【課題】ワーク端部のめっき膜圧が厚くなったり、焼けを生じたりすることのない垂直搬送式めっき装置を提供する。
【解決手段】平板状のワークＷを垂直に搬送してめっきする垂直搬送式めっき装置において、めっき槽１内にワークＷと対向する複数のアノード９、１０、１１を上下方向に並べて配置し、複数のアノード９、１０、１１相互間に絶縁材からなる遮蔽板１３、１４を水平に設け、各アノード９、１０、１１をアノードと同数の個別に運転されるめっき用電源装置にそれぞれ接続した。 （もっと読む）

【課題】ブラックフィルムの脱落を抑制し、アノードスライムの発生量を低減することができる電気銅めっき方法およびめっき欠陥のない優れた品質を有する電気銅めっき製品を提供する。
【解決手段】硫酸銅溶液からなる電解液２を収容しためっき槽１内に、アノードバック６で覆った含リン銅からなるアノード３を配置し、被めっき材からなるカソードと前記アノードとの間に電圧を印加して被めっき材に電気銅めっきする方法において、前記アノードバック６内の電解液をエアー、酸素でバブリングすることにより、電解液中の溶存酸素量が常に５ｐｐｍ以上になるように維持・管理する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理の際に用いられる陰極について、電解液中での耐食性に優れると共に、電気伝導性が良好で消費電力を低減することができるものを提供する。
【解決手段】陽極酸化処理用の陰極に供される電極において、アルミニウム又は銅からなる電極基材と、前記電極基材の少なくとも接液面を被覆する銀からなる被覆層と、からなることを特徴とする電極である。この電極は、被覆層表面に、更に、白金族金属を被覆することで電極の水素過電圧をより低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに多孔質層を形成するための陽極酸化中に、被処理基板への汚染を簡易な方法で防止することができ、良質な多孔質層を効率的に形成することができる陽極酸化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電解質溶液中で陽極と陰極の電極間で通電して前記電解質溶液中に配置された被処理基板に多孔質層を形成する陽極酸化装置であって、前記電極は少なくとも金属電極部材が非金属電極部材で覆われた構造を有するものである陽極酸化装置。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の製品を経済的に、しかも作業性よく効率的に製造可能な陽極表面酸化物の排出装置及びその排出方法を提供する。
【解決手段】竪型めっき用タンク１２内のめっき浴１３中に連続的に浸漬される鋼帯１５の両面に、それぞれ間隔を有して対向配置した鉛製の不溶性陽極１６、１７に設けられ、電解めっきの際に不溶性陽極１６、１７から生成し脱落した鉛系酸化物を竪型めっき用タンク１２内から排出する陽極表面酸化物の排出装置１０及びその排出方法であり、保護カバー２４を、不溶性陽極１６、１７の鋼帯１５との対向面側に、下端部を開放させた状態で取付け固定し、保護カバー２４と不溶性陽極１６、１７の間から下方へ落下する鉛系酸化物を、不溶性陽極１６、１７の下方に設けられた回収箱２５により受ける。 （もっと読む）

【課題】人手を要しなくても陰極棒の接触位置が変更されて筒袋状ワークの表面に接点跡が残ることのないめっき処理用治具を提供する。
【解決手段】筒袋状ワークのめっき処理時に筒袋状ワークを保持するめっき処理用治具１は、仮に想定する仮想円筒ＣＣの外面８１の一部に接するように形成された当接面３２を備えた接点部３３を仮想円筒の軸心方向から見たときに周方向に異なる位置に複数有する陰電極部と、陰電極部を仮想円筒の軸心回りに回転させるための回転伝達装置と、を有し、複数の接点部は、保持対象である筒袋状ワークが隣り合う２つの接点部における当接面の間を通過しないように配されている。 （もっと読む）

【課題】人手を要しなくても陰極棒の接触位置が変更されて円筒袋状ワークの表面に接点跡が残ることのないめっき処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る筒袋状ワークのめっき処理用治具１は、円筒袋状ワークＷの内方に差し入れられ円筒袋状ワークの軸心方向を回転軸として回転可能な陰電極２１を有し、陰電極は、円筒袋状ワークの内面に当接することにより円筒袋状ワークを保持して円筒袋状ワークを回転可能に形成され、かつ円筒袋状ワークを保持したときに円筒袋状ワークを常に陰極とするための接点部３４を有する。 （もっと読む）

【課題】バンプ付きメンブレンリングの数十μｍの微小なニッケルバンプを電気めっきにより多数形成する場合において、均一なサイズで形成する方法の提供。
【解決手段】ソーダライムガラスの微細な粒子を焼結させて形成した、孔径が０．５μｍ以下の微細孔を有する無機多孔質体からなる板状のフィルター１７を、処理槽１１に、陰極１３のメンブレンリングと平行になるように設置し、電気めっきを行う。これにより、サブミクロン程度の大きさのニッケル粒子からなるスライムが、陰極１３側へ拡散することを良好に防止することができ、均一なニッケルバンプ２６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）