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国際特許分類[H01L21/683]の内容

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機械的手段を使用するもの,例.チャック,クランプ,またはピンチ

国際特許分類[H01L21/683]に分類される特許

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【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを1cm以下のクリアランスで対向させる工程と、50〜100℃、10000Pa以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを0.1〜1MPaの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において100gf/5mmφ以上である半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Yを主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、AlまたはYを主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Y、Al、SiOおよびZrOから選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなる多結晶セラミックス接合体。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30は、被処理ウェハWを第1の温度に調節する温度調節機構124を備え、且つ当該被処理ウェハWを保持する第1の保持部110と、支持ウェハSを第1の温度よりも高い第2の温度に加熱する加熱機構141を備え、且つ当該支持ウェハSを保持する第2の保持部111と、少なくとも第1の保持部110又は第2の保持部111を相対的に移動させる移動機構150と、を有している。 (もっと読む)


【課題】外縁部に切欠部を有する板状部材を吸引して支持し、その減圧状態から切欠部の位置を認識することのできる支持装置及び支持方法、切欠部を基準として板状部材に貼付された接着シートを剥離するシート剥離装置及び剥離方法、切欠部を基準として板状部材に接着シートを貼付するシート貼付装置及び貼付方法、を提供する。
【解決手段】板状部材WFを支持する支持面14を備えたテーブル16と、支持面14に設けられて板状部材WFの外縁部を吸引する吸引手段17を含む吸引手段19と、吸引手段17の減圧状態を検出する検出手段22とを含んで支持装置11が構成されている。この支持装置11の上方に剥離用テープPTを板状部材WFに貼付された接着シートASに貼付するシート保持手段12を設けてシート剥離装置が構成されている。シート保持手段12は、板状部材WFに設けられた切欠部20、21を基準として、剥離開始位置を決定し、当該剥離開始位置から接着シートを剥離するようになっている。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィ装置においてウェーハの露光前の熱調整を改善または簡易化する。
【解決手段】 リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板テーブルを受けるように構成された区画と、露光対象の基板を受け取り、かつ該基板を熱調整するように配置された熱調整ユニットと、熱調整された基板を基板テーブルへ移送するように構成された移送システムと、を備え、基板テーブルおよび熱調整ユニットは、少なくとも熱調整された基板が熱調整ユニットから基板テーブルへ移送される間、リソグラフィ装置の前記区画内に配置される。 (もっと読む)


【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー13は、一端部が基板支持面45に導通する接地軸53の他端部に接続され、接地軸53を接地電位に切替えるリレー回路61と、接地軸53の一端部のキャップを基板支持面45に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね59と、接地軸53の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね59の付勢方向に伸縮するベローズ57と、圧縮コイルばね59の付勢方向で狭持されるOリング63とを備えている。この構成により、接地軸53が熱膨張しても基板支持面45との導通を確保できる。 (もっと読む)


【課題】基板保持部品の交換に掛かるコストの削減を実現できると共に半導体製造のスループットを向上させることができるサセプタ及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面をその下方の反応ガス流路に臨ませて基板の表面に半導体膜を気相成長させるフェースダウン型の半導体製造装置に用いられるサセプタにおいて、基板を支えるツメ部品が着脱自在に設けられるものである。 (もっと読む)


【課題】大型の被露光材を露光するために、複雑且つ高コストの露光機構を要することなく、露光に使用するマスクのコストを抑えることである。
【解決手段】本発明に係る露光装置は、光源からの照射光を遮断する遮光領域と照射光を透過させる透光領域とを金属板に形成した複数のメタルマスクと、光源と搬送された被露光材との間に、複数のメタルマスクを保持するマスク保持部とを備える。マスク保持部は、同一平面上に並置された複数のメタルマスクを、隣り合うメタルマスクの各端部が互いに接触するように、連結して保持するものであり、複数のメタルマスクは、並置且つ連結されることによって全体として1個のメタルマスクを構成すると共に、マスク保持部に対して、それぞれ個別に着脱できるものである。 (もっと読む)


【課題】基板載置装置を用いて基板を位置決め状態で載置する基板載置方法を提供する。
【解決手段】リフトピン8を上昇させるとともに、基板除給材部20を駆動させて基板17を作業開始位置に向けて搬入開始するステップと、基板17を基板テーブル6の作業開始位置の直上に位置させて基板17の搬入を完了させ、基板保持アーム21を下降させて基板17をリフトピン8上に載置するステップと、基板保持アーム21の後退を開始するとともに第1のカメラ75aにより基板17の位置を検出し第1補正量を計算するステップと、リフトピン8を下降させるとともに、第1補正量に基づき基板17の位置を補正する第1位置補正ステップと、基板テーブル6に基板17を吸着するステップと、第2のカメラ75bにより基板17の位置を検出し第2補正量を計算するステップと、第2補正量に基づき基板17の位置を補正する第2位置補正ステップと、を含む基板載置方法。 (もっと読む)


【課題】内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。
【解決手段】当該サセプタ10は、上面24、および当該上面24と反対の下面26を有する本体20を備える。当該サセプタ10は、当該上面24から当該本体20に仮想の中央軸22に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハ12を受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタ10は、当該本体20を貫通し凹部から下面26まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタ10は、本体20から中央軸22に沿って凹部から下面26まで延びる中央開口部を有する。 (もっと読む)


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