【課題】メッキ厚のばらつきの小さいメッキ処理ができる電子部品のメッキ装置を提供する。
【解決手段】短冊状に破断した長尺基板Ｓａ，Ｓｂを縦列状態に連続してメッキ槽３４に投入する際に、一方電極にメッキ電流を供給するメッキ槽３４の入口側ローラＲ１，Ｒ２への電流を出口側のローラＲ３，Ｒ４への電流よりも大きくする。このようにすることで、ローラＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に供給されるメッキ電流がメッキ槽３４の入口側と出口側のローラ間でバランスがとれ、連続する長尺基板Ｓａ，Ｓｂの表面電極と陽極電極間で生じるメッキ電流のばらつきを無くしメッキ膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】連続搬送型めっき装置の搬送ベルト７に固定されたクランプ４の劣化を早期に発見して新しいクランプ４に交換する。
【解決手段】搬送ベルトに固定されて印刷配線板を保持するクランプのクランプ接点が印刷配線板と接触する接地面の形を各クランプ毎に変えることで、印刷配線板のめっき品質を検査する際に、その印刷配線板を保持してめっきを行ったクランプを特定できる印をクランプ接点の接触部分に形成し、劣化したクランプを特定できるようにすることで、劣化したクランプを早期に新しいクランプに交換でき、クランプを常に良好な状態に維持して、めっき品質を良好に維持する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑止しつつ均一なめっき膜を形成するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明による電気めっき装置は、ホルダ２０、めっき槽１０、電源７０、スイッチ回路２３とを具備する。ホルダ２０は、被めっき体４０を有する半導体ウエハ３０を保持する。めっき槽１０アノード電極５０を含むめっき液１００を保持する。電源７０は、被めっき体４０とアノード電極との間に定電圧を供給する。スイッチ回路２３は、電源７０に対して、被めっき体４０と並列に接続される。ホルダ２０は、スイッチ回路２３を介して電源７０に接続されるダミーカソード電極２２とを備える。ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。スイッチ回路２３は、ダミーカソード電極２２がめっき液１００に接した後に、電源７０とダミーカソード電極２２との接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】液漏れの発生を防止し、また通電用接点との十分な接触領域を確保しながら、エッジエクスクルージョンの幅を極力狭くして、１枚の半導体ウエハからより多くの半導体チップを製造することができるようにする。
【解決手段】半導体ウエハＷの周縁部に接触して該周縁部を水密的にシールするリング状のシール部を有し、シール部の円周方向に沿った所定位置、例えば半導体ウエハＷに設けられたノッチ部４に対応する位置や半導体ウエハＷの通電用接点９２との接触部に対応する位置に、内方に膨出する膨出部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度化されたプリント基板等のシート状製品に対しても、その搬送時に適切な案内が可能であって、かつ、不均一なメッキの発生を抑制できる製品ガイド装置を備えたメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】メッキが施される被処理物Ｗを垂直状態に保持しながらメッキ処理用タンク内を搬送するメッキ処理装置において、被処理物Ｗの搬送時に、被処理物Ｗを所定方向に案内する製品ガイド機構を設け、この製品ガイド機構は、メッキ処理用タンク内のメッキ液２０の液面上のフロート１２に接続され、液面の変化に追随して揺動する。製品ガイド機構をランダムに揺動させることで、被処理物Ｗの特定部位への電流を遮断しないようにして不均一なメッキ層が形成されるのを解消する。 （もっと読む）

本発明は、インライン設備における、セグメントの形態の平面状の製品１の電気的な接触に関する。この電気的接触は、上側の接触面９を乾燥状態に保持しかつ処理側の面１０を処理液１１に浸漬しながら、外部電流を印加することによって、製品の処理側の面１０に対して電解的処理および／または湿式化学処理を行うためのものである。上側および下側の輸送および／または接触手段を有する既知の輸送装置を用いることによって、処理液１１が、下側の手段から上側の手段に転移され、その結果、製品の上面が、多くの場合許容し得ない程に濡らされ、上側の接触子が電気めっきされる。従って、連続的な脱金属化が必要になり、多大の労力が要求される。本発明によれば、上側の接触子６の領域において液位が下げられる。従って、製品が接触子６の領域内に存在しない時にも、上側の接触子が濡らされることはあり得ない。これは、各接触子６に割り当てられる下降管５によって実現される。緊張解除された状態においても、接触子が処理液に触れることは全くないので、製品の上面は乾燥状態のままであり、接触子を脱金属化する必要はない。
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【課題】本発明はラックレス電気メッキの投入時に於ける被処理物の連続投入の終端にメッキが集中することを最小限に押え、従来の高精度レベルよりも大幅に精度を引上げることが可能となると共に擬似陽極化を防止して品質が安定するメッキ槽内の投入部に於けるメッキ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】メッキ槽２内の投入部を、メッキ処理するための電流高密度帯域Ａと区分して電流低密度帯域Ｂと成し、電流低密度帯域Ｂ内に被処理物１を上方から投入して予め待機していた被処理物１との間隔を所望の間隔に保持する投入工程と、該被処理物１を電流高密度帯域Ａ内に搬送すると共にその後端が電流低密度帯域Ｂと電流高密度帯域Ａの境に位置するように一時待機させる待機工程とが、繰返して行われるメッキ処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィルムの搬送速度を上げても、フィルムの汚れを低減させることができるフィルム支持装置及びめっき被膜付きフィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６０Ａと洗浄槽７０Ａとの間に感光ウエブ１８を空中搬送させる支持装置２００Ａが配置されている。支持装置２００Ａには、感光ウエブ１８の導電面１８Ａに接触する導電面支持ローラ２０２、２０４と、これらの間に感光ウエブ１８の裏面１８Ｂに接触する裏面支持ローラ２０６とが設けられている。導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６には、それぞれ洗浄装置２１０、２１２、２１４が配設されており、導電面支持ローラ２０２、２０４と裏面支持ローラ２０６の下部が洗浄液２１７に浸漬される洗浄液受け槽２１８、２２０、２２２と、洗浄液２１７の水面を一定に保つオーバーフロー堰２２６、２２８、２３０とが設けられている。 （もっと読む）