【課題】基板の処理対象面に部材を接触させることなく基板を部分的に処理する方式を改良し、例えば、処理の均一性を向上させ、及び／又は、基板への異物の付着問題を軽減する。
【解決手段】基板処理装置１００は、第１面１２及び第２面１４を有する基板１０を液体１４５で処理する。基板処理装置１００は、基板１０の第２面１４と接触して基板１０を保持する基板保持部１６０と、基板１０の第１面１２の処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させ、基板１０の第１面１２の非処理対象領域１２ｂに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを区切る区切り部１２０とを備える。区切り部１２０は、基板１０の少なくとも第１面１２に接触しないように配置され、液体１４５をその周囲を取り囲んで保持する。 （もっと読む）

高度に制御された電着工程中に基板への電流配分を最良化させるよう、その形状が可変である動的形状アノードが開示されている。工程の改善された制御は基板全体にさらに均一な厚みの堆積物を提供し、サブミクロン特徴部のメッキ加工を改善する。そのようなアノードはサブミクロン構造部のメッキに特に有用である。アノードは金属イオン源を利用でき、カソードの近くに設置されて基板の汚染を最低限に抑える。アノード形状は堆積処理中に変更可能である。アノードは複数の同心領域を有することができ、それぞれは独立した電圧と電流で利用できる。
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【課題】ガスタービンエンジン構成部品を製作する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本方法は、構成部品の端縁１３６に近接させて、該構成部品との間にギャップ２１０が形成されるように非消耗シールド２０６を配置して、シールドとギャップとが端縁に近接して流体流れ絞りを形成するようにする段階と、構成部品に皮膜２０４が施工されるように、電解浴を通して陽極２０２から構成部品に電流を誘導する段階とを含む。構成部品の端縁１３６上のメッキ皮膜の厚さ２２０が構成部品の表面１２６、１２８全体にわたるメッキ皮膜の厚さと実質的に等しくなるように、前記構成部品に電気メッキする段階をさらに含む。 （もっと読む）

基板（２０１）を電気化学的に処理するためのプロセスツール（２００）が、銅の腐食が低減するように基板の近傍での酸素濃度および／または二酸化硫黄濃度を低下させるように構成される。１つの実施形態において、連続的な不活性ガスの流れを供給することによって、および／または、周囲雰囲気とのガス交換を低減させるカバー（２０１）を設けることによって、めっきリアクタを含むプロセスツール（２００）内に実質的に不活性な雰囲気が確立される。また、実質的に不活性なガス雰囲気は、個々のプロセスステップ間の要求された輸送ステップを含む基板の電気化学的処理に伴うさらなるプロセスステップ中に維持されてもよい。
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【課題】 カソード電極体及びその周辺部機構を改善することにより、被めっき物の品種切換毎に要するカソード電極体の交換部材の最小化、交換作業の簡素化を図る。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽１０の開口側に、被めっき物としての基板１の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部に接続したカソード電極体３０とアノード電極５間に電流を流してめっきする噴流めっき装置であり、カソード電極体３０は固定カソード電極部３１と給電電極部４０とに分割されている。固定カソード電極部３１はカソード固定支持部１５に支持され、給電電極部４０は昇降給電部４５で昇降自在に支持され、固定カソード電極部３１の基板１の導体部に接触する部分が少なくとも交換自在であり、昇降給電部４５の下降時に給電電極部４０が固定カソード電極部３１に接触して給電する。 （もっと読む）

互いに相対的に動くよう構成された第一のプレートと第二のプレートを有する整流子を提供する。プレートの一つは整流子への流体の流入を可能にする少なくとも一つの入力手段を有し、又、プレートの一つは整流子からの流体の流出を可能にする少なくとも一つの出力手段を有する。プレートの少なくとも一方は、少なくとも一つの入力部を少なくとも一つの出力部に接続する少なくとも一つの接続手段を有する。接続手段が入力手段を出力手段に周期的に接続できるように、プレートは互いに相対的に可動できるように構成されており、接続手段により入力手段と出力手段が周期的に接続される。本発明は、更に、本整流子を使用する電気メッキ方法にも関する。更に、本発明は、導体、及び多孔質の裏張りを有するガス多孔膜を備えた電極を有し、流体がこの間を流れることができるスペースを有する電極を開示する。更に、本発明は常温核融合の起動方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】剥離性が良好で、かつ湾曲のない金属メッキ膜を得ることができる、生産性に優れたメッキ膜形成装置を提供する。
【解決手段】メッキ液１９が注入されるメッキ槽１８と、表面の一部がメッキ液１９に浸漬されるように配置された回転可能な基体９と、基体９とメッキ槽１８の間に電界を印加する電界印加手段と、基体９の回転方向下流側に配置され、メッキ液１９より引き上げた基体表面上の金属メッキ膜８に被転写材を押圧する転写手段とを有し、メッキ槽１８に、基体９よりも正の電位に保持された第１の電位領域１８Ａと、該第１の電位領域１８Ａよりも基体９の回転方向下流側に位置し且つ基体９よりも負の電位に保持された第２の電位領域１８Ｂとを設けたメッキ膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】 複雑な構造を用いることなく、添加剤、特に埋め込み性に影響を及ぼすアクセラレーターの分解を十分に抑制することができるメッキ装置を得る。
【解決手段】 アクセラレーターが添加されたメッキ液を入れるメッキ槽と、含リン銅からなるアノードと、カソードとなる被メッキ基板を支持する支持部と、アノード近傍のメッキ液を加熱する加熱手段と、アノード近傍からカソード近傍へ流れるメッキ液を冷却する冷却手段とを有する。 （もっと読む）

めっき対象面全面に、より均一な膜厚のめっきを施すことができるカップ式めっき装置を提供する。めっき槽の開口端に設けられためっき対象物の載置部と、めっき槽内にめっき液を供給する手段と、めっき槽に形成されためっき液の流出口とを備えていると共に、当該流出口から流出しためっき液が流入する空洞部と、空洞部内のめっき液の放出口と、当該放出口から排出されためっき液の回収槽とを備えており、めっき槽内にめっき液を供給しながらめっき対象物にめっき処理を行うカップ式のめっき装置において、放出口の形状および／または開口面積を変更可能にした。空洞部の下流側に形成される放出口の形状および／または開口面積を調節できれば、これを調節することで、めっき対象面におけるめっきムラやめっきのバラツキの発生を抑制できる。
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【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部（ビア表面）の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１１の片面に銅箔１２を有するプリント配線板用基材の絶縁層１１に、底部に銅箔１２が露呈するようにあけられたビアホール１３を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔１２をめっき給電用陰極とし、ビアホール１３内に位置する針状の突出電極部５１を含む電極部材５０をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。 （もっと読む）