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国際特許分類[H01L23/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832)

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【課題】マザーボードに対する平坦度が良好で実装不良を起こしにくい面実装型電子回路モジュールを安価に提供すること。
【解決手段】電子回路モジュール1は、マザーボード7上に面実装して使用されるモジュール品である。この電子回路モジュール1は、電子部品4が搭載された回路基板2と、金属板を折り曲げて箱形に形成されたシールドケース3とによって主に構成されており、回路基板2の四隅の取付凹所21にシールドケース3の取付脚31を一対ずつ挿入して半田付けすることによって、シールドケース3が電子部品4等を覆った状態で回路基板2に取り付けられている。これら対をなす取付脚31はシールドケース3の隅部で隣接する側板部33から下方へ突出しており、両取付脚31が0.1〜0.5mmの微細な間隙G2を存して略直角に隣接している。この間隙G2は、余分な溶融半田やフラックスを毛細管現象によって流入させるためのものである。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂で樹脂封止され、シールド導体膜で被覆された電子部品を回路ブロック毎にシールド可能にしたモジュールおよび携帯端末を提供する。
【解決手段】回路基板10の上面に複数の導体部品16を並べて実装することにより、回路ブロック間にシールド導体壁を形成する。導体部品16は、それぞれ回路基板10に形成されたグランドパッド17およびビアスルーホール18を介して回路基板10の内層にあるベタグランド19と電気的に接続されている。また、導体部品16は、モールド樹脂20の天面から露出させることにより、その上からシールド導体膜21を被覆させることで、シールド導体膜21と導通させることができる。これにより、導体部品16は、回路ブロック間を電磁的に遮蔽することができ、回路ブロック間のクロストークやEMC放射雑音による特性劣化を防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】シールド性と放熱性がよく、小型・薄型化が容易で安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シールド層の厚みが20μm以上の導電性樹脂層とし、導電性樹脂層は樹脂モールドを覆い下端はグランドパターンに接続し、導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された金属粉と熱硬化性樹脂とイミダゾール系硬化剤を含有し、金属粉と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂100重量部に対して金属粉500〜1000重量部とし、イミダゾール系硬化剤と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂100重量部に対してイミダゾール系硬化剤3〜20重量部として、導電性樹脂層の体積抵抗率を1×10-4Ωcm以下、熱伝導率を5W/mK以上として、電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性をもたせる。 (もっと読む)


【課題】基板に実装した電子部品を被覆するシールドケースを有する半導体装置の製造工数を低減することができる製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、電子部品が実装された複数の基板11を、基板載置装置50に載置する基板保持工程と、天板部31と天板部31の外縁から天板部31に対して略垂直に伸びる側板部32a,32cとを有するシールドケース30が連結部35で連結されたケース連結体34を、ケース搬送装置55にて吸着固定するケース保持工程と、ケース搬送装置55を変位させ、各シールドケース30によって各電子部品を被覆し、この状態で各シールドケース30と各基板11とを接続する接続工程と、接続工程の後に、ケース連結体34を連結部35で切断して各半導体装置に分割する分割工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】内部の個別素子を衝撃から保護し、かつ電磁波干渉(EMI)または電磁波耐性(EMS)特性に優れた電磁波遮蔽構造を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ10は、側面に少なくとも一つのキャビティ19が形成されて、キャビティに電極13が形成された基板11、基板の一面に実装される少なくとも一つの電子部品16、電子部品を密封する絶縁性のモールド部14、及びモールド部に密着して、モールド部の外部面を覆ってキャビティに形成された電極と電気的に連結される導電性のシールド部15を含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】EBG構造が挿入されたEMIノイズ遮蔽基板を提供する。
【解決手段】本発明によるEMIノイズ遮蔽基板は、上面に電子製品が搭載され、電子製品への信号伝達及び電力伝達のための回路が形成される第1基板領域と、第1基板領域の下面に位置し、第1基板領域から伝達されるEMIノイズの基板外部への放射を遮蔽するように帯域阻止周波数特性を有する電磁気バンドギャップ構造が挿入される第2基板領域とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】実装面積の小さな半導体装置(特に、マイクロフォン)を提供する。
【解決手段】カバー44と基板45を上下に重ね合わせることによってパッケージが形成される。カバー44の凹部46天面にはマイクチップ42が実装され、基板45の凹部66上面には回路素子43が実装されており、マイクチップ42は回路素子43の垂直上方に位置している。マイクチップ42はボンディングワイヤによってカバー44の下面に設けたボンディング用パッドに接続され、回路素子43はボンディングワイヤ80によって基板45の上面に設けたボンディング用パッド68に接続されており、カバー44下面のボンディング用パッドに導通したカバー側接合部49と基板45上面のボンディング用パッド68に導通した基板側接合部69は、導電性材料86によって接合されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄型化された半導体素子であって、強度がより有効に補強され、ピックアップ時におけるクラックの発生が抑制された半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、回路面を有する半導体基板を含む半導体素子であって、前記半導体基板は薄化され、少なくとも前記半導体基板の回路面と反対の面側に硬化した熱硬化性樹脂層が設けられていることを特徴とする半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】ヒート・シンクに対する低コストの電気的アースを提供する。
【解決手段】電子デバイスが、基板165に取り付けられた集積回路(IC)パッケージおよびICパッケージ150に取り付けられたヒート・シンク155を含む。電子デバイスはまた、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびICパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜160A、160Bを含む。電子デバイスを製造する方法は、ICパッケージを基板に接続することと、ヒート・シンクをICパッケージに結合することと、電気伝導性を有し、ヒート・シンクおよびICパッケージに接触し、基板まで延びてヒート・シンクのためのアース接続を提供する膜を堆積させることとを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて利用可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、基材31上に粘着剤層32を有するダイシングテープ3と、粘着剤層32上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム2とを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、フリップチップ型半導体裏面用フィルム2が、樹脂成分全量に対して50重量%未満の熱可塑性樹脂成分と熱硬化性樹脂成分とを含む樹脂組成物により形成されている。フリップチップ型半導体裏面用フィルム2は、着色されていることが好ましい。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム1は、フリップチップボンディング時に好適に用いることができる。 (もっと読む)


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