【課題】容易に曲げることができると共に、信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる高周波信号線路及び電子機器を提供することである。
【解決手段】誘電体素体１２は、保護層１４及び誘電体シート１８ａ〜１８ｃが積層されてなり、かつ、表面及び裏面を有する。信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている線状の導体である。グランド導体２２は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向しており、信号線２０に沿って連続的に延在している。グランド導体２４は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向しており、複数の開口３０が信号線２０に沿って並ぶように設けられている。信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の表面が、バッテリーパック２０６に対して接触する （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】電子部品素子の発熱に起因する、電子部品の基板内におけるビアホール電極の位置による熱の分布のばらつきを低減し、放熱効果の安定化した電子部品を提供する。
【解決手段】この発明にかかる電子部品は基板１２を含む。基板１２の第１主面１２ａ上には複数の実装用端子２０が形成される。複数の実装用端子２０の少なくとも一部は接続電極２４により相互に電気的に接続される。基板１２の第１主面１２ａにはバンプ２２を介して実装用端子２０と接続される電子部品素子１４が実装される。基板１２において、実装用端子２０と基板１２の厚み方向に間隔を隔てて対向して、基板１２の内部には内部グランド端子３２が、基板１２の第２主面１２ｂ上には外部グランド端子３４が配置される。実装用端子２０と内部グランド端子３２とは第１ビアホール電極４２により電気的に接続される。この第１ビアホール電極４２の数は実装用端子２０の数よりも少ない数である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】ビルドアップ樹脂層１（ビルドアップ基板）上に、電極パッド２ａを有する配線２（配線層）を形成する。次いで、配線２の表面に粗化処理を施す。次いで、配線２を覆うようにビルドアップ樹脂層１上に無機絶縁膜５を形成し、無機絶縁膜５を覆うようにビルドアップ樹脂層１上にレジスト膜９を形成した後、電極パッド２ａ上のレジスト膜９を除去する。レジスト膜９をマスクに電極パッド２ａ上の無機絶縁膜５を除去し、電極パッド２ａを露出する。次いで、残存しているレジスト膜９を除去し、無機絶縁膜５を覆うようにビルドアップ樹脂層１上に、電極パッド２ａを露出するソルダレジスト層を形成する。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を製造する際に発生するボイドを防止し、セラミック基板の製造工程の歩留まりを向上する。
【解決手段】少なくとも１枚にはビアホールを有するグリーンシートを複数枚積層し焼成された積層体４と、ビアホール内に導電ペースト５が充填されたビア６と、ビア６上に形成された電極７とを備えたセラミック基板において、電極７を形成するグリーンシート１Ｂのビアホールが機械加工によって形成されることを特徴とするセラミック基板。 （もっと読む）

【課題】改善されたはんだ接合のための溝付き板を提供する。
【解決手段】マルチダイＬＥＤ放射体基板上の金属板または放射体基板に取り付けられた金属コアプリント基板（ＭＣＰＣＢ）２００上の金属板２０８（またはその両方の金属板）は、多数の放射状の溝２１０〜２１５を設けるものであり、その少なくとも一部は金属板２０８の周辺端部まで延在する。これらの溝２１０〜２１５は、はんだ接合プロセスにおいて空気を逃がすことができる流路を形成し、はんだボイドのサイズおよび／または総面積を縮小し、それにより、放射体とＭＣＰＣＢとの間の熱伝達を改善する。 （もっと読む）

【課題】実装時の反りが低減された金属張積層板を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂と充填材と繊維基材とを含む絶縁層１０１の両面に金属箔１０３を有する金属張積層板積層板１００であり、該金属張積層板１００は、エッチングにより両面の金属箔１０３を除去後、（１）１０５℃で４時間の予備加熱処理と、（２）表面温度が２６０〜２６５℃で５秒のリフロー処理とからなる加熱処理をおこなったとき、下記式Ｂ−Ａから算出される寸法変化率が金属張積層板１００の縦方向１０５および横方向１０７ともに、−０．０８０％以上０％以下である。Ａ（％）＝（予備加熱処理後寸法−初期寸法）／初期寸法×１００、Ｂ（％）＝（リフロー処理後寸法−初期寸法）／初期寸法×１００、寸法変化率（％）＝Ｂ−Ａなお、各段階における積層板の寸法はＩＰＣ−ＴＭ−６５０の２．４．３９に準拠して室温で測定する。 （もっと読む）

【課題】熱による不具合の発生を防止することができる半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、導体パターン２２１と電気的に接続された導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、基板２１の半導体素子３側の面の、半導体素子３が接合されていない部分に接合され、基板２１よりも熱膨張係数が小さい第１補強部材４と、基板２１の半導体素子３とは反対側の面に接合され、基板２１よりも熱膨張係数が小さい第２補強部材５と、基板２１の外周面上に設けられ、第１補強部材４と第２補強部材５とを接続し、基板２１よりも熱伝導性の高い熱伝導部２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。
【解決手段】２０ＧＨｚにおける高周波損失が２．０ｄＢ／ｍｍ以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、２．０ｄＢ／ｍｍ以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を２０００℃以上で加熱する。この熱処理により２０ＧＨｚにおける高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、ＣＶＤにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子を有するＩＣパッケージに、集積回路素子に接続されていない補助配線を設けることで、高密度配線が可能な回路モジュールを提供する。
【解決手段】集積回路素子５を有するＩＣパッケージ２と、ＩＣパッケージ２が実装される配線基板３とを備え、集積回路素子５がＩＣパッケージ２の表面に形成された複数のパッドのうちの一部を介して配線基板３の複数のランド電極に接続されている回路モジュールにおいて、複数のパッドのうち集積回路素子５に接続されていない少なくとも２つのパッドが、ＩＣパッケージ２に設けられ、かつ、集積回路素子５に接続されていない補助配線８により接続されるとともに、配線基板３に設けられた複数の配線パターン１０が、集積回路素子５に接続されていない少なくとも２つのパッドと補助配線８を介して接続される。 （もっと読む）