【課題】半導体チップに付された情報を確実に読み取ることのできる、半導体装置、半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の情報読み取り方法を提供する。
【解決手段】集積回路が形成され、印字面を有するチップと、前記印字面の一部の領域に印字された印字部とを具備する。前記印字部は、超音波探傷を用いて前記印字面における他の領域と区別可能な材料により、形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部端子電極とシールド層とが電気的にショートすることを防止することが可能な電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】複数の電子部品１２、１３を実装した複数の電子部品モジュール１００が形成された集合基板の表面を封止樹脂にて封止し、電子部品モジュール１００の境界部分に集合基板を切断する位置まで切り込まれている切り込み部と、切り込み部における集合基板の裏面側から所定の位置まで絶縁樹脂を付加したマスキング部とを形成する。集合基板を封止した封止樹脂の天面及び切り込み部を導電材料で被覆し、集合基板を個々の電子部品モジュール１００に個片化し、電子部品モジュール１００の天面と側面の一部にシールド層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】チップ状ワーク自体には損傷をほとんど又は全く与えずに、優れたレーザーマーキング性でレーザーマーキングを行うことができるフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】
ウエハ接着層とレーザーマーク層とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層は波長：５３２ｎｍの光線による光線透過率が４０％以上であるとともに、前記レーザーマーク層は波長：５３２ｎｍの光線による光線透過率が４０％未満であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム、あるいは、ウエハ接着層とレーザーマーク層とを含む多層構造を有しており、且つ前記ウエハ接着層は波長：１０６４ｎｍの光線による光線透過率が４０％以上であるとともに、前記レーザーマーク層は波長：１０６４ｎｍの光線による光線透過率が４０％未満であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】電磁（ＥＭ）妨害あるいはＥＭＩに対してある程度の保護を具備し半導体装置において、半導体ウエハからダイを低コストで形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイ１２，１３，１４は、傾斜したサイドウォール３５，３６，３７を有するように輸送テープあるいはキャリヤ・テープ３８上に形成される。この傾斜サイドウォール上、および、底部表面上に導体４０が形成される。導電材料である導体４０は、ダイ１２−１４に対しＥＭＩからの保護を提供する。 （もっと読む）

【課題】電磁（ＥＭ）妨害あるいはＥＭＩに対してある程度の保護を具備した半導体装置において、低コストで、半導体ウエハからＥＭ保護の施されたダイを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイ１２，１３，１４は、傾斜したサイドウォール３５，３６，３７を有するように形成される。この傾斜サイドウォール上、および、半導体ダイの底部表面上に導体４０が形成される。導電材料である導体４０は、ダイ１２−１４に対しＥＭＩから保護する。 （もっと読む）

【課題】電源プレーンと内部回路とを接続パッドを介して接続する、接続経路のインピーダンスに応じた適切な放電能力の保護回路を有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路１ａは、半導体チップ１０ａと、半導体チップ１０ａに電位を供給するパッケージ２とを有し、半導体チップ１０ａは、内部回路と、接続パッドと、内部回路と接続パッドの間に接続され、内部回路を保護する保護回路とを有し、パッケージ２は、外部端子と、パッケージ２と半導体チップ１０ａを接続するための内部端子と、電源プレーンと、電源プレーンと内部端子とを接続する第１の配線と、内部端子と接続パッドとをそれぞれ接続する複数の第２の配線とを有する。保護回路の放電能力の大きさは、電源プレーンと接続パッドとの接続経路である、第１の配線、内部端子および第２の配線のインピーダンスに応じて設定される。 （もっと読む）

【課題】
低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
平板状の電子部品に接続されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板とを含む、電子部品用パッケージであって、前記シールド板は、前記リードフレームに含まれる複数のリードのうち、所定電位のリードによって保持される。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の駆動用の配線レイアウトの制約が小さく、不要輻射によるＥＭＩを低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールを提供する。
【解決手段】被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部１１が一方の面に設けられた撮像デバイスチップ１０と、透明材料で形成され画素部１１を保護するために撮像デバイスチップ１０の一方の面に貼り付けられたサポート材２０と、を有する撮像デバイスであって、サポート材２０の撮像デバイスチップ１０との接合面に、画素部１１を囲うように設けられたシールド電極２２と、光電変換素子の駆動用の配線パターン１３とは独立して撮像デバイスチップ１０に形成され、サポート材２０が撮像デバイスチップ１０に貼り付けられることによりシールド電極２２と当接したＧＮＤパッド１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小さなスペースで多くの情報を示すことができ、しかもコストの削減に寄与できる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージ１は、外部端子を備える半導体パッケージであって、半導体パッケージ１の外部端子搭載面の全部又は一部は、Ｎ行、Ｍ列の各交点の全てにＰ種類の外部端子２を備え、Ｐ種類の外部端子２は、半導体パッケージ１に付与する情報に応じて配置されている。このとき、Ｐ種類の外部端子２は、色、つや、組成、形状、大きさ、構造のうち、少なくとも一つが異なる。 （もっと読む）

【課題】熱電気冷却装置（ＴＥＣ）に設置される基板上のセンシティブなデバイスに係り、熱電気冷却装置の駆動電流による電磁場の変動に対して耐性向上を図ることができるデバイス設置構造を提供する。
【解決手段】デバイス１２を搭載する基板１１と、駆動電流によって駆動される低温部３と高温部を有し、基板１１が低温部３に実装される熱電子冷却装置１と、デバイス１２と熱電子冷却装置１との間の基板１１に設けられて、熱電気冷却装置１の駆動電流によるデバイス１２への電位変動を防止するシールド１３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）