【課題】半導体パッケージからの不要電磁波の漏洩を抑制すると共に、シールド層とインターポーザ基板のグランド配線との密着性を向上させた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体パッケージ１はインターポーザ基板２上に搭載された半導体チップ４と、封止樹脂層５およびインターポーザ基板２の側面の少なくとも一部を覆う導電性シールド層７とを具備する。インターポーザ基板２は絶縁基材２１を貫通する複数のビア２４を有する。複数のビア２４の一部（２４Ａ）は、インターポーザ基板２の側面に露出し、かつインターポーザ基板２の厚さ方向に切断された切断面Ｃを有する。ビア２４Ａの切断面Ｃは、導電性シールド層７と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】大きなアース面によるアースシーリングを備えたモジュールを提供すること。
【解決手段】内側ハウジンと外側ハウジングの間に設けられたバスタブ状の合成構成部分を有しており、当該合成構成部分内に、前記内側ハウジングが背面以って組み込まれており、前記合成構成部分は絶縁バスタブと、絶縁バスタブの内面に、少なくともバスタブ底面に形成されたアース面とを有しており、当該アース面は前記電気的構成部分の背面のシーリングを形成する、ことを特徴とするモジュール。 （もっと読む）

【課題】ウェハーレベル半導体パッケージに代表される様に、近年のパッケージの小型化によって、年々捺印エリアが減少し、捺印情報が減ってしまうという課題がある。これは、１ｍｍ以下の少ｐｉｎ系パッケージについて特に顕著である。また、これまでパッケージの端縁の外周部は位置ずれを考慮して、捺印をしないデッドスペースになっていたという課題がある。
【解決手段】本発明に係る半導体パッケージは、これまでデッドスペースであった、パッケージの端縁に接した外周部に対して向かい合う少なくとも一対の辺について、向かい合う辺の少なくとも一辺に捺印が施されていることを特徴とする。それによって、狭い捺印エリアでも、捺印量を増やすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】接続電極が遮蔽層に接続される事態を回避しつつ、ウェハの段階から完成後に至るまでの長期間にわたり電磁波の遮蔽効果が得られるようにすることで遮蔽効果を高め、電磁波の影響を十分に回避できるようにする。
【解決手段】積層半導体基板は、複数の半導体基板が積層されている。各半導体基板はスクライブラインに沿った複数のスクライブ溝部が形成されている。また、各半導体基板は半導体装置が形成され、それぞれ絶縁されている複数のデバイス領域を有している。また、最上位基板と最下位基板とが強磁性体を用いて形成された電磁遮蔽層を有している。電磁遮蔽層は延出ゾーンを除いた遮蔽領域に形成されている。延出ゾーンは、デバイス領域の周縁部のうちの配線電極が交差している部分に設定されている。 （もっと読む）

【課題】表面へのレーザーマーキング性及び半導体ウエハ等との接着性を維持しつつ、半導体素子の裏面に配設した場合であっても半導体素子からの熱を外部に効率良く放散させることができるフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に配設されるフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱伝導性フィラーを含み、この熱伝導性フィラーの含有量が５０体積％以上であり、前記フィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が３０％以下の値であり、かつ最大粒径が８０％以下の値であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】フラックスが付着してもシミの発生を防止することができ、外観性に優れる半導体装置を製造可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に配設されるフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、接着剤層と、この接着剤層上に積層された保護層とを備え、前記保護層は、ガラス転移温度が２００℃以上である耐熱性樹脂又は金属で構成されているフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルム２を熱硬化させる際の２３℃から１６５℃までの範囲内における体積収縮率が、１００ｐｐｍ／℃以上４００ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】各貫通電極が遮蔽層によって電気的に接続される事態を回避しつつ、ウェハの段階から完成後に至るまでの長期間にわたり電磁波の遮蔽効果が得られるようにすることで遮蔽効果を高め、電磁波の影響を十分に回避できる手段を提供する。
【解決手段】積層半導体基板１００は、複数の半導体基板１が積層されている。各半導体基板は複数のスクライブ溝部２０、２１が形成されている。各半導体基板は半導体装置が形成され、それぞれ絶縁されている複数のデバイス領域１０を有している。最上位基板と最下位基板とが強磁性体を用いてスクライブ溝部以外の領域に形成された電磁遮蔽層を有している。積層半導体基板は、積層方向に重なった複数の半導体基板を貫通する貫通孔がスクライブ溝部に形成され、貫通孔を通って貫通電極を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を半導体裏面用フィルムと一体的にピックアップする際にも容易に剥離させることができ、これにより半導体装置製造における歩留まり及び製造効率を向上させることが可能な加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】基材層及び粘着剤層を有する粘着シートと、この粘着シートの粘着剤層上に形成された半導体裏面用フィルムとを備え、前記粘着シートが、加熱により前記半導体裏面フィルムとの剥離力が低下する加熱剥離型粘着シートである加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムにおいて、接着剤層付きダイシングテープをセパレータから好適に剥離することが可能な半導体装置製造用フィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、接着剤層を貼り合わせ面にして、所定の間隔をおいてセパレータに積層された半導体装置製造用フィルムであって、セパレータは、ダイシングテープの外周に沿った切れ込みがあり、切れ込みの深さがセパレータの厚さの２／３以下である半導体装置製造用フィルム。 （もっと読む）