【課題】 周辺領域に多くの結晶欠陥を形成することなく、周辺領域の表面領域の下に不純物濃度が高い領域を形成する。
【解決手段】 半導体装置であって、半導体基板が素子領域と周辺領域を有している。素子領域内に、第１導電型を有しており、半導体基板の上面に露出している第１半導体領域が形成されている。周辺領域内に、第２〜第４半導体領域が形成されている。第２半導体領域は、第１導電型を有しており、第１半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、第１半導体領域と繋がっている。第３半導体領域は、第２導電型を有しており、第２半導体領域に対して下方から接している。第４半導体領域は、第２導電型を有しており、第３半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が低く、第３半導体領域に対して下方から接している。第３半導体領域が、エピタキシャル層である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造において、上面が平坦な終端構造とリセス状のアライメントマークとを少ないマスク数で形成すると共に、アライメントマークのリセスの深さを最適化する。
【解決手段】ハーフトーン露光法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル層２に達する第１の開口部１２ａとＳｉＣエピタキシャル層２に達しない第２の開口部とを有するレジストパターン１１を、ＳｉＣエピタキシャル層２上に形成する。エッチングにより、第１の開口部１２ａに露出したＳｉＣエピタキシャル層２にリセス状のアライメントマーク９を形成すると同時に第２の開口部１２ｂをＳｉＣエピタキシャル層２に到達させる。その後、イオン注入により、第２の開口部１２ｂに露出したＳｉＣエピタキシャル層２に、終端領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電流容量が大きいダイオードを提供する。
【解決手段】 ダイオードであって、半導体基板を有している。半導体基板の一方の表面にアノード電極が形成されている。半導体基板に、前記一方の表面に露出しており、アノード電極と導通しているｐ型のアノード領域と、アノード領域に接しているｎ型のカソード領域が形成されている。前記一方の表面にアノード領域が露出している露出範囲内に、アノード電極とアノード領域が導通しているコンタクト領域と、アノード電極とアノード領域が導通していない非コンタクト領域が存在している。コンタクト領域の面積Ｓｃと非コンタクト領域の面積Ｓｎとの比率Ｓｃ／Ｓｎが、露出範囲の外周部よりも露出範囲の中央部で大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを活性領域に使った電子装置において、グラフェンにバンドギャップをもたせ、オンオフを可能とする。
【解決手段】電子装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極からドレイン電極へのキャリアの流れを横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、を備え、前記各々の開口部は少なくとも一つのジグザグ端により画成されており、前記少なくとも一つのジグザグ端は、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、いずれも３０°の角度をなす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】
逆方向の高耐圧ｐｎ接合の終端を湾曲させて表面に延在させるための分離層を形成する製造方法であって、逆方向の高耐圧の確保と逆バイアス時のリーク電流の低減とが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法の提供。
【解決手段】
一方の主面と他方の主面から形成されるテーパー溝の底部間の半導体基板厚さが６０μｍ以上になるように、前記テーパー溝を異方性アルカリエッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】 グラフェン構造体及びその製造方法、並びにグラフェン素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される側面が露出された成長層と、成長層の側面に成長されたグラフェンと、を備えるグラフェン構造体である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程や搬送中の振動などの衝撃があって割れやクラックが生じても、ＩＧＢＴの逆方向耐圧が劣化しないような逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板の表面側にＭＯＳゲート構造を有する活性領域と該活性領域の周囲の耐圧構造部とを有し、裏面側にはｐ型コレクタ層を備え、前記耐圧構造部の外周部に、前記表面側と前記裏面側とを繋ぐように配置されるｐ型分離層が裏面側で前記ｐ型コレクタ層に電気的に接続される構成を有する逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、前記ｐ型分離層が裏面側の前記ｐ型コレクタ層に接続する部分における、基板面に平行方向の幅が６０μｍ以上である逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとする。 （もっと読む）