【課題】冷却性能を維持する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１と、半導体モジュール１の表面に設けられ、半導体モジュール１を冷却する冷却器２と、半導体モジュール１と前記冷却器２との間に設けられ、熱伝導性を有する伝熱部材とを備え、伝熱部材が設けられた領域の外側で、冷却器２と対向する半導体モジュール１の表面、又は、半導体モジュール１と対向する冷却器２の表面の少なくとも一方の表面に、凹部１６１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを構成する部材に、熱膨張係数の異なる部材を用いて半田で接合した場合、温度上昇により半田にせん断応力が働いて半田に亀裂が生じ、熱抵抗が増大して端子の剥離や亀裂が生じる場合がある。
【解決手段】半導体チップを電極材や絶縁材を挟み込んで内部部品とし、その内部部品の上下面から突起部が設けられて板バネ特性を有する薄板を設ける。
この薄板と内部部品の側面をケースで被覆すると共に、冷却ブロックの内面側に冷却媒体の入出口と連通する流通用の溝を設け、この溝側を薄板の突起部側に向けて内部部品と一体的に形成してパワー半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】光源の熱を放散させる放熱部材と光源の点灯を制御する制御回路の熱を放散させる放熱部材とを、スペースを有効に利用して配置する。
【解決手段】アタッチメントユニット３３において、第１ヒートシンク３２は、ＬＥＤによって構成される発光素子２０の熱を放散する。第２ヒートシンク６２は、発光素子２０の点灯を制御する制御回路基板４２の熱を放散し、制御回路基板４２と平行な方向から見て第１ヒートシンク３２と重なるよう配置される。第１ヒートシンク３２は、制御回路基板４２と垂直な方向から見て制御回路基板４２の両端部近傍と重なるよう設けられている。アタッチメントは、第１ヒートシンク３２および第２ヒートシンク６２よりも熱伝導率が低い。第１ヒートシンク３２と第２ヒートシンク６２とは、アタッチメントを介して互いに固定されている。 （もっと読む）

【課題】。セラミック基板１１を挟む配置で、表裏面に放熱用金属部材３１と回路用金属層２１が、それぞれロウ付けされてなる接合構造を有する放熱部品で、構造の複雑化や電気的絶縁の問題もなく、セラミックと、放熱用金属部材金属又は回路用金属層との接合面の外周端縁において、その接合面を挟む両部材の剥離や開口の発生を防ぐ。
【解決手段】セラミック基板１１と放熱用金属部材３１とを、この２部材の接合面の外周端縁１４ａ、又は外周端縁寄り部位で、厚み方向に樹脂で挟む樹脂製挟み付け体４１を形成した。この樹脂製挟み付け体４１がある分、熱サイクルで剥離等を起こすのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面２３２を有する熱伝導部２３０と、実装面２３２上に固定された素子４０とを備える。基板の一方主面に第２の配線２８が形成され、熱伝導部２３０は導電性を有しており、基板２２０の他方主面であって貫通孔の開口周縁部に、第２の配線に電気的に接続された介在配線２２９が形成され、熱伝導部２３０は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部２３４を有し、前記熱伝導部の本体部が、前記介在配線に電気的に接続された状態で、前記基板の他方主面であって前記貫通孔の開口部に配設されている。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面２３２を有する熱伝導部３３０と、実装面２３２上に固定された素子４０とを備える。基板の一方主面に第２の配線２８が形成され、熱伝導部３３０は導電性を有しており、素子は、前記熱伝導部を介して前記第２の配線に電気的に接続され、基板３２０にスルーホール３２３が形成され、熱伝導部３３０は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部２３４と、本体部に設けられ、スルーホールに基板の他方主面より挿入可能に形成されると共にスルーホールに挿入された状態で第２の配線に電気的に接続される挿入端子部３３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の成形性と放熱性を高いレベルで両立させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アイランド１２と、アイランド１２の上面に実装された半導体素子２０と、外部接続端子として機能するリード１４と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂１５とを主要に備えた構成となっている。更に、封止樹脂１５は、半導体素子２０等を直に樹脂封止する第１封止樹脂１６と、この第１封止樹脂１６を更に封止する第２封止樹脂１８から構成される。 （もっと読む）

【課題】高い放熱特性と高い信頼性とを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体２と、該基体２の表面に搭載された電子素子１と、該電子素子１から発生した熱を基体２の背面へ導く熱伝導部４とを具えている。該熱伝導部４は、基体２に開設されて該基体２の表面から背面へ貫通するビア40と、該ビア40に充填された熱伝導材41とから構成され、該熱伝導材41が基体２の表面に露出して熱伝導部４の露出面42が形成されており、該露出面42上に電子素子１が設置されている。ここで、熱伝導部４の露出面42が電子素子１の設置領域Ｒ１の外側まで拡がることにより、該電子素子１の設置領域Ｒ１が、熱伝導部４の露出面42の周縁領域によって包囲されており、熱伝導部４の露出面42の内、電子素子１の設置領域Ｒ１とは異なる領域がセラミック層５により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ２の上面に形成された電極パッド３ａ、３ｂには、それぞれ金属ワイヤ４によってリード端子５ａおよび制御リード端子５ｂが接続されている。半導体チップ２の裏面電極３ｃには、はんだ６を介して導電性金属により形成されたダイパッド７が接合されている。ダイパッド７の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板８が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体９によって、半導体チップ２、電極パッド３ａ、３ｂ、裏面電極３ｃ、金属ワイヤ４、リード端子５ａ、制御リード端子５ｂ、ダイパッド７および絶縁板８が覆われる。ダイパッド７の下方に配置された絶縁板８の底面は、樹脂筐体９から露出している。 （もっと読む）

【課題】回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、電子部品８が実装される回路基板９と、回路基板９の一部と電気的に接合されると共に、ヒートシンク２に接合されるリードフレーム５と、ヒートシンク２、及びリードフレーム５を一体的に封止するモールド樹脂７とを備えている。そして、ヒートシンク２の第１の接合面２ａが回路基板９の一方面に接合され、第２の接合面２ｂがリードフレーム５に接合されており、リードフレーム５が第２の接合面２ｂに接合されてなる接合部２０と回路基板９とが回路基板９の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）