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国際特許分類[H01L23/34]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 冷却,加熱,換気または温度補償用装置 (8,151)

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【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース20は、第一の露出部21a及び第二の露出部21bと、中間窓穴22aに隣接した隣接平坦部22bを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品31は、中間窓穴22aに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品32は、隣接平坦部22bに配置されている。背高の第一の回路部品31の高さ寸法は、ベース板20の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板30の面積を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】冷却効率を向上させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置10は、裏面に複数の凹部16を有するシリコン基板11と、この基板11の表面上に形成された半導体層12と、半導体層12の表面上に、互いに離間して形成されたドレイン電極13およびソース電極14と、ドレイン電極13とソース電極14との間の半導体層12上に形成されたゲート電極15と、複数の凹部16の内部を含むシリコン基板11の裏面全体に形成された裏面金属17と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】放熱性が良好で、かつ小型で薄型のパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板110の開口116に、電子デバイス120が配置され、接着剤層130上のパターン化金属層140が基板110の下表面113上にラミネートされるとともに、電子デバイス120の底表面124を露出させる。露出された底表面124上に散熱コラム150が形成され、第1ラミネート構造160が基板110の上表面111および電子デバイス120の頂表面122を被覆し、第2ラミネート構造170が散熱コラム150ならびにパターン化金属層140を被覆する。 (もっと読む)


【課題】良好な作業性で比較的少量の樹脂により効率的に半導体チップをレーザ溶接時のスパッタから保護することができる、熱拡散性に優れた半導体装置等の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置1,2,3は、凹部22A,22Bを有するヒートスプレッダ20,200と、ヒートスプレッダの凹部内に固着された半導体チップ10A,10Bと、半導体チップ10A,10Bに固着された接続導体12と、接続導体の溶接部121を露出させつつ、ヒートスプレッダの凹部22A,22B内で半導体チップ10A,10Bを被覆する絶縁樹脂部70と、接続導体の溶接部にレーザ溶接で接合された外部端子80とを備える。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子を樹脂で適切に被覆する技術を提供する。
【解決手段】 冶具60によって支持される半導体装置12は、放熱板40と半導体素子20とを備える。放熱板40は、第1の部分46と第2の部分48とを備える。冶具60は、半導体素子部20を樹脂材料で被覆する際に、半導体装置12を支持する。この冶具60は、第1の支持部46と第2の支持部48とを備える。第1の支持部46は、複数個のフィン44が配置される側から第1の部分46に接触することによって、半導体装置12を支持する。第2の支持部68は、複数個のフィン44が配置される側から第2の部分48に接触することによって、半導体装置12を支持する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に半導体素子と内部回路とが設けられた半導体装置において、半導体素子及び内部回路の各温度を検出するセンサを効率的に配置してレイアウトの自由度を高めることができ、且つ半導体素子及び内部回路の各温度をより正確に検出し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板5の一方面側に、スイッチング素子20と、このスイッチング素子20の配置領域から距離を隔てて内部回路30が配置されている。また、スイッチング素子20に隣接して、周囲に第1絶縁膜27が形成された第1温度検出素子24が設けられている。さらに、内部回路30よりもスイッチング素子20に近い側に、周囲に第2絶縁膜28が形成された第2温度検出素子25が設けられている。そして、第2絶縁膜28の厚さが第1絶縁膜27の厚さよりも大きくなるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱抵抗を大きくすることなく、半導体素子に加わる応力を低減可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置10は、半導体素子1と、第一の接合材2を介して前記半導体素子1と接合される、導電性を有する第一の電極3と、前記半導体素子1に対して前記第一の電極3の反対側に、第二の接合材4を介して前記半導体素子1と接合される、導電性を有する第二の電極5と、前記第二の電極5に対して前記半導体素子1の反対側に、第三の接合材7を介して前記第二の電極5と接合される、前記第二の電極5よりも線膨張係数の小さい緩衝部材8と、これらを封止する第一の樹脂6と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電性基材の一方面にセラミックス粉末を溶射して形成された絶縁層を備えた絶縁基板における側面部端面の絶縁性を簡単な構造かつ低コストでもって向上させる。
【解決手段】導電性基材1Aの第1面1a側の角部にテーパ面1Acを形成し、第1面1aおよびテーパ面1Acにセラミックス粉末を溶射して絶縁層7Aを形成することにより絶縁基板11Aを構成する。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ20と、一面10aを有すると共に一面10aに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ20が導電性部材30を介して搭載される搭載部材10と、搭載部材10の少なくとも一部および半導体チップ20を封止するモールド樹脂40と、を有し、搭載部材10の一面10aのうちモールド樹脂40と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材10のうちモールド樹脂40と接する部位の表面に水酸化物13を形成する。 (もっと読む)


【課題】熱を効率良く放散することのできるパッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁カバーを提供する。絶縁カバーは、互いに向かい合う内表面および外表面と、複数の開口と、収容空間とを有する。絶縁カバーの外表面にパターン化金属層を形成する。パターン化金属層の上に表面処理層を形成する。絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。放熱素子の表面に導熱層を形成し、絶縁カバーの開口によって導熱層の一部を露出する。 (もっと読む)


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