【課題】放熱性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体モジュールと、前記半導体モジュールの主面上に第１の充填材を介して配された絶縁板と、前記絶縁板上に第２の充填材を介して配された冷却器と、を有し、前記絶縁板の前記半導体モジュールの前記主面と対向する面に凸部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板と金属基板とを接合する接合部材および絶縁基板と放熱部材とを接合する接合部材の接合性を同時に良好に評価することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁基３体に埋設された、絶縁基体の温度を検出する複数の温度検出素子を備え、複数の温度検出素子が、金属基体５の上面に配設された半導体素子７の中心と上下に重なり合う部分に位置する第１の温度検出素子と、金属基体の外周縁と上下に重なり合う部分に位置する少なくとも１つの第２の温度検出素子とを有している。 （もっと読む）

【課題】本体部の外面上に複数の外部端子を配置した半導体装置において、本体部を大型化させたり部品点数を増加させることなく外部端子間の絶縁距離の増大を図る。
【解決手段】複数の外部端子１２の少なくとも一つに、他の外部端子側を向く部位を切り欠く切り欠き部１７が設けられ、この切り欠き部１７によって、前記一つの外部端子１２のネジ挿通孔１６が前記他の外部端子側に向けて開放される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０と、半導体素子２０の外周を被覆する第１モールド樹脂５０と、第１モールド樹脂５０よりも耐熱性が低く、第１モールド樹脂５０の外周を被覆する第２モールド樹脂７０と、第２モールド樹脂７０内に配置される温度センサ６０と、を備える。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高温動作が可能であるとともに、小型化、軽量化を実現することが可能な半導体装置モジュールを提供する。
【解決手段】Ｐ側回路とＮ側回路とがケース１８で囲まれ、ケース１８と放熱板４とで構成される筐体内には絶縁性の封止材１６が充填されてＰ側回路ユニット２１０およびＮ側回路ユニット２２０が樹脂封止されている。Ｐ側回路ユニット２１０の第２の主電極端子６ＡおよびＮ側回路ユニット２２０の第１の主電極端子７Ａの形状は、上端部が２段階に曲げられて断面がＺ字状となっている。第２の主電極端子６Ａと第１の主電極端子７Ａとの間の接続部材９Ａは、長辺に沿った方向の両端部が同じ方向に９０度よりもやや小さな角度となるように曲げられているとともに、中央部がカーブした断面形状を有している。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、配線基板１０上に実装された第１半導体チップ２１と、配線基板１０上に実装され、第１半導体チップ２１と比べて発熱量が小さい第２半導体チップ２２と、第１半導体チップ２１及び第２半導体チップ２２の上方に配置された放熱板３０とを有している。放熱板３０は、第１半導体チップ２１に熱的に接続され、第２半導体チップ２２と対向する位置に開口部３０Ｘが形成されている。また、第２半導体チップ２２は、その上面の全てが放熱板３０の開口部３０Ｘから露出されている。 （もっと読む）

【課題】放熱基板の反りを抑制し、接続不良・放熱性の悪化を回避可能な半導体モジュール構造を提供する。
【解決手段】放熱基板１２〜１５を各リードフレーム９〜１１に接続した構造にすると共に、半導体チップ７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂをリードフレーム９〜１１に対して直接接続し、放熱基板１２〜１５の導体部１２ａ〜１５ａを介して接続される構造としない。これにより、導体部１２ａ〜１５ａを分割されていないベタ構造とすることができる。したがって、高温とされる樹脂封止の後などに高温から室温に低下させる際に放熱基板１２〜１５に反りが発生することを抑制することが可能となる。よって、半導体チップ７ａ、７ｂとリードフレーム９〜１１との間の接続や、リードフレーム９〜１１と放熱基板１２〜１５との接続が良好に行われるようにできる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを必要としなくても、信号線端子とパワー素子との電気接続が一括して行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ７ａ、７ｂのエミッタ電極７２に接合されるリードフレーム１０、１１を用いてゲート電極に接続される信号線端子Ｓ１、Ｓ２を構成する。そして、接合材２２を用いることにより、ボンディングワイヤを用いることなく信号線端子Ｓ１、Ｓ２が半導体チップ７ａ、７ｂの信号線電極７１に直接接合されるようにする。これにより、ボンディングを行わなくても良い構造の半導体モジュール４を構成することが可能となり、従来のボンディングを行う場合のようなダイボンド工程→ボンディング工程→ダイボンド工程という煩雑な経なくても済み、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性及び光反射性に優れた発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備える片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有し、前記絶縁層は、前記一対の配線パターンがそれぞれ露出する開口を備える。 （もっと読む）