【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第１の半導体チップは第１の温度センサを有し、第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第１の半導体チップの第１の温度センサの出力結果に応じて第２の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 （もっと読む）

【課題】製造時におけるはんだ付け工程を簡略化でき、外部端子の接合精度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁基板４上に形成された回路パターンを構成する金属層５に穴５ａを形成し、この穴５ａに外部端子２０を圧入することによって、外部端子２０が金属層５に接続されており、外部端子２０と穴５ａとの接触部５ｂにおける、外部端子２０と直交する方向の断面において、外部端子２０が、穴５ａの内周に対し４０％以上接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を有し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ガリウム砒素からなる半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられた能動層１５と、能動層１５と対向する半導体基板１０の下面に設けられた第１Ｎｉ層１２と、第１Ｎｉ層の下面に設けられたＣｕ層１４と、Ｃｕ層１４の下面に設けられた第２Ｎｉ層１６と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、良好な放熱性を確保し、かつ反りを抑制することが可能な半導体装置を提供することできる。 （もっと読む）

【課題】零入力漏れ電流を利用することによって高電力デバイスの温度を制御するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】熱制御＆温度監視システム（ＨＣＴＭＳ）は、コンポーネントの接合温度を感知するために温度センサを利用し、コンポーネントは、電力印加時に固有の零入力漏れ電流のために自己加熱状態になる。電力源の電圧レベルを増加させることによって、この零入力自己加熱特性は増強され、温度がコンポーネントの最低規定動作温度よりも高く上昇するまで、デバイスの予熱を加速する。システムは、その後、全システム電力を印加し、定義された初期化シーケンス／手順をトリガすることによって初期化される。コンポーネントが動作状態になった後も温度は、継続的な自己加熱、継続的な印加ＤＣ電圧の増加、または必要ならばその両方によって、最低動作閾値より高く維持される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第１のヒートスプレッダ４と半導体チップ１，２と第２のヒートスプレッダ８とをこの順に重ね合わせ、第１のヒートスプレッダ４の一方の主面に第１の固定板１１と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１の絶縁シート９を接着し、第２のヒートスプレッダ８の一方の主面に第２の固定板１２と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁シート１０を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型１４と下金型１５を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第１の絶縁シート９、第２の絶縁シート１０及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子モジュール内に収納する電子部品の垂直方向伝導面と鉛直面とが一致する場合に、部品接触面にサーマルグリスを塗布してもグリスの流出を抑えることのできる電子部品の放熱構造及びこれを有する電子モジュールを提供する。
【解決手段】底面部、この底面部と交差する側面部を有するモジュールケース１と、モジュールケース１に収納された電子部品５と、モジュールケース１の底面部２及び側面部３上に固定され、底面部２と側面部３とが交差する隅部分に接触するＬ字状の屈曲部７を有する板で構成され、電子部品５とモジュールケース１との間に介在し、電子部品５が発する熱をモジュールケース１へ伝導させる取り付け補助板６とを備え、取り付け補助板６と底面部２との間に第１のサーマルグリス層８を有し、取り付け補助板６と側面部３との間に、屈曲部７によって第１のサーマルグリス層８と隔絶された第２のサーマルグリス層９を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、型締め処理時における金属異物発生の抑制、かつ、モールド金型の長寿命化を図ることが可能な、ヒートシンク付き半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が集積された半導体チップが設置される上面を上向きにした状態で、ヒートシンク１０を下側金型１１０のステージ１１１に載置する。ヒートシンク１０の上面を上側金型１２０で押さえ付ける。その後、モールド樹脂止め用のスライド金型１３０をスライド移動させて、ステージ１１１上のヒートシンク１０の側面に押し当てる。これにより、ヒートシンク１０が樹脂モールドされる箇所と、ヒートシンク１０が樹脂モールドされずに外部に露出する箇所との境界部分を、モールド金型１００において確実に樹脂止めできる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と実装基板との間の接合材層に生じた応力を緩和できる半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】実装基板４と、前記実装基板上に、電気伝導性を有する熱可塑性接合材層５を介して実装された半導体素子２，３と、前記半導体素子を通電制御する制御手段６と、を備えた半導体装置において、前記制御手段は、所定条件で前記熱可塑性接合材層を少なくとも軟化させる応力緩和制御を実行する。 （もっと読む）