【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】粒子線又はエネルギー線等の照射精度が向上し、位置あわせも容易になる走査照射装置のステージ位置合わせ方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットをステージに置くと共に、粒子線又はエネルギー線を走査状に当該ターゲットに照射する走査照射装置のステージ位置合わせ方法であって、前記ステージの端に平行線を描き、前記位置合わせするもう片方にも同じ幅の平行線を描いておき、前記粒子線やエネルギー線を平行線状に照射してモアレ縞を出し、前記モアレ縞が一致することで前記位置あわせを行うことを特徴とする走査照射装置のステージ位置合わせ方法。 （もっと読む）

【課題】 間隙の広がり半径に応じて割れ目の表面積Ｓを的確に評価する。
【解決手段】 自然状態のラドンの濃度［Ｒｎｎ］とラドンフラックスの理論値Ｆｎにより間隙の幅ｗｎを求め、水を循環させた際に水に放出されたラドンの濃度［Ｒｎ］と間隙の幅ｗｎ及び容器の体積Ｖ、容器の表面積Ｓ、及び、容器のラドンフラックスＦにより、間隙の広がりの半径ｒを求めてディスクモデルに置き換えた広がりを求め、間隙の広がりの半径ｒに基づいて間隙の表面積Ｓ（＝２πｒ^２）を評価する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】
パターン直上から撮像されたＳＥＭ画像を用いる計測で、レジスト膜減りなどのパターン高さ変化が発生しても、その断面形状を正確に計測できるようにする。
【解決手段】
荷電粒子線装置を用いて試料上に形成されたパターンの形状を計測する方法において、収束させた荷電粒子線を試料上に照射して走査することにより試料から発生する二次荷電粒子を検出して試料表面に形成されたパターンの荷電粒子線画像を取得し、予め求めておいたパターンの高さとこのパターンの荷電粒子線画像の情報との関係に基づいて取得したパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの高さ情報を求め、この求めたパターンの高さ情報を用いてパターンの荷電粒子線画像の情報からパターンの寸法を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンの第１の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第１の部分に相当する領域にビームを走査して第１の測定値を取得し、前記第１の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第２の部分に対し、ビームを走査して第２の測定値を取得し、当該第２の測定値から前記第１の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】機械構成部品の近接度を測定する方法の提供。
【解決手段】マイクロ波センサ組立体１１０は、少なくとも１つのマイクロ波信号を生成するための信号ジェネレータ２１８と、前記信号ジェネレータに結合された放射源２０６と、を含む。放射源は、少なくとも１つのマイクロ波信号から電磁場を生成するように構成され、負荷信号が生成されるように物体が電磁場内に配置されたとき、放射源は離調する。マイクロ波センサ組立体は、放射源と信号ジェネレータとに結合された検出器２１４も含む。検出器は、放射源までの物体の近接度を測定するうえで使用するために負荷信号の一次周波数における負荷信号の振幅、位相、および電力の少なくとも１つを算出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】センサ組み立て体内の電磁放射を低下させ、信号強度の低下を防止する。
【解決手段】センサ組立体１１０内で使用するセンサプローブ２０２は、少なくとも１つのマイクロ波信号から少なくとも１つの前方伝播電磁場２２４を生成し、少なくとも１つの後方伝播電磁場２２８を生成するように構成された放射体２０６と、放射体に結合されたデータ管路２０４からなり、データ管路２０４周りにほぼ円周方向に延び、センサ組立体内の電磁放射を大幅に低下させるように構成された接地導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を利用し測定範囲を広げると共に、その高い周波数特性により、測定精度を上げる。
【解決手段】センサアセンブリ１１０を備え、センサアセンブリ１１０は、少なくとも１つのマイクロ波信号から、少なくとも１つの電磁場２０９を発生させるマイクロ波エミッタ２０６を備える少なくとも１つのプローブ２０２であって、部品が少なくとも１つの電磁場と相互作用すると、マイクロ波エミッタに負荷が生じるプローブと、マイクロ波エミッタに結合されたデータコンジット１１５であって、負荷を表す少なくとも１つの負荷信号が、マイクロ波エミッタからデータコンジット内に反射されるデータコンジットと、少なくとも１つの負荷信号を受信し、部品を監視するのに使用される電気出力を生成するように構成された少なくとも１つの信号処理器２００とを備える、部品１０４の監視システム。 （もっと読む）