シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法
【課題】シールド性と放熱性がよく、小型・薄型化が容易で安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シールド層の厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層とし、導電性樹脂層は樹脂モールドを覆い下端はグランドパターンに接続し、導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された金属粉と熱硬化性樹脂とイミダゾール系硬化剤を含有し、金属粉と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、イミダゾール系硬化剤と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、導電性樹脂層の体積抵抗率を１×１０-4Ωｃｍ以下、熱伝導率を５Ｗ／ｍＫ以上として、電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性をもたせる。
【解決手段】シールド層の厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層とし、導電性樹脂層は樹脂モールドを覆い下端はグランドパターンに接続し、導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された金属粉と熱硬化性樹脂とイミダゾール系硬化剤を含有し、金属粉と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、イミダゾール系硬化剤と熱硬化性樹脂との配合比率は熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、導電性樹脂層の体積抵抗率を１×１０-4Ωｃｍ以下、熱伝導率を５Ｗ／ｍＫ以上として、電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性をもたせる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器、情報機器等に用いられる高周波モジュールに関し、特に携帯機器の送信用電力増幅器等のように小型で安価であることが要求される高周波モジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の高周波モジュールには、実装基板への放熱効率や電磁シールド性の良好さと小型化が求められてきた。特開平１０−１２５８３０には、半導体素子や受動部品を実装し、前記半導体素子を覆うように導電性熱導電性材料を介して接続した導電性熱導電材料からなるシールドキャップを備え、導電性熱伝導材料によって、グランド層に接続した高周波モジュールが開示されている。半導体素子からの熱は、導電性熱伝導材料を介してシールドキャップから回路実装基板へ伝導され、また、半導体素子や受動部品は、キャップによって覆われるので、遮蔽される。
しかし、キャップは、金属製であるため、小型化薄型化には限界があった。
【０００３】
また、特開２００５−２５１８２７には、電子部品を実装した回路ブロックが形成された回路基板と、この回路基板の各回路ブロック毎に樹脂で一体に被覆した封止体と、この封止体の外表面に形成されたシールド用の金属層からなり、この金属層を金属粉と熱硬化性樹脂からなる導電性樹脂を介して、回路基板用に形成されたグランド電極に接続されたモジュール部品が開示されている。
これによれば、シールド用金属層は５〜１５μmとなり、金属キャップより厚みを薄くすることが可能となる。しかし、この金属層は、無電解めっきと電気めっきにより厚み５〜１５μｍのCu導体からなるものであり、薄厚に形成できるが、めっき工程によるため手間がかかり、高価になる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２５８３０
【特許文献２】特開２００５−２５１８２７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたもので、シールド性と、放熱性がよく、しかも小型化・薄型化が容易で、安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールは、
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性を有することを特徴とする。
【０００７】
このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド層が従来のメタルキャップに比して厚さを薄くできるので、それを用いる装置全体のスペースを軽減することができ、また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
また、このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド性と放熱性のさらに優れた高周波モジュールが得られる。
【０００８】
請求項２のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法は、
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に厚みが２０μｍ以上の導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドし、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とする。
【０００９】
このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法によると、大面積基板上に多数の単位高周波モジュールを一括して形成できるので、生産効率が良く単価が安くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの構成の概要を示す説明図である。
【図２】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法における回路形成工程の説明図である。
【図３】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法におけるモールド工程の説明図である。
【図４】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法における印刷工程とダイシング工程の説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュール１の模式図、図２乃至４はシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法の説明図である。
【００１２】
先ず、シールド及び放熱性を有する高周波モジュール１の構造の概要を説明する。
図１において、高周波モジュール１は、基板２の主面２a上にグランドパターン３ａや図示しない信号線などの配線を含む回路パターン３及び集積回路チップ５やコンデンサー、インダクタンスなどの受動部品６（６ａ、６ｂ，６ｃ）などを含む電子部品４で高周波回路が形成されている。また、その上には、これらの電子部品４を封入する樹脂モールド７が施されている。さらに、８は、その上を覆うシールド層であり、下端はグランドパターン３ａに接続されている。
【００１３】
シールド層８は、導電性樹脂からなり、体積抵抗率が１×１０-4 Ω・ｃｍ以下の高導電性であるから、電子部品４から放射される不要輻射は、低インピーダンスでグランドパターン３ａに接続されるため電磁シールド効果も大きい。
また、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性を有するものであるから、集積回路チップ５などからの発熱を樹脂モールドと、シールド層を介してグランドパターン３ａに効率よく伝導し、放熱する。
【００１４】
このようなシールド層を形成するための導電性ペーストの配合例は以下のとおりである。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂のうちから選択される１種又は２種以上をブレンドして好適に用いられる。このなかでも、耐熱性、密着性の点からエポキシ樹脂が好ましい。
【００１５】
金属フィラーとしては、銀粉、銅粉、銀コート銅粉、ニッケル粉等の金属粉が用いられる。中でも銀粉、銅粉、銀コート銅粉が好ましい。
金属フィラーの形状には、特に制限が無いが、樹脂状球状、りん片状等が例示される。また、粒径は１〜５０μｍが好ましく、２〜１６μｍがより好ましい。
金属フィラーは１種のみもちい２種以上混合してもよい。
【００１６】
上記金属フィラーは、熱硬化性樹脂１００重量部に対して４００〜１３００重量部、より好ましくは５００〜１０００重量部配合する。４００重量部未満の場合、熱伝導率が低くなり、１３００重量部を超えると増粘により作業性が低下する場合がある。
【００１７】
本発明で用いるエポキシ樹脂の硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤が好ましい。
イミダゾール系硬化剤の例としては、イミダゾール、２-ウンデシルイミダゾール、２-ヘプタデシルイミダゾール、２-エチルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、１-シアノエチル-２-ウンデシルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２，４-ジアミノ-６-［２’-メチルイミダゾーリル-(１’)-エチル-Ｓ-トリアジンが挙げられる。
【００１８】
イミダゾール系硬化剤は、エポキシ樹脂１００重量部に対して好ましくは１．５〜４０重量部、より好ましくは３〜２０重量部配合する。添加部数が１．５重量部より少ない場合は硬化が不十分となり、４０重量部を越えると経時による増粘の程度が大きく、印刷性の低下を生じる。また、保管中にペーストが増粘して作業性が悪化するようになる。
【００１９】
基板２の裏面２ａには、主面上の電子部品４から基板２を通して設けた図示しない外部入出力用端子が設けられており、その先端には半田ボール９が形成されている。
【００２０】
この高周波モジュールによると、導電性ペーストによるシールド層の厚みを
最小２０μｍとすることができるので、シールド層が特開平１０−１２５８３０のメタルキャップに比べて厚さを薄くできる。また、導電性樹脂層自体を接着性樹脂で形成すれば、メタルキャップや金属メッキ層のようにグランドパターンとの接着剤を別に設ける必要もない。
一方、特開２００５−２５１８２７のように金属メッキによるもので薄くすることはできるが、メッキに手間がかかり、高価になるのに対し本発明品では後述するように簡単に製造でき、安価に形成できる。また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
【００２１】
次に、このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法を図２乃至図４に基づいて説明する。
図２は、回路形成工程の説明図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は平面図である。
所定数（ここでは、簡単のため４区画とする）の単位区画を有する大面積基板１２の主面上の各単位区画１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）内に、所定のグランドパターン３ａや図示しない信号線などを含む回路パターン３を形成し、その上の所定位置に各電子部品４を表面実装する。
次いで、大面積基板１２の図示しないスルーホールを通して裏面に露出する電子部品４の外部入出力端子の先端に、公知の方法で半田ボール９を形成する。
大面積基板１２が多層の場合には、最上層の基板上に所定のグランドパターン３aを形成しても良いし、多層部分の内層に形成おされたグランドパターンがあるところまで、ダイシング装置で切削し、切削部に導電性ペーストを印刷して、該グランドパターン端面とシールド層とを接続してもよい。
【００２２】
図３は、樹脂モールドを施すモールド工程の説明図であり、図３（ａ）は正面図、図３（ｂ）は平面図である。
前記主面上の各単位区画１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ間及び周縁のグランドパターン３ａ上に、各単位区画をかたどる型枠を設け、電子部品４上を覆うように、例えばエポキシ系樹脂を流し込み、放置して硬化させ、樹脂モールド７を形成する。
【００２３】
図４は、前記樹脂モールド７上に導電性ペーストを印刷して、シールド層８を形成する印刷工程と、最後に単位区画ごとに切り離して、高周波モジュール１とするダイシング工程の説明図であり、図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は平面図である。
導電性ペーストは、樹脂モールド表層と溝部にコーティングする必要があるが、一般のスクリーン印刷により形成することができる。実際の印刷は、１回の印刷で樹脂モールドすることも可能であるが、予め溝部だけを埋めておいて、次に表層部全体をコーティング印刷する２段階印刷により形成することも可能である。
【００２４】
更には、溝部に発生しやすいボイドを回避するには、真空印刷機を用いることも有効な手段である。このように、汎用技術であるスクリーン印刷法により、容易にシールド層８が形成される。次に、印刷された導電性ペーストを加熱硬化させると、図４（ａ）に示すようにグランドパターン３ａに電気的に接続された導電性ペーストによるシールド層８が形成される。
【００２５】
シールド層８を形成した大面積基板を基台から取り出して、ダイシング装置を用い、図４（ｂ）に示す、上記各単位区画１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ間のダイシング部１３で切り分けることで、図１に示すように、モジュールの表面だけでなく、側面までシールド層である導電性樹脂層に覆われた示す高周波モジュール１が完成する。
【００２６】
上記のようにシールド層８の形成には、一般のスクリーン印刷により容易に形成することができるため、金属キャップによる部品の嵩高問題、金属メッキによるコスト高問題の両方を改善でき、容易に且つ安価に、シールド及び放熱性を有する高周波モジュールを製造することができる。
【符号の説明】
【００２７】
１ シールド及び放熱性を有する高周波モジュール
２ 基板
３ 回路パターン
３ａ グランドパターン
４ 電子部品
７ 樹脂モールド
８ シールド層（導電性樹脂層）
９ 半田ボール
１１ 単位区画
１２ 大面積基板
１３ ダイシング部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器、情報機器等に用いられる高周波モジュールに関し、特に携帯機器の送信用電力増幅器等のように小型で安価であることが要求される高周波モジュール及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の高周波モジュールには、実装基板への放熱効率や電磁シールド性の良好さと小型化が求められてきた。特開平１０−１２５８３０には、半導体素子や受動部品を実装し、前記半導体素子を覆うように導電性熱導電性材料を介して接続した導電性熱導電材料からなるシールドキャップを備え、導電性熱伝導材料によって、グランド層に接続した高周波モジュールが開示されている。半導体素子からの熱は、導電性熱伝導材料を介してシールドキャップから回路実装基板へ伝導され、また、半導体素子や受動部品は、キャップによって覆われるので、遮蔽される。
しかし、キャップは、金属製であるため、小型化薄型化には限界があった。
【０００３】
また、特開２００５−２５１８２７には、電子部品を実装した回路ブロックが形成された回路基板と、この回路基板の各回路ブロック毎に樹脂で一体に被覆した封止体と、この封止体の外表面に形成されたシールド用の金属層からなり、この金属層を金属粉と熱硬化性樹脂からなる導電性樹脂を介して、回路基板用に形成されたグランド電極に接続されたモジュール部品が開示されている。
これによれば、シールド用金属層は５〜１５μmとなり、金属キャップより厚みを薄くすることが可能となる。しかし、この金属層は、無電解めっきと電気めっきにより厚み５〜１５μｍのCu導体からなるものであり、薄厚に形成できるが、めっき工程によるため手間がかかり、高価になる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２５８３０
【特許文献２】特開２００５−２５１８２７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたもので、シールド性と、放熱性がよく、しかも小型化・薄型化が容易で、安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールは、
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドするシールド性及び放熱性を有することを特徴とする。
【０００７】
このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド層が従来のメタルキャップに比して厚さを薄くできるので、それを用いる装置全体のスペースを軽減することができ、また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
また、このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド性と放熱性のさらに優れた高周波モジュールが得られる。
【０００８】
請求項２のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法は、
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に厚みが２０μｍ以上の導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドし、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とする。
【０００９】
このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法によると、大面積基板上に多数の単位高周波モジュールを一括して形成できるので、生産効率が良く単価が安くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの構成の概要を示す説明図である。
【図２】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法における回路形成工程の説明図である。
【図３】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法におけるモールド工程の説明図である。
【図４】本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法における印刷工程とダイシング工程の説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュール１の模式図、図２乃至４はシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法の説明図である。
【００１２】
先ず、シールド及び放熱性を有する高周波モジュール１の構造の概要を説明する。
図１において、高周波モジュール１は、基板２の主面２a上にグランドパターン３ａや図示しない信号線などの配線を含む回路パターン３及び集積回路チップ５やコンデンサー、インダクタンスなどの受動部品６（６ａ、６ｂ，６ｃ）などを含む電子部品４で高周波回路が形成されている。また、その上には、これらの電子部品４を封入する樹脂モールド７が施されている。さらに、８は、その上を覆うシールド層であり、下端はグランドパターン３ａに接続されている。
【００１３】
シールド層８は、導電性樹脂からなり、体積抵抗率が１×１０-4 Ω・ｃｍ以下の高導電性であるから、電子部品４から放射される不要輻射は、低インピーダンスでグランドパターン３ａに接続されるため電磁シールド効果も大きい。
また、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性を有するものであるから、集積回路チップ５などからの発熱を樹脂モールドと、シールド層を介してグランドパターン３ａに効率よく伝導し、放熱する。
【００１４】
このようなシールド層を形成するための導電性ペーストの配合例は以下のとおりである。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂のうちから選択される１種又は２種以上をブレンドして好適に用いられる。このなかでも、耐熱性、密着性の点からエポキシ樹脂が好ましい。
【００１５】
金属フィラーとしては、銀粉、銅粉、銀コート銅粉、ニッケル粉等の金属粉が用いられる。中でも銀粉、銅粉、銀コート銅粉が好ましい。
金属フィラーの形状には、特に制限が無いが、樹脂状球状、りん片状等が例示される。また、粒径は１〜５０μｍが好ましく、２〜１６μｍがより好ましい。
金属フィラーは１種のみもちい２種以上混合してもよい。
【００１６】
上記金属フィラーは、熱硬化性樹脂１００重量部に対して４００〜１３００重量部、より好ましくは５００〜１０００重量部配合する。４００重量部未満の場合、熱伝導率が低くなり、１３００重量部を超えると増粘により作業性が低下する場合がある。
【００１７】
本発明で用いるエポキシ樹脂の硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤が好ましい。
イミダゾール系硬化剤の例としては、イミダゾール、２-ウンデシルイミダゾール、２-ヘプタデシルイミダゾール、２-エチルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、１-シアノエチル-２-ウンデシルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２，４-ジアミノ-６-［２’-メチルイミダゾーリル-(１’)-エチル-Ｓ-トリアジンが挙げられる。
【００１８】
イミダゾール系硬化剤は、エポキシ樹脂１００重量部に対して好ましくは１．５〜４０重量部、より好ましくは３〜２０重量部配合する。添加部数が１．５重量部より少ない場合は硬化が不十分となり、４０重量部を越えると経時による増粘の程度が大きく、印刷性の低下を生じる。また、保管中にペーストが増粘して作業性が悪化するようになる。
【００１９】
基板２の裏面２ａには、主面上の電子部品４から基板２を通して設けた図示しない外部入出力用端子が設けられており、その先端には半田ボール９が形成されている。
【００２０】
この高周波モジュールによると、導電性ペーストによるシールド層の厚みを
最小２０μｍとすることができるので、シールド層が特開平１０−１２５８３０のメタルキャップに比べて厚さを薄くできる。また、導電性樹脂層自体を接着性樹脂で形成すれば、メタルキャップや金属メッキ層のようにグランドパターンとの接着剤を別に設ける必要もない。
一方、特開２００５−２５１８２７のように金属メッキによるもので薄くすることはできるが、メッキに手間がかかり、高価になるのに対し本発明品では後述するように簡単に製造でき、安価に形成できる。また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
【００２１】
次に、このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法を図２乃至図４に基づいて説明する。
図２は、回路形成工程の説明図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は平面図である。
所定数（ここでは、簡単のため４区画とする）の単位区画を有する大面積基板１２の主面上の各単位区画１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）内に、所定のグランドパターン３ａや図示しない信号線などを含む回路パターン３を形成し、その上の所定位置に各電子部品４を表面実装する。
次いで、大面積基板１２の図示しないスルーホールを通して裏面に露出する電子部品４の外部入出力端子の先端に、公知の方法で半田ボール９を形成する。
大面積基板１２が多層の場合には、最上層の基板上に所定のグランドパターン３aを形成しても良いし、多層部分の内層に形成おされたグランドパターンがあるところまで、ダイシング装置で切削し、切削部に導電性ペーストを印刷して、該グランドパターン端面とシールド層とを接続してもよい。
【００２２】
図３は、樹脂モールドを施すモールド工程の説明図であり、図３（ａ）は正面図、図３（ｂ）は平面図である。
前記主面上の各単位区画１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ間及び周縁のグランドパターン３ａ上に、各単位区画をかたどる型枠を設け、電子部品４上を覆うように、例えばエポキシ系樹脂を流し込み、放置して硬化させ、樹脂モールド７を形成する。
【００２３】
図４は、前記樹脂モールド７上に導電性ペーストを印刷して、シールド層８を形成する印刷工程と、最後に単位区画ごとに切り離して、高周波モジュール１とするダイシング工程の説明図であり、図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は平面図である。
導電性ペーストは、樹脂モールド表層と溝部にコーティングする必要があるが、一般のスクリーン印刷により形成することができる。実際の印刷は、１回の印刷で樹脂モールドすることも可能であるが、予め溝部だけを埋めておいて、次に表層部全体をコーティング印刷する２段階印刷により形成することも可能である。
【００２４】
更には、溝部に発生しやすいボイドを回避するには、真空印刷機を用いることも有効な手段である。このように、汎用技術であるスクリーン印刷法により、容易にシールド層８が形成される。次に、印刷された導電性ペーストを加熱硬化させると、図４（ａ）に示すようにグランドパターン３ａに電気的に接続された導電性ペーストによるシールド層８が形成される。
【００２５】
シールド層８を形成した大面積基板を基台から取り出して、ダイシング装置を用い、図４（ｂ）に示す、上記各単位区画１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ間のダイシング部１３で切り分けることで、図１に示すように、モジュールの表面だけでなく、側面までシールド層である導電性樹脂層に覆われた示す高周波モジュール１が完成する。
【００２６】
上記のようにシールド層８の形成には、一般のスクリーン印刷により容易に形成することができるため、金属キャップによる部品の嵩高問題、金属メッキによるコスト高問題の両方を改善でき、容易に且つ安価に、シールド及び放熱性を有する高周波モジュールを製造することができる。
【符号の説明】
【００２７】
１ シールド及び放熱性を有する高周波モジュール
２ 基板
３ 回路パターン
３ａ グランドパターン
４ 電子部品
７ 樹脂モールド
８ シールド層（導電性樹脂層）
９ 半田ボール
１１ 単位区画
１２ 大面積基板
１３ ダイシング部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドすることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。
【請求項２】
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に厚みが２０μｍ以上の導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドし、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法。
【請求項１】
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、厚みが２０μｍ以上の導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドすることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。
【請求項２】
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に厚みが２０μｍ以上の導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂と前記熱硬化性樹脂の硬化剤を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂からなり、
前記熱硬化性樹脂の硬化剤には、イミダゾール系硬化剤が使用され、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して金属粉５００〜１０００重量部とし、
前記イミダゾール系硬化剤と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００重量部に対してイミダゾール系硬化剤３〜２０重量部として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、低インピーダンスで前記グランドパターンに接続され、前記電子部品から放射される不要輻射を電磁シールドし、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−１５５４８（Ｐ２０１２−１５５４８Ａ）
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２００２８（Ｐ２０１１−２２００２８）
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【分割の表示】特願２００７−１７９４７３（Ｐ２００７−１７９４７３）の分割
【原出願日】平成１９年７月９日（２００７．７．９）
【出願人】（０００１０８７４２）タツタ電線株式会社 (76)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【分割の表示】特願２００７−１７９４７３（Ｐ２００７−１７９４７３）の分割
【原出願日】平成１９年７月９日（２００７．７．９）
【出願人】（０００１０８７４２）タツタ電線株式会社 (76)
【Ｆターム（参考）】
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