国際特許分類[H01L21/203]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073) | 物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング (536)
国際特許分類[H01L21/203]に分類される特許
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酸化物半導体膜及び半導体装置
【課題】より安定した電気的特性の酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、当該酸化物半導体膜は、a−b面が酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、a−b面が該酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、を有する酸化物半導体膜である。
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半導体素子の製造方法
【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板110上にn型半導体およびp型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲット(第1ターゲット21および第2ターゲット22)を、V族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板110上にIII−V族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。
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シリコン層転写用基板及び半導体基板の製造方法
【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第1の基板であるシリコン基板12と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも1層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層14と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第2の基板に転写される転写用シリコン層16と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板10。
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マルチチャンバー型真空処理装置
【課題】 真空排気系が簡素化された、しかもコストの安いマルチチャンバー型真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 被処理物1を搬入・搬出するロードロック室3と前記ロードロック室3及び所定の処理をするプロセス室4と、該プロセス室4に隣接して、前記被処理物1を前記プロセス室4との間で搬送するセパレーション室5を備えたマルチチャンバー型真空処理装置であって、真空排気装置として、前記プロセス室4には粗排気装置だけを備え、前記セパレーション室5には高真空排気装置と粗排気装置を備えている。
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半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法
【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がNb2O5単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料(1)は、一般式Ge100−x−yNbxOy(ただし、70≦x+y≦98、20≦x≦28、50≦y≦70であり、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子(2)としてのGe相がマトリクス(3)としてのNb2O5相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において500〜800℃で熱処理して結晶化することにより製造される。
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プラズマ処理用マグネトロン電極
【課題】異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。
【解決手段】カソードケース101の開口部にバッキングプレート103を設け、その上にターゲット102が設けられ、カソードケースの中央部に主磁石105がターゲット側がS極の向きで設けられ、主磁石を取り囲むように補助磁石106がN極向きで設けられる。第二電極104を、第一電極101,102,103の外側磁極111の内側端部よりも外側か、または磁束密度の低い部分にのみ設ける。
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半導体装置の製造方法
【課題】高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、III族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。
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薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、センサ及びX線デジタル撮影装置
【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPo2depo(%)とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をPo2anneal(%)としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Po2anneal(%)が、−20/3Po2depo+40/3≦Po2anneal≦−800/43Po2depo+5900/43の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。
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酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
【課題】薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.05〜0.08であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、In2O3のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。
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真空蒸着装置
【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ103aは、基板20を保持する一方面S1と、一方面S1と反対の他方面S2とを有する。またホルダ103aには、平面視において基板20の一部と重複する領域において開口部OPが設けられている。蒸着源120はホルダ103aの一方面S1に対向している。ヒータはホルダの他方面S2に対向している。固定具60は、ホルダの一方面S1上に固定され、一方面S1との間で基板20を挟むことによって基板20を固定している。
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