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国際特許分類[C25D1/04]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 電鋳 (530) | 線状体;ストリップ;箔 (101)

国際特許分類[C25D1/04]に分類される特許

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【課題】銅箔層の厚さが1μm程度であっても、ピンホールがほとんど存在しない銅箔層を備えるキャリア付銅箔を提供する。
【解決手段】キャリア付銅箔の製造方法として、乾式成膜法を用いて乾式銅薄膜を形成した後に、電解法を用いて銅バルク層を形成し、キャリアの表面に乾式銅薄膜を備え、その乾式銅薄膜の表面に銅バルク層を備える層構造のキャリア付銅箔とする製造工程を採用する。更に、電解法を用いて銅バルク層を形成する前に、乾式銅薄膜と銅電解液とを一定時間接触させて、電解を開始すれば、銅箔層に存在するピンホールの少ないキャリア付銅箔が容易に得られる。 (もっと読む)


【課題】 電解電流密度の均一化が容易な電解用電極を提供する。
【解決手段】 回転可能な陰極に対して間隔をあけて配置される陽極として用いられる電解用電極であって、断面円弧状の基体10と、基体10の内面側に配置された複数の電極板12とを備え、各電極板12に対して個別に給電可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】表層の銅箔と樹脂基材とを貫通し、下層に存在する銅箔表面を貫通させずにビアホールを作成できる銅箔を提供し、この銅箔で層間導体接続がビアホールにより達成され、相対する導体表面には不必要な表面開口孔部が存在しない、配線パターンの設計の自由度が増加する多層積層配線板を提供すること。
【解決手段】銅箔の一方の面の表面粗さ(Rz)が2μm以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面を樹脂基材と接着することを特徴とする銅箔である。
銅箔、樹脂基材、銅箔からなる積層配線板であって、前記樹脂基材の一方の面にレーザーを吸収する表面を露出面とした銅箔を配置し、前記樹脂基材の他方の面に表面粗さ(Rz)が2μm以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を、前記平滑面を樹脂基材と接着して配置してなる多層積層配線板である。 (もっと読む)


【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔1の光沢面4に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔1。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔1の光沢面4に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔1光沢面4の電解研磨方法。電解銅箔1の粗面側2にアノード3を配置し光沢面4側にカソード5を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面2に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面4に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔1光沢面4の電解研磨方法。 (もっと読む)


【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式1に示すLMP値が9000以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がEBSPの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が80%以上を占める電解銅箔。式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(Hr)。また、該加熱処理を施した後のX線回析における(111)面の強度に対し、(331)面の相対強度が15以上である電解銅箔。 (もっと読む)


【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式1に示すLMP値が9000以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが10μm以上となる結晶粒子が70%以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)
ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(hr)である。 (もっと読む)


【課題】圧延銅箔と同等の屈曲性能を備える電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、銅電解液を電解することにより得られる電解銅箔において、当該電解銅箔は、硫黄を25ppm〜110ppm、塩素を50ppm〜200ppm、炭素を70ppm〜150ppm含有することを特徴とする電解銅箔を採用する。また、この電解銅箔は、EBSD法で測定した常態双晶密度(A)と、380℃×30min加熱後の双晶密度(B)との双晶密度比(B/A)の値が0.7以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】微細配線の形成に適した支持体付銅箔を提供する。
【解決手段】支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面に高さ0.5μm以上の突起が10個/cm以下であることを特徴とする支持体付銅箔である。
また、支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面の表面粗さがRzで0.1〜1.0μm、光沢度が400〜700であることを特徴とする前期の支持体付銅箔であり、極薄銅箔層の厚さは0.1〜5μm、剥離層はモリブデンまたはタングステンを含有する。
この支持体付銅箔は、支持体となる金属箔上に、モリブデンまたはタングステンを含有する金属酸化物からなる剥離層を形成し、剥離層上に極薄銅層を光沢銅めっきにより形成することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 電解銅箔を使用して、安定したフライングリードを形成するための十分な強度を有し、微細回路化の要求にも対応できる金属張積層体を提供する。
【解決手段】 金属張積層体は、電解銅箔により形成された銅箔層、ポリイミド樹脂層及びステンレス箔層がこの順で積層されており、銅箔層を構成する銅の結晶粒における粒径の平均値が0.5μm〜3.0μmの範囲内にあり、且つ結晶粒の中に、柱形をなす柱状粒が存在し、柱状粒における短径が2.0μm以下で、短径に対する長径の比が2以上9以下の範囲内にあり、柱状粒における長径方向と、銅箔層の面方向とのなす角度が70°以上90°以下(又は90°以上110°以下)である。 (もっと読む)


【課題】通電接触抵抗が小さく電力のロスが防げる電解金属箔製造装置における電極基体を提供する。
【解決手段】電解金属箔製造装置の電着ドラムに対向する曲面状のアノード基材20を複数に分割し、かつ分割された各々のアノード基材に電流を供給する各々の縦ブスバー10の先端部に、アノード基材の曲率と同一曲率の湾曲面を構成し、この湾曲面を前記アノード基材に密着固定する。または縦ブスバーの先端部11をアノード基材表面に密着した導電性の横ブスバーに固定する。 (もっと読む)


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