【課題】小型の撮像装置１を提供する。
【解決手段】撮像装置１は、主面２０Ｓに撮像素子２２が形成された撮像素子チップ２０と、撮像素子２２を気密封止する封止部材１０と、撮像素子チップ２０と封止部材１０とを接合する接着剤３１からなる接着部３０と、を具備し、気密封止部に、はみだした接着剤３１が主面２０Ｓ方向よりも前記封止部材１０の枠部１２に沿って主面垂直方向に広がっている。 （もっと読む）

【課題】プリント基板との間の空隙の部分においてもインピーダンスの整合が取れ、プリント基板上の伝送路から半導体素子収納用パッケージ内の半導体素子に無駄なく高周波エネルギーを伝達することができる半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子収納用パッケージは、金属などの導体によって形成されるベース基板と、セラミックによって形成される端子と、半導体素子を周回するように形成される枠体と、プリント基板のプリントパターンと半導体素子とを接続するリードと、プリント基板の端部とベース基板の端部との間の空隙に係る範囲のリードの下層に設けられる誘電体層と、誘電体層の下層に設けられる接地導体層と、プリント基板の接地導体又はベース基板と接地導体層とを電気的に接続する金属層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】少ない製造工程で電子デバイスの内部空間を気密封止するための孔封止部を形成することができる孔封止部形成方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】孔封止部形成方法は、ベース層３０の内部空間Ｓ側の主面に第１の凹部３０１を形成し、他方の主面に第２の凹部３０２を形成する凹部形成工程と、第１の凹部３０１と第２の凹部３０２とが連通するように貫通孔３０８を形成する貫通孔形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】配線基板における配線層数の増加による半導体装置の製造コストの増大を抑え、複数の電極を有する半導体チップを搭載した高集積及び多機能の半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、それぞれ一の面に複数の電極１１、１１ａが形成された電極形成面を有する少なくとも１つの半導体チップ１０と、上面に半導体チップ１０の電極形成面と対向して形成された導電性材料よりなる複数のランド２２を有する配線基板２０と、半導体チップ１０の一の面と反対側の他の面と接続された導電性材料よりなる放熱板３０とを備えている。半導体チップの複数の電極の一部１１ａは金属細線１３によって放熱板３０の一部と電気的に接続され、複数の電極の残部１１は配線基板２０のランド２２と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来の低融点鉛ガラスと同等以下の焼成温度で軟化流動可能な無鉛ガラス組成物を提供する。また、その特性に加えて、良好な熱的安定性や良好な化学的安定性を有する無鉛ガラス組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る無鉛ガラス組成物は、成分を酸化物で表したときにAg₂OとV₂O₅とTeO₂とを少なくとも含有し、Ag₂OとV₂O₅とTeO₂との合計含有率が75質量％以上であることを特徴とする。好ましくは、10〜60質量％のAg₂Oと、5〜65質量％のV₂O₅と、15〜50質量％のTeO₂とを含有する。 （もっと読む）

【課題】片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性が良好で、ＬＥＤパッケージの個片化が容易な発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージ、並びにＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子搭載用基板２は、ＬＥＤチップ３が搭載される搭載領域３０を有して樹脂フィルム２０の表面２０ａ上に所定の方向に並んで形成された一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂと、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂにそれぞれ接触する一対の充填部２３Ａ、２３Ｂとを備え、一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、樹脂フィルム２０の表面２０ａ側から見たとき、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂから外側にはみ出したはみ出し部２３０、２３１を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ用カバーガラスの透光面を研磨することなく平滑にすることによって、研磨に伴う各種問題を解消することを技術的課題とする。
【解決手段】この半導体パッケージ用カバーガラス１０は、板厚方向に相対向する第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂと、周縁を構成する側面１０ｃとを備えた板状ガラスである。このカバーガラス１０の寸法は、１４×１６×０．５ｍｍであり、第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂは無研磨面であり、その表面粗さ（Ｒａ）は、いずれも０．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】対向する被着体間のスペーサの形成および接着を簡便に行うことができ、生産性を向上できる接着フィルムを提供する。
【解決手段】厚みが２０〜５００μｍである耐熱性樹脂フィルムからなる基材２の両面に、それぞれ厚みが５〜５０μｍであって完全に硬化した状態においても可撓性のある熱硬化性のエポキシ系接着剤層３，４が形成されてなる３層構造からなり、エポキシ系接着剤層３，４が、半硬化状態に熱処理されてなり２５℃において可撓性を有した固体状である接着フィルム１を提供する。熱硬化性のエポキシ系接着剤層は、完全に硬化した状態において２５℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率（Ｅ’）が１．０〜１８００ＭＰａであり、完全に硬化した状態にての折り曲げ評価試験において、複数回の折り曲げ操作によっても破壊することが無く可撓性を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ピン配置時の作業効率を良好に確保しつつ、金属ピンの位置ズレを抑制できるパッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】ベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第２面Ｕ側（内側）とベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第１面Ｌ側（外側）とを貫通するように形成された貫通孔３０と、貫通孔３０に挿通され、ベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第２面Ｕ側（内側）とベース基板用ウエハ４０（第１基板）の第１面Ｌ側（外側）とを導通する金属ピン７と、貫通孔３０と金属ピン７との間隙を埋めるガラス体（非導電充填部材）とを有し、金属ピン７の軸方向一端部に、貫通孔３０の径方向に対する金属ピン７の相対位置を決定するための位置決め凸部７ｃを設けたことを特徴としている。 （もっと読む）