【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ（４０）において、第１の電歪材料層（１）およびその両面に各々配置された一対の電極（３ａ、３ｂ）より構成される第１の電歪素子（１０）と、第２の電歪材料層（１１）およびその両面に各々配置された一対の電極（１３ａ、１３ｂ）より構成される第２の電歪素子（２０）と、これら電歪素子間に挟持された基材（２５）とを含む受感部（３０）を設ける。受感部（３０）は、外力の作用を受けることにより変形である。第１および第２の電歪材料層（１、１１）の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線（５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ）が接続される。第１および第２の電歪材料層（１、１１）は、１０μｍ以下の厚みおよび２０以上の比誘電率を各々有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高速にスイッチ素子の切り替えを行ったとしても、センサを幅方向に区画した部分センサ領域の電気抵抗を高精度に計測することができる変形センサシステムを提供する。
【解決手段】制御回路６０は、切り替え前における計測回路５０による計測対象の部分センサ領域１２ａと切り替え後における計測回路５０による計測対象の部分センサ領域１２ｃとの間に、少なくとも一以上の他の部分センサ領域１２ｂが介在するように、ハイサイドスイッチ素子３０ａ〜３０ｆおよびローサイドスイッチ素子４０ａ〜４０ｆを順次切り替える。 （もっと読む）

【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ１０が備えている配線構造体２０は、ベース層２２、導電層２４、及びカバー層２６を積層させたものである。ベース層２２及びカバー層２６は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層２２の表面には、断面形状が波形の凹凸部２８が形成されており、この凹凸部２８の上に導電層２４が積層されている。 （もっと読む）

【課題】インバータユニットのケースの変形を迅速に検出可能な被破壊センサを提供することを課題とする。
【解決手段】被破壊センサ１は、センサ取付面とセンサ押圧面との間に介装され、母材が樹脂であって脆性および導電性を併有する被破壊部と、被破壊部とセンサ取付面との間に介装され、センサ取付面との間に被破壊部が破壊される際のストロークを確保する複数の支持部と、を有する被破壊部材を備える。被破壊センサは、外部からケースに荷重が入力される際、センサ取付面とセンサ押圧面との間の間隔が短くなり、センサ取付面に支持部が当接した状態で、センサ押圧面から押圧力が加わることにより被破壊部が破壊され、被破壊部の破壊前後において電気抵抗が変化することを基に、ケースの変形を検出する。 （もっと読む）

【課題】歪抵抗薄膜全体としてのＴＣＲ値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜１０、２０であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜１１、２１と、第一の薄膜１１の両主面のうち第一面１１１または第一面２１１と第二面２１２に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのＴＣＲ値［ｐｐｍ・Ｋ^−１］が第一の薄膜より小さい第二の薄膜１２、２２、２３とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜１２、２２の一つが上記積層膜の表出面Ｓとして表出している歪抵抗薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子１１、１２、１３、１４と、温度補償素子１７、１８と、を一体に形成して成るひずみゲージ１０であって、前記温度補償素子１７、１８が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子１１と、副ひずみを受感する素子１２および１３と、で形成されるひずみゲージ１０であって、前記主ひずみを受感する素子１１と一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３とが各々直交する２方向から成り、前記主ひずみを受感する素子１１の左右に一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子１２および１３方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】筒状の第１の電極と、この第１の電極の内側へ進退可能とされた棒状の第２の電極とを備えた歪計において、第２の電極を強固に支持できるようにする。
【解決手段】歪計１０は、筒状に形成された第１の電極１２ａと、第１の電極１２ａの内側へ進退可能とされ、第１の電極１２ａとともにコンデンサを構成する棒状の第２の電極１２ｂと、第１の電極１２ａを支持する第１のケーシング１４ａと、第２の電極１２ｂを支持する第２のケーシング１４ｂと、を備え、第２のケーシング１４ｂの脚部１６ｂは、第２の電極１２ｂの軸方向に、ケーシング本体１５ｂの中間部から第１の電極１２ａと反対側の端部近傍まで延出している。 （もっと読む）

【課題】空間分解能が高く、高精度な計測を可能にする曲げセンサーを提供する事。
【解決手段】曲げセンサーは、可撓性を有する基板に第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとを備え、第一薄膜トランジスターはＮ型第一薄膜トランジスターとＰ型第一薄膜トランジスターとが直列接続しており、両トランジスターのソースドレイン方向は直交し、第二薄膜トランジスターはＮ型第二薄膜トランジスターとＰ型第二薄膜トランジスターとが直列接続しており、基板は可撓領域と非可撓領域とを含み、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとは差動トランジスター対をなし、第一薄膜トランジスターは可撓領域に形成され、第二薄膜トランジスターは非可撓領域に形成されている。薄膜トランジスターはマイクロメーター単位で形成できるため、空間分解能が数マイクロメーターと極めて高く、高精度に計測可能な曲げセンサーを実現できる。 （もっと読む）

【課題】障害者、人型ロボットの身体挙動を検知するシステムに使用される引張変形検知布において、編物又は織物の伸縮を静電容量の変化として検出することにより、検知システムとしての消費電力を抑制する。
【解決手段】複数の導電糸１１を含んで構成された織物１０を一方向に伸縮自在にすると共に、その伸縮に伴って導電糸１１の隣接するもの同士の間隔が変化し、その隣接する導電糸同士間は絶縁状態が維持されるように構成され、隣接する各導電糸１１の端部が静電容量を測定するための一対の電極１３，１４とされている。織物１０の伸縮を静電容量として検出するため、導電糸１１には電圧は印加されても電流は流れず、この部分での消費電力はゼロとすることができ、検知システム全体としての消費電力を抑制することができる。 （もっと読む）