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国際特許分類[H01L21/28]の内容

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【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第1トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第1コンタクトを備える。基板1上には、層間絶縁層4、5が設けられている。第1トランジスタ3aは、半導体基板1に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第1トランジスタは、少なくともゲート電極32及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子19は、多層配線層内に設けられている。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、ゲート電極32の上面と接しており、層間絶縁層4内に埋設されている。第1コンタクト10aは、第1トランジスタ3aの拡散層に接続しており、層間絶縁層4内に埋設される。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、第1コンタクト10aと同じ材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ(HEMT)、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ(MISFET)あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路(IC)デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ICデバイスは、基板102上で形成されたバッファ層104と、アルミニウム(Al)と窒素(N)とインジウム(In)またはガリウム(Ga)の少なくとも1つを含み、バッファ層104上に形成されたバリア層106と、窒素(N)とインジウム(In)またはガリウム(Ga)の少なくとも1つとを含み、バリア層106上に形成されたキャップ108層と、キャップ層108に直接連結され、その層上に形成されたゲート118と、を含む。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第1の電極層および第2の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を高めることが可能な、新規かつ改良された光電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1導電型を有する半導体基板に前記第1導電型と異なる第2導電型を有する第1ドーピング物質層DP1を形成する先蒸着段階と、第1ドーピング物質層DP1が形成された前記半導体基板を加熱する熱拡散段階と、前記熱拡散段階後、第1ドーピング物質層DP1上に、前記第2導電型を有する第2ドーピング物質層DP2を形成する後蒸着段階と、前記半導体基板、第1ドーピング物質層DP1及び第2ドーピング物質層DP2の一部をレーザLで局所加熱し、前記半導体基板の第1面上にコンタクト層を形成する局所加熱段階と、前記コンタクト層上に第1電極を形成し、前記半導体基板の前記第1面と対向する第2面上に第2電極を形成する段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
(A)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、(B)銅イオン供給源、及び(C)アンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5〜8であり、(C)アンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源の(B)銅イオン供給源に対する配合比(モル比)が0.1〜20である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 (もっと読む)


【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト7、無機材料の中間層8、上層フォトレジスト9を形成し、上層フォトレジスト9をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板1をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第1反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第1反応ガスを第2反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層8をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第2反応ガスを第3反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層7をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】Cu配線内における空孔の集中を抑制することでCu配線内でのボイドの形成を抑え、例えば2層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置10は、半導体層12、絶縁膜17、ゲート電極22、ドレイン電極19およびソース電極20、を具備する。半導体層12は、半絶縁性半導体基板11上に形成され、表面に、側壁が傾いたテーパ状のリセス領域18を有する。半導体層12は、活性層14を含む。絶縁膜17は、半導体層12上に形成されたものであり、リセス領域18を全て露出する貫通孔21を有する。貫通孔21は、側壁がリセス領域18の側壁の傾き角θ1より小さい角度θ2で傾いたテーパ状である。ゲート電極22は、リセス領域18および貫通孔21を埋めるように形成されたものである。ドレイン電極19およびソース電極20は、半導体層12上のうち、リセス領域18を挟む位置に形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】メモリデバイス中の酸素拡散バリアとしてRuおよび/またはRuO2を選択的に形成する方法と、そのようなRu系拡散バリアを有するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】MIMキャパシタ構造を形成する方法は、導電性の下部電極プラグ33を露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのRu成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にRu50を選択成長させる工程と、選択成長したRu50を酸化する工程と、酸化したRu50の上にRu含有下部電極60を堆積する工程と、Ru含有下部電極60の上に誘電体層70を形成する工程と、誘電体層70の上に導電性の上部電極71を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 (もっと読む)


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