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国際特許分類[H03H3/007]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程 (2,839) | 電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの (2,835)

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【課題】MEMS構造体が内在する空洞部を覆う被覆部の外にエッチング液が流出し難い構造の電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の空洞部33内に位置し電気駆動される振動素子5と、空洞部33の周囲を取り巻く絶縁層29と空洞部33とを画成する電気伝導性の包囲壁25と、振動素子5と接続し包囲壁25を貫通する第1配線8及び第2配線9と、を有し、第1配線8及び第2配線9が包囲壁25を貫通する場所には絶縁層29を溶解するエッチング液が空洞部33から絶縁層29に流動することを防止し包囲壁25と第1配線8及び第2配線9とを絶縁する第1耐食絶縁膜19及び第2耐食絶縁膜20を備える。 (もっと読む)


【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の側壁部23及び第1封止層30に覆われた空洞部33内に位置する可動部7bと、空洞部33内に設置され空洞部33内の気体を吸着する第1ゲッター部34及び第2ゲッター部35と、基板2と対向する場所に位置する第1封止層30及び第2封止層32と、を備え、第1封止層30は第1孔30a及び第2孔30bを有し、第2封止層32は第1孔30a及び第2孔30bを封止する。 (もっと読む)


【課題】MEMS構造体の可動部が固定部に密着するときにも可動部と固定部とを離すことができる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の包囲壁26及び第1封止層33に覆われた空洞部36内に位置する可動部7bと、可動部7bと対向する場所に位置する第1封止層33と、を備え、可動部7bは基板2と第1封止層33との間に位置し、可動部7bと第1封止層33とは少なくとも一部が導電体である。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に形成された第1電極20と、基板10の上方に形成された支持部30a、および支持部30aから延出し第1電極20と対向配置された梁部30bを有する第2電極30と、を含み、第1電極20は、平面視において第2電極30の外縁の外側に形成された第1側面22aと、平面視において第2電極30の外縁の内側に形成された第2側面22bと、を有し、第1側面22aは、基板10の上面10aに対して傾斜し、第2側面22bと第1電極20の上面22cとは、角部23を構成している。 (もっと読む)


【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするMEMSレゾネータ及びMEMSレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSレゾネータの製造方法は、基板10上に形成された半導体デバイスとMEMS構造体部4とを有するMEMSレゾネータ2の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極30と下部電極26とを有するONOキャパシタ部6と、CMOS回路部8と、を含み、ONOキャパシタ部6の下部電極26を、第1シリコン層26を用いて、形成する。MEMS構造体部4の下部構造体16とONOキャパシタ部6の上部電極30とを、第2シリコン層52を用いて、形成する。及び、MEMS構造体部4の上部構造体18とCMOS回路部8のゲート電極34とを、第3シリコン層54を用いて、形成する。 (もっと読む)


【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするMEMSレゾネータ及びMEMSレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSレゾネータの製造方法は、基板10上に形成された半導体デバイスとMEMS構造体部4とを有するMEMSレゾネータ2の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極30と下部電極26とを有するONOキャパシタ部6と、CMOS回路部8と、を含み、ONOキャパシタ部6の下部電極26を、第1シリコン層26を用いて、形成する。MEMS構造体部4の下部構造体16とONOキャパシタ部6の上部電極30とを、第2シリコン層52を用いて、形成する。及び、MEMS構造体部4の上部構造体18とCMOS回路部8のゲート電極34とを、第3シリコン層54を用いて、形成する。 (もっと読む)


【課題】振動体の支持構造体の寸法精度のばらつきによる共振周波数のばらつきを小さくし、かつ、支持構造体から漏洩するエネルギー損失を極力小さくする。
【解決手段】ディスク型の振動体1と、該振動体1の両側に前記ディスク型振動体の外周部に対して所定の空隙gを有して、それぞれ対向して配置される駆動電極2,2と、該駆動電極2,2に同相の交流バイアス電圧を印加する手段2aと、前記ディスク型振動体1と前記駆動電極2,2との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段3,3aとを備えた静電駆動型のディスク型MEMS振動子において、前記ディスク型振動体1が該ディスクの中心に直立して設けた柱状の支持構造体1aで支持され、かつ、該支持構造体1aの横断面形状が非円形であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ディスク下面に犠牲層の残渣が発生せず、きれいに除去されるようにする。
【解決手段】ディスク型の振動子構造体1と、該振動子構造体1の両側に前記ディスク型振動子構造体の外周部に対して所定の空隙gを有して、それぞれ対向して配置される一対の駆動電極2,2と、該駆動電極2,2に同相の交流バイアス電圧を印加する手段と、前記ディスク型振動子構造体1と前記駆動電極2,2との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段とを備えた静電駆動型のディスク型振動子において、前記ディスク型振動子構造体1がディスクの中心に貫通孔1aを有し、ワイン・グラス・モードで振動される。 (もっと読む)


【課題】信頼性を優れたものとしつつ、振動損失を低減することができる振動片、および、この振動片を備える振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の振動片は、基部と、基部から延出する振動腕28、29、30と、振動腕28、29、30上に下地層221、231、241と第1の電極層222、232、242と圧電体層223、233、243と第2の電極層225、235、245とがこの順で積層され、第1の電極層222、232、242と第2の電極層225、235、245との間に通電することにより、圧電体層223、233、243を伸縮させて、振動腕28、29、30を屈曲振動させる圧電体素子22、23、24とを有し、下地層221、231、241は、Tiを主材料とする金属で構成されている。 (もっと読む)


【課題】共振器の信号対ノイズ比の効果的な低減を可能にするのに十分に高い振動振幅を達成しながら、安定した様式でヒステリシス効果の抑制を実現することを可能にする、共振器を発見提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも1つの変形可能な要素(20)と、少なくとも1つの第1の周波数での第1の作動力および少なくとも1つの第2の周波数での第2の作動力を同時に少なくとも1つの変形可能な要素に加えるための、この変形可能な要素のための作動手段(40、42、44)とを含み、第1および第2の周波数が作動力のうちの1つの周波数に等しい周波数で少なくとも2つの同時共振を生成する、電気機械共振器に関する。 (もっと読む)


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