本発明は、金属層を導電性表面上の凹んだトポグラフィー特徴部に選択的に電気めっきするための方法および装置に関する。本発明の方法および装置は、金属回路パターンを製造するために、例えば、半導体ウエハの表面上の誘電体材料の薄層に埋め込まれた集積回路要素間に銅配線を形成するために有用である。
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【課題】被処理基板内の半導体チップを無駄にすることなく、被処理基板の面内において均一なメッキ層を形成することができる電解メッキ装置および電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ装置は、被処理基板１０の被メッキ面を浸すメッキ液５を収容する収容槽６と、被処理基板１０に含まれる複数の単位素子を区画するスクライブラインに接触するカソード電極４ａを備える給電手段４と、カソード電極４ａとの間で電圧が印加されるアノード電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗ上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法であって、めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去または低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理を行い、さらに第二のめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき液槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるめっき装置及びめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき液槽１１の内部に基板ホルダ１４に保持され配置された基板Ｗとアノード電極１５を配置し、基板Ｗの被めっき面にめっき液を噴射する単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズル１６を設置し、該めっき液噴射ノズル１６を基板Ｗに対して平行に往復動させるように構成した。 （もっと読む）

【課題】平板形状物を縦吊状態のまま処理槽の処理液中に確実かつ円滑に搬入させることができる平板形状物の表面処理方法および表面処理装置を提供する。
【解決手段】１対の溢出槽を各内側起立隔壁が搬送経路を挟み対面するようにして対向配設して下向流動液室と上向流動液室とを形成し、下向流動液室が上方側開口部から供給された処理液Ｑｓｐを下向きに連続流動可能でかつ上向流動液室が下方側から再供給された処理液Ｑｓｐを上向きに連続流動可能に形成し、回収槽と液再循環手段とを設け、平板形状物を搬入用開口部を通しかつ連続流動する処理液中に搬入可能で、処理済の平板形状物を搬出用開口部を通しかつ連続流動する処理液中から搬出可能でかつ下向流動液室内の搬送中に下向連続流動処理液を用いて表面処理可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質処理を確実に行うことができる平板形状物の表面処理装置を提供する。
【解決手段】前置干満槽１０ＮＦと後置干満槽１０ＮＢとを処理槽１０Ｎの前後に配設し、前置干満槽１０ＮＦに関する導入側ゲート開閉手段，前置側液供給手段および前置側液排出手段と、処理槽１０Ｎに関する搬入側ゲート開閉手段および搬出側ゲート開閉手段と、後置干満槽１０ＮＢに関する後置側液供給手段，後置側液排出手段および導出側ゲート開閉手段とを設け、これら手段を所定の手順に従って駆動制御する駆動制御手段を設け、平板形状物２００を大気中搬送により前置干満槽１０ＮＦに導入し、満液状態の前置干満槽１０ＮＦから液中搬送により処理槽１０Ｎに搬入しかつ表面処理後の平板形状物２００を満液状態の後置干満槽１０ＮＢへ液中搬送により搬出させ、その後に後置干満槽１０ＮＢから大気中を導出させかつ後方側に排搬送できるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 機械的手段により攪拌を行ないながら、皮膜物性の低下や、フィリング性の低下あるいはボイドを生じる等の問題のない酸性銅めっき手段を提供すること。
【解決手段】 機械的手段により攪拌を行う酸性銅めっき方法において、めっき液中の溶存酸素濃度を５ｐｐｍ以上に維持しながらめっきを行うことを特徴とする酸性銅電気めっき方法およびこの方法の実施に使用する酸性銅用めっき装置。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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【課題】 クランプ機構の定期クリーニングが不要な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ１０を保持するクランプ機構１１と、メッキ液２２を貯留するメッキ槽２１と、クランプ機構１１を回転させる回転機構２０と、メッキ処理が施されたウェハ１０に対して純水２７を噴射するノズル２６と、クランプ機構１１に対して純水３０を噴射するノズル２９と、クランプ機構１１に対してＮ_２３２を噴射するノズル３１とを備えたメッキ装置。 （もっと読む）

集積型光電気化学(photoelectrochemical, PEC)電池は放射により照らされている間に水素と酸素を水から発生させる。PEC電池は液状電解質、多接合型光起電性電極、そして、薄いイオン交換膜を用いている。PECシステムおよびこのようなPEC電池、PECシステムを作製する方法もまた開示されている。
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