【課題】ホローカソードの耐久性の改善とともに、ホローカソードから放出される電子の電流量の適切な確保を行えるホローカソード型放電管を提供する。
【解決手段】ホローカソード型放電管１００は、放電ガスを放出できる開口２０２Ｂが端面２０２Ａに形成されたホローカソード２００と、端面２０２Ａに対向して配置され、この開口２０２Ｂの中心軸Ｓ上にスリット状の穴３０２Ａが形成されたアノード電極３０２と、を備える。そして、開口２０２Ｂとスリット状の穴３０２Ａとの間で、放電ガスによる放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくい窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ粉末とＡｌ粉末と窒化物粉末との混合粉をアルミニウムの融点未満の温度で加熱し、Ｔｉ及びＡｌからなる金属間化合物を形成させ、さらにＴｉ及びＡｌからなる金属間化合物を含む混合粉を非酸化性雰囲気中で、アルミニウムの融点より高くチタンの融点より低い温度で加熱してＴｉＡｌを含む窒化物を形成させるとともに加圧焼結することにより窒化物分散Ｔｉ−Ａｌ系ターゲットを製造する。これにより得られたターゲットは、単体の金属Ａｌが存在せず、組織中にＴｉ_２ＡｌＮ相が分散しているとともに緻密な組織となっているので、製膜時におけるドロップレットの生成を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、流れるワーキングガスを供給しながらアーク放電によって束縛されたプラズマビームを生成させるための、前記ワーキングガスの流れの中で互いに距離をあけて配置された２つの電極及びこれらの２つの電極間に電圧を発生させる電圧源を有するビーム発生器に関する。
【解決手段】
前記電圧源は、アーク放電のための点弧電圧とパルス周波数とを有する電圧パルスを生成し、この電圧パルスは、前後して続く２つの電圧インパルス間ごとにアークを消弧することができる。
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【課題】真空チャンバー内の真空状態を保持すると共に、冷却媒体収容部内での電食を防いで耐久性の向上を図ることができる電流導入構造を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー３内の補助陽極９に電流を導入する電流導入構造２０において、コイル１７及び冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５と、コイル１７の余剰部分となる絶縁導線部１９と、水冷ジャケット１５の外周壁部１５ｅに設けられると共に、水冷ジャケット１５の周囲の真空を保持しながら絶縁導線部１９が貫通して絶縁導線部１９の先端を真空側に露出させるシール構造部２３と、を備える。その結果、冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５内において絶縁導線部１９と他の導体部との間での接点を設ける必要が無くなり、冷却水Ｗａによる電食の虞を低減でき、コイル１７の耐久性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 基板に帯電する負電荷が中和される様にする。
【解決手段】 真空チャンバー１内に、絶縁部材を介して取り付けられた基板ホルダー４、蒸発材料の加熱用電子銃９を有する蒸発源、真空チャンバー側壁及び底壁に沿って碍子２１を介して真空チャンバー側壁に取り付けられた防着板２０、真空チャンバー内に蒸発源から蒸発した蒸発粒子をイオン化するための電子ビームを発生するプラズマ発生源１１を備え、プラズマ発生源１１は、熱陰極１５と電子放出電極１７が配置されたケース１２と、熱陰極１５と電子引出電極１７との間に放電電圧を印加する放電電源を備え、ケース１２内で形成されたプラズマＰ１中の電子を放電電圧に基づいて真空チャンバー１内に引き出す様に成しているイオンプレーティング装置において、基板ホルダー４と真空チャンバー１壁間の電位を測定する直流電圧計２２と、この電位が基準値になる様に放電電圧をコントロールする制御装置２３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、Ｎ極側が材料源に対向する第１の磁石と、Ｓ極側が材料源に対向する第２の磁石と、を有し、ハース４Ａ，４Ｂと被処理基板Ｗとの間の空間に磁界を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホローカソード型プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２を有する。プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、蒸着室１０１と、プラズマガン３のプラズマ放出部１０３と蒸着室１０１との間を圧力的に仕切りかつプラズマが蒸着室１０１へ通過可能な孔２１を有する隔壁２とを有する。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】成膜不良を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗを収納する真空容器２と、真空容器２内において被処理基板Ｗを戴置すると共に、所定の搬送方向に搬送するホルダー３と、搬送される被処理基板Ｗに対向して真空容器２内に設けられるハース４Ａ，４Ｂと、ハースにプラズマビームを照射するプラズマガン６，７と、ハースに対向するとともに、被処理基板Ｗを挟んでハースと反対側に設けられる歪曲手段１５Ａと、を備え、歪曲手段１５Ａは、電極と、該電極に接続され電圧を印加する電源装置と、を有し、電極には、ハースから飛来する膜材料が有する電荷と逆の電荷を生じる電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】連続稼動中において、プラズマガンに投入するパワーを経時的に上昇させることなく、均一な膜厚で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１３と、真空チャンバの内部に備えられた成膜材料２２にプラズマを放出するプラズマガン９と、プラズマガンに放電ガスを供給する放電ガス供給部とを有する成膜装置は、放電ガスの流量を変更することができるマスフローコントローラ２５と、マスフローコントローラに接続された、マスフローコントローラによる流量の変更を予め決められた設定に基づいて制御する制御回路２６と、を有する。 （もっと読む）