【課題】小型化を進める上で、周囲温度の変化に対する特性が良好な圧電振動片と、圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電材料により形成された所定長さの基部５１と、前記基部の一端側から延びる複数の振動腕３５，３６と、前記基部の一端側より所定距離だけ離れた他端側に接続される連結部７３と、前記連結部に接続され、圧電振動片の幅方向に延長される接続部７４と、前記接続部に接続され、かつ前記振動腕の外側において、該振動腕と同じ方向に延びる支持用アーム６１，６２とを備え、振動腕３５、３６が接続されている基部５１の一端から、圧電振動片の振動腕３５、３６の反対側の一端までの長さ寸法ｈと、前記連結部を介して前記支持用アームが前記基部に接続されている接続部の幅寸法Ｌ３との比率であるＬ３／ｈが、４０％以下とされている、圧電振動片である。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができる電子デバイスを提供すること、また、かかる電子デバイスを備える信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のセンサーデバイス１（電子デバイス）は、ＩＣチップ２０およびセンサー素子３０と、ＩＣチップ２０を支持する支持部材１０と、支持部材１０が設置される設置面を有し、ＩＣチップ２０、センサー素子３０および支持部材１０を収納するパッケージ３とを有し、支持部材１０は、設置面に固定される底部１０ａと、底部１０ａの外周部から設置面とは反対側に延出する壁部１０ｂ、１０ｃとを備え、ＩＣチップ２０は、壁部１０ｂ、１０ｃの底部１０ａ側の壁面に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステムを提供する。
【解決手段】一方が他方の上に置かれ、その間に充填材料に埋め込まれた少なくとも１つの密閉キャビティが形成される、少なくとも１つの第１および第２マイクロ電子部品を含むマイクロ電子アセンブリの製造方法であって、側壁を用いてキャビティを規定する段階と、側壁と共同して充填材料に対するバイパスダクトを形成できる妨害物を形成する段階と、前記第１部品および前記第２部品のフリップチップハイブリダイゼーションを実施する段階と、前記２つのハイブリッド化部品の間に液体形態の充填材料を注入する段階と、を含む、マイクロ電子アセンブリの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図るとともに、高品質な気密封止を実現することができる電子デバイス用パッケージの製造方法、かかる製造方法を用いて製造された電子デバイス用パッケージを有する電子デバイスを提供すること、また、かかる電子デバイスを備える信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のパッケージ３の製造方法は、ベース部材６１と蓋部材６３との間に電子部品が収納される内部空間を形成しつつ、ベース部材６１と蓋部材６３とを接合する際に、ベース部材６１と蓋部材６３との接合予定部位の一部をシーム溶接により接合する第１の接合工程と、ベース部材６１と蓋部材６３の接合予定部位の残部をエネルギー線溶接により接合する第２の接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化を図るとともに、高品質な気密封止を簡単に実現することができる電子デバイス用パッケージおよびその製造方法、かかる電子デバイス用パッケージを有する電子デバイスを提供すること、また、かかる電子デバイスを備える信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のパッケージ３は、ベース部材６１と、ベース部材６１との間に電子部品が収納される内部空間を形成しつつ、ベース部材６１に接合された蓋部材６３とを有し、蓋部材６３は、平面視での輪郭が矩形状をなし、その角部に、内側に向けて凹没した形状の切り欠き部６８が設けられ、ベース部材６１と蓋部材６３との接合部は、切り欠き部６８に対応する部分を除いて矩形状の各辺に沿ってシーム溶接によりベース部材６１と蓋部材６３とを接合したシーム溶接部を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的に絶縁された放熱用ベースメタルとリードメタルを有する高周波用高放熱型半導体素子収納用基板のめっき処理の通電を容易にする。
【解決手段】セラミックス枠体４ａの表面に接合されたリードメタル１ａと裏面に接合されたベースメタル６ａをセラミックス枠体４ａに形成したスルーホール７ａとめっき導通用パターン８ａで電気的に接続し、リードメタル１ａに接続したリードフレーム部３ａより給電してリードメタル１ａおよびベースメタル６ａ表面をめっき処理する。めっき処理後にめっき導通用パターン８ａおよびリードメタル１ａとリードフレーム部３ａとの間を切断する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水晶素子の接合面の第１方向の熱膨張係数と第２方向の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する接合材が用いられることにより、接合材の剥がれが防がれた水晶デバイスを提供する。
【解決手段】水晶デバイス（１００）は、電圧の印加により振動する励振部（１３１）と励振部の周囲を囲む枠部（１３２）とを有する水晶材により形成され枠部が第１方向と第１方向に交差する第２方向との辺を有する矩形形状の水晶素子（１３０）と、枠部の一主面に接合され第１方向と第２方向との辺を有する矩形形状のベース板（１２０）と、枠部の他主面に接合され第１方向と第２方向との辺を有する矩形形状のリッド板（１１０）と、を備え、水晶素子の第１方向の熱膨張係数と第２方向の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する接合材（１４０）が塗布される。 （もっと読む）

【課題】 電極間を確実に電気的接合するとともに圧電デバイス内に有害ガスや水分が含まれない圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 圧電デバイス（１００）は、一対の励振電極（１０４）が形成された圧電振動片（１０１）と圧電振動片を囲んで圧電振動片と一体に形成され一主面と他主面とを含む枠体（１０２）と励振電極から枠体の第１主面まで引き出された一対の引出電極（１０５）とを有する圧電振動板（１０）と、一対の外部電極（１１５）を有する第１面（Ｍ１）と一対の外部電極から電気的に接続する一対の接続電極を有する第２面（Ｍ２）とを有し第２面が一主面に接合する第１板（１１）と、第１板と枠体の第１主面とを接合するため枠体の一主面を周回するように環状に配置されたガラス封止材（ＳＬａ）と、一対の引出電極と一対の接続電極とを電気的に接続する導電性接着剤（１３）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】枠体が変形することによって光ファイバに位置ずれが生じた場合、光ファイバと半導体素子との光学結合の光軸ずれが生じて半導体素子の作動性が低下する可能性がある。
【解決手段】上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、基体の上面であって載置領域を囲むように配設された、内側面および外側面に開口する開口部を有する枠体と、前記開口部の内周面または前記枠体の前記外側面における前記開口部の周囲に一方の端部が固定された、フェルールが固定される他方の端部が前記枠体の側方に位置する筒状の固定部材とを備え、固定部材が、他方の端部における厚みよりも厚みの小さい部分を有する素子収納用パッケージとする。 （もっと読む）

【課題】蓋体が付着された電子部品が絶縁基板に実装されてなる電子装置であって、外部回路基板に対する実装の信頼性を高くすることが可能な、接続信頼性に優れた電子装置を提供すること。
【解決手段】上面中央部に電子部品の搭載部１ａを有し、下面に接続パッド２が設けられた絶縁基板１と、絶縁基板１の搭載部１ａに搭載された電子部品５と、下面の中央部が電子部品５の上面に接続され、下面の外周部に凸部７ｂが設けられた蓋体７とを含み、蓋体７の下面に対する７ｂ凸部ｔｂの高さＬ１が、搭載部１ａと電子部品５の上面との間の距離Ｌ２以上であり、凸部７ｂの下端７ｃが絶縁基板１の上面に接合されていない電子装置９である。絶縁基板１と蓋体７とが接合されていないので、絶縁基板１と蓋体７との熱膨張差による応力を緩和できる。 （もっと読む）