【課題】多数の接続パッドを有する回路素子が実装される薄型の基板を備えると共に、装置全体の剛性が確保された回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、基板１２と、回路基板１２の上面に実装された信号処理用素子１６等の回路素子と、回路素子を包囲するように基板１２の上面に配置されたケース材１４とを主に備えている。更に、基板１２の下面に設けられる外部接続バンプ３２の一部は、ケース材１４の側面部１４Ｂと重なりあう箇所に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ヒート・シンクに対する低コストの電気的アースを提供する。
【解決手段】電子デバイスが、基板１６５に取り付けられた集積回路（ＩＣ）パッケージおよびＩＣパッケージ１５０に取り付けられたヒート・シンク１５５を含む。電子デバイスはまた、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜１６０Ａ、１６０Ｂを含む。電子デバイスを製造する方法は、ＩＣパッケージを基板に接続することと、ヒート・シンクをＩＣパッケージに結合することと、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびＩＣパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材３１上に粘着剤層３２を有するダイシングテープ３と、粘着剤層３２上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム２とを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルム２が、樹脂成分全量に対して５０重量％未満の熱可塑性樹脂成分と熱硬化性樹脂成分とを含む樹脂組成物により形成されている。フリップチップ型半導体裏面用フィルム２は、着色されていることが好ましい。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップボンディング時に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】通信モジュールの高周波配線が周囲からのノイズに影響されることを防止できる。
【解決手段】本発明は、基板キャリアと、基板キャリア上に設けられた高周波配線基板と、高周波配線基板を挟んで、高周波配線基板の配線方向に対向して設けられている一対の側面部材と、一対の側面部材上に、少なくとも一部が高周波配線基板と重なって設けられている直流配線基板とを備えていることを特徴とする通信モジュールである。 （もっと読む）

【課題】
自動機によってトレーの収納用ポケットに収納しようとするボールグリッドアレイ型の半導体集積回路のコーナ部分が収納用ポケット内底面における凹部内のコーナ部分に落ち込んだ場合でも、同半導体集積回路をポケット内の適正な収納位置に補正できる半導体集積回路用トレーを提供できるようにする。
【解決手段】
半導体集積回路用収納トレー１の収納用ポケット２内に有する凹部５に、内方に向かって下傾するテーパ状の内側面９を形成し、かつ、各々隣接するテーパ状の内側面９のコーナを湾曲線で接続するテーパ状の湾曲面１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】特別な回路や部材を必要とせず、ＥＳＤから面発光素子を保護することができる光送信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の表面に形成したカソード電極２とアノード電極３に、面発光素子４の底面に設けたカソード側バンプ５とアノード側バンプ６をそれぞれ対応するように接続するに際し、絶縁基板１の表面と面発光素子４の底面とを平行に対面させつつ、絶縁基板１に面発光素子４を載置、実装する光送信モジュールの製造方法であって、カソード側バンプ５とアノード側バンプ６のうち一方のバンプの長さを他方のバンプの長さに比べて長く形成し、その長く形成した一方のバンプを、他方のバンプよりも先に対応する電極に接触させる方法である。 （もっと読む）

【課題】マークの認識が容易になるようにでき、マークを形成しても基板本体への悪影響を防止することが容易であるマーク付き回路基板を提供する。
【解決手段】基板本体１２の主面１２ａに積層された少なくとも２層の第１及び第２の金属層３６，３２を含む導体パターン３０は、外部から認識できるマーク部２０を有する。マーク部２０は、基板本体１２とは反対側の第１の金属層３６の表面３６ａから基板本体１２側の第２の金属層３２まで開孔２２が形成され、開孔２２は第１の金属層３６を貫通し、開孔２２の底面２２ａが第２の金属層３２により形成される。開孔２２の底面２２ａを形成する部分の第２の金属層３２の反射率と、開孔２２に隣接する部分の第１の金属層３６の表面３６ａの反射率とが異なる。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化後の２３℃における引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集合基板から個々の電子回路モジュールを製造する場合であっても、回路基板の側面を充分にシールドすることができる技術の提供を課題とする。
【解決手段】電子回路モジュールの製造方法は、集合基板２０の下面を溝形成用ダイシングテープ３０に貼り付ける貼付工程Ｓ１００と、集合基板２０の上面側から、分離予定ライン１５に沿って封止樹脂層１３及び回路基板１１を切削するとともに、溝形成用ダイシングテープ３０の一部を切削することにより、封止樹脂層１３と回路基板１１と溝形成用ダイシングテープ３０との間に溝１６を形成する溝形成工程Ｓ１１０と、溝１６に導電性樹脂を充填して、封止樹脂層１３の上面及び側面、回路基板１１の側面に、導電性樹脂のシールド層１４を形成するシールド層形成工程Ｓ１２０と、集合基板２０に複数配列された電子回路モジュール１０を個々の電子回路モジュールとして個片化する個片化工程Ｓ１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化性樹脂と熱硬化促進触媒とを含有し、熱硬化促進触媒の割合が熱硬化性樹脂全量に対して１．５重量％以上２０重量％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）