この堆積物が破片９１としてプラズマ発生部１０に落下する際に、この破片が陰極１１と前記プラズマ発生部の壁面１３の間に設けられる溝部１４に入り込み、前記陰極と前記壁面の電気短絡が防止される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド電位のグリッド5に流れるため、成膜室内のグランド電位の物体にプラズマ電流が流れるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アーク式蒸発源において、磁力線を基板方向に誘導して成膜速度を速くする。
【解決手段】ターゲット２の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット２の表面と直交する方向に沿うように配置された１又は複数の外周磁石３と、ターゲット２の背面側に配置された背面磁石４とを備えている。背面磁石４は、極性が外周磁石３と同方向で且つ磁化方向がターゲット２の表面と直交する方向に沿うように配置されている非リング状の第１の永久磁石４Ａを有している。 （もっと読む）

【課題】
真空容器内における負に印加したワークを回転させながら周囲より正イオン化した被蒸発材料を同ワークに衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置よりも、ワークの表面に形成する被膜をより滑らかなものにできるイオンプレーティング装置を提供できるようにした。
【解決手段】
真空容器内にて、負に印加した被処理物に蒸発させかつ正イオン化した被蒸発材料を衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置において、真空容器１内にセットする被処理物たるワーク２が、正イオン化した蒸発材料９が衝突する衝撃によって少なくとも前後方向に揺動するようにセットできるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 主電極からカソードマウントへの伝熱を抑制するための伝熱抑制構造を備えた利便性に優れる圧力勾配型プラズマガンを提供すること。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン１００が、主電極１７と、前記主電極をその第１の部分が少なくとも包囲して該第１の部分が前記主電極を少なくとも保護する電極保護部１８ａ，２０と、前記電極保護部の第２の部分がその主面に連結され該主面が前記第２の部分を支持することで前記第１の部分を間接的に支持することにより前記主電極を間接的に支持する電極支持部１０と、を備え、前記電極保護部の第２の部分に、前記主電極から前記電極支持部への伝熱を抑制する伝熱抑制構造２１ａ，２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、成膜面に付着するマクロパーティクル数を低減しつつ、高い成膜レートで良質な薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ輸送部４０は、プラズマの流路に沿って相互に電気的に絶縁された２つの電場フィルタ部４０ａ，４０ｂに分割されている。プラズマ分離部２０側の電場フィルタ部４０ａには例えば−２０Ｖの電圧が印加され、成膜チャンバ５０側の電場フィルタ部４０ｂには例えば−５Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】
毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。
【解決手段】
透明基板１上の酸化亜鉛試料２に電位を与えておき、前面に酸素プラズマＯＰを形成し、プラズマ空間電位を直流電源９、交流電源１０又はパルス電源１１で制御する。酸素プラズマＯＰの電子温度分布を変化させ、酸化亜鉛試料２と酸素プラズマＯＰとの間のシース電圧を制御し、亜鉛蒸気ＺＶを亜鉛Ｚｎショット８を加熱して生成させ、非晶質の透明基板１付近の各種粒子の量及び運動量等を質量分析装置１４とプラズマ発光分析装置１３でモニタリングし、各量をオーブンの三次元移動、酸素ガス質量流量、プラズマ生成電源電力等で制御し、得られるＺｎＯ透明導電膜の元素成分を、亜鉛と酸素のいずれか低い存在量に対して、亜鉛、酸素及び水素を除く不純物元素の比が０．４％以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】メインアノード３４と、カソード１を有し、メインアノード３４とカソード１との間でプラズマを発生させるプラズマガン１０１と、プラズマガン１０１とメインアノード３４との間に形成され、その内部に成膜空間２６を有し、基板１６及びターゲット１７がプラズマを挟んで対抗するように設けられた成膜室１０３と、メインアノード３４と成膜空間２６との間に設けられたサブアノード３５と、メインアノード３４又はサブアノード３５とプラズマガン１０１のカソード１との間に放電によりプラズマを発生するための電圧を印加するプラズマ電源１０５と、プラズマ電源１０５をメインアノード３４及びサブアノード３５に選択的に接続するための第１切替器４１と、を備える、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）