【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】ＣＯ２、分散促進剤及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、ＣＯ２は供給したままで、分散促進剤とＮｉめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部６０及びめっき槽６１が洗浄される。次に、ＣＯ２は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とＡｕめっき液が供給される。これにより混合分散部６０で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽６１においてめっきが行われて、Ｎｉ膜の上にＡｕ膜が積層した多層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽６１では、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽６１内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第１金属膜としてのＰｄ膜が形成されると、制御部８０は、ＣＯ２及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源６２のスイッチをオンにする。これにより、ＣＯ２及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽６１内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第１金属膜のＰｄ膜の上に、第２金属膜のＰｄ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】容器中の被処理物の体勢変化が大きい処理装置に用いても、容器から被処理物が飛び出すことのない容器を提供することを目的とする。
【解決手段】内容器４、外容器５．および蓋６を有する容器であって、内容器は、被処理物を収容する収容空間を有し、被処理物が通過することができない複数の孔によって収容空間が外部と通じている。外容器は、内容器を収容し、複数の孔を有する。蓋は、周辺部を内容器に支え、中央部を収容空間側に押さえて、内容器の収容空間を覆い、内容器と外容器とを一体化させる。 そうすることによって、被処理物を内容器の収容空間に収容し、収容空間を覆う蓋で内容器と一体化させた外容器を処理液中で回転させるような容器中の被処理物の体勢変化が大きい処理装置に用いても、内容器に蓋がされているので、容器から被処理物が飛び出すことがない。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡単にして、良好なめっきを行うことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】混合分散部６０には、ＣＯ２タンク２１、分散促進剤タンク４１及びめっき液タンク５１が接続されている。混合分散部６０は、めっき槽６１に接続されている。このめっき槽６１には、電解めっきを行うための一対の電極が設けられている。混合分散部６０は、ＣＯ２タンク２１からＣＯ２、分散促進剤タンク４１から分散促進剤及びめっき液タンク５１からめっき液を混合させて分散状態にし、めっき分散体を生成する。このめっき分散体をめっき槽６１に流し続ける。めっき槽６１では、電極に通電するとともに、供給されためっき分散体を排出し続けてめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させずに耐食性に優れたコーティング膜、コーティング膜で被覆された物品及び耐食性コーティング方法を提供する。
【解決手段】ＣＯ２及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行い、基板Ｗの表面にＮｉ膜を形成する。この電解めっきの完了後、Ａｕめっき液をめっき槽６１に供給して、無電解めっきを行う。すなわち、表面のＮｉと、Ａｕめっき液に含まれるＡｕとが置換されて、Ｎｉ膜上に、Ａｕ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 多層基板等のビアホールをめっきで充填する場合、高速に安定して均質な充填を行うことができる噴流めっき装置を提供する。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽１０の開口側に、被めっき物としての基板１の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部をカソード電極体として、前記カソード電極体とアノード電極体５に電流を付与してめっきする構成であり、アノード電極体５は噴流ノズルを兼ねている。また、噴流ノズルの噴射位置と基板１との距離が１５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲であり、且つアノード電極体５の基板１側への対向露出面積と、前記基板１のめっき液に接する対向面積の比が１：０．９〜１：１．１の範囲であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 被表面処理物の表面を電気化学的な方法により均一に処理することができる電気化学的表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 メッキ槽１０１中に、被表面処理部材である陰極１０５と、陰極１０５との間に所定の電圧が印加される対極の陽極１０６と、が配置され、陰極１０５と陽極１０６との間に設けられた円筒状の遮蔽部材１０２は、２個の電極間の電気力線を遮る電気力線遮蔽手段として作用し、攪拌子１０４の回転により、メッキ液１０３の金属イオンが陰極１０５に均一に供給される。 （もっと読む）

【課題】回転摺動部を有する電流導入端子から発生する微細粒子が精密部品であるセンサ等に与える影響を低減し、装置の稼働率及び生産性が高い半導体製造装置を実現できるようにする。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は摺動回転する部分を有する電流導入端子３を備え、電流導入端子３は、電源９と電気的に接続された固定電流端子１と、カソード電極５と電気的に接続された回転電流端子２と、回転電流端子２及び保持盤１５を回転させる回転軸２７と、回転軸２７を駆動するモータ等を収納したハウジング部材４とから構成されており、回転電流端子２は固定電流端子１と接した状態で回転する。固定電流端子１と回転電流端子２との接触面とエンコーダ２５と間には、固定電流端子１と回転電流端子２との接触面において発生する削れ屑６の飛散防止機構として、円盤状の飛散防止部材３１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】めっき処理及びそれに付帯する処理を連続的に行う各ユニット（機器）を同一設備内に効率的に配置して占有面積を減少させ、しかもめっき処理等に使用する薬品による基板の汚染を防止できるようにしためっき処理ユニットを提供する。
【解決手段】被めっき面を下向きにして基板を保持する基板保持部と、めっき液４５を保持するめっき室４９を有するめっき槽５０と、めっき室４９内に保持されためっき液４５に浸漬させて配置されるアノード４８とを有し、アノード４８は、めっき槽５０に引抜き自在に装着したアノード保持体５２内に保持されている。 （もっと読む）

【課題】小型でめっき液量が少なくて済み、半導体ウエハ等の被めっき基板面に均一なめっき膜を形成できるめっき装置を提供すること。
【解決手段】内部にアノード電極が配置されたアノード槽１０と、内部に被めっき基板がカソード電極として配置されたカソード槽１１を備え、該アノード槽１０とカソード槽１１をアノード電極と被めっき基板が所定の間隔で対向するように配置し、該アノード槽１０とカソード槽１１を開口が被めっき基板の形状と同一又は相似形の配管１２、又は複数の細管をその開口が被めっき基板の形状と同一又は相似形になるように束ねた配管で接続し、アノード槽１０及びカソード槽１１にめっき液を収容し、アノード電極と被めっき基板の間に所定のめっき電圧を印加するめっき電源Ｅを備えた。 （もっと読む）