【課題】半導体素子が有する寄生容量や寄生インダクタンスによる電力の損失を抑えるこ
とが出来る、整流回路の提供を課題とする。
【解決手段】入力された交流電圧の振幅に従い、前段の回路と該整流回路の間におけるイ
ンピーダンスを整合または不整合にする。入力される交流電圧が規定の振幅以下である場
合は、インピーダンスを整合にし、該交流電圧をそのまま整流回路に印加する。逆に入力
される交流電圧が規定の振幅よりも大きい場合は、インピーダンスを不整合にし、反射に
より該交流電圧の振幅を小さくしてから整流回路に印加する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して不純物を活性化させる半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面に凹凸が形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３ａを用意し、半導体基板３ａの裏面から活性化層１２、１３を構成するための不純物をイオン注入するイオン注入工程を行う。その後、半導体基板３ａの裏面から、第１レーザ１８ａと、第１レーザ１８ａよりエネルギーが低くされていると共に波長が長くされており、第１レーザ１８ａの照射スポットと少なくとも一部が重なる照射スポットとされた第２レーザ１８ｂとを同時に照射しながら走査し、第１レーザ１８ａによって不純物を活性化させて活性化層１２、１３を形成する活性化工程を行う。 （もっと読む）

【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぐことができる半導体装置。
【解決手段】複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路が、上記信号を生成するシフトレジスタを有しており、上記シフトレジスタにおいて、複数のトランジスタのゲート電極として機能する一の導電膜を複数に分割し、上記分割された導電膜どうしを、分割された導電膜と異なる層に形成された導電膜により、電気的に接続する構成を有する。上記複数のトランジスタには、シフトレジスタの出力側のトランジスタが含まれるものとする。 （もっと読む）

【課題】スキャン・テスト回路およびスキャン・テスト回路を使用して試験を受けるさらなる回路を備える集積回路を提供すること。
【解決手段】スキャン・テスト回路は、それぞれ別個のクロック領域に関連した複数のサブチェーンを有する少なくとも１つのスキャン・チェーン、および１つまたは複数のサブチェーンを選択的にバイパスするように構成されたクロック領域バイパス回路を備える。スキャン・チェーンは、スキャン・シフト・モードの動作において、サブチェーンを全部よりは少なく含む直列シフト・レジスタを形成するように構成可能であり、サブチェーンの少なくとも残りの１つが、スキャン・シフト・モードにおいて直列シフト・レジスタの部分でないように、クロック領域バイパス回路によりバイパスされる。特定のクロック領域に関連するスキャン・チェーンの部分を選択的にバイパスすることにより、クロック領域バイパス回路は、スキャン・テスト期間の試験時間と電力消費を減らす役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッドが設けられた面の向きを変えても、パッドを基板に接続するボンディングワイヤが交差しない半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のパッドを含む第１のパッド群と、第１のパッド群に平行に一列に配置された複数のパッドを含む第２のパッド群と、第１のパッド群を基準にして第２のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第１のバッファ回路群と、第２のパッド群を基準にして第１のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第２のバッファ回路群と、第１のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第２のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第１の配線と、第２のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第１のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第２の配線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低損失で差動信号を伝送することができるリドライバＩＣ、半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係る半導体装置は、差動信号が伝送される差動配線が形成された配線基板１０と、配線基板１０に搭載され、外部機器に対して差動信号を送受信するコネクタ１１と、配線基板１０に搭載され、コネクタ１１から受信した差動信号を中継する受信系のリドライバＩＣ２１と、受信系のリドライバＩＣ２１と離間した位置において配線基板１０に搭載され、コネクタ１１に送信する差動信号を中継する送信系のリドライバＩＣ２０と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いＨｉ信号、及び、該Ｈｉ信号よりも電圧レベルの低いＬｏ信号が異なるタイミングで入力される第１入力端子と、Ｈｉ信号が常時入力される第２入力端子と、第１入力端子のＨｉ信号によって第１動作状態、第１入力端子のＬｏ信号によって第２動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第２入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第１入力端子にＨｉ信号が入力されている時にＯＦＦ状態、第１入力端子にＬｏ信号が入力されている時にＯＮ状態となる。 （もっと読む）

【課題】給電ユニット（エナジーハーベスティングデバイス）に改変を加えること無く、不安定な給電電圧、特に、低い給電電圧ででも正常に動作する、回路ユニットを含む集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る集積回路は、外部電源に接続された第１の電源リングで囲まれた第１の回路ブロックと、第１の電源リングを介して前記外部電源に接続された第２の電源リングで囲まれた第２の回路ブロックとを含み、第１の回路ブロック内の半分以上が同期回路で構成され、第２の回路ブロック内の半分以上が非同期回路で構成されている。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）