【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン／オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 （もっと読む）

【課題】負荷の増加に伴い、駆動用ドライバをＩＣの外付け素子として用いる場合でも、専用ＩＣを新たに作成するまたは駆動用ドライバに対するプリドライバおよび端子を別途設けることなく、ＩＣと出力端子を共用することで設計およびチップ製作にかかるコストを低減する。
【解決手段】入力信号２，３を切替選択信号２２によって切り替え、出力信号１３〜１６を出力する信号切替ブロック１２と、出力信号１３〜１６をそれぞれチャンネルの異なるスイッチング素子に入力する複数のＤ級アンプと、を備え、信号切替ブロック１２は、複数のＤ級アンプを、負荷を駆動するための駆動用ドライバ、または外付けされた駆動用ドライバ回路に対するプリドライバとするかを前記切替選択信号により切り替える。 （もっと読む）

【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハイサイド駆動回路が負バイアス駆動を行いつつ、ブートストラップコンデンサによりハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給することができる半導体装置を得る。
【解決手段】基準電圧回路３は、ハイサイド駆動回路１の高圧端子ＶＢの電圧と低圧端子ＶＥの電圧との間の基準電圧を生成して、ハイサイドスイッチング素子Ｑ１とローサイドスイッチング素子Ｑ２の接続点に供給する。充電用スイッチング素子Ｑ３のドレインがハイサイド駆動回路１の低圧端子ＶＥに接続され、ソースが接地されている。 （もっと読む）

【課題】駆動に適した推奨値からずれた電気的特性を持つ負荷を駆動した場合でも誤検出を極力防止する。
【解決手段】しきい値生成回路１１は、抵抗１３、１４にしきい値生成電流ＩTH、ＩTLを流してしきい値電圧ＶTH、ＶTLを生成し、コンパレータ１２はシャント抵抗７の検出電圧Ｖａと比較して過電流検出信号Ｓｃを得る。しきい値補正回路１７は、平均負荷電流、負荷電流の交流変化分、電源電圧ＶＢが大きいほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やし、負荷４の温度が低いほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やす。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】トランジスタのゲート・ソース間に設けられた容量素子に電荷を充電し、その後容量素子に充電された電荷を放電することで該トランジスタのしきい値電圧を取得し、その後負荷に電流を流す半導体装置において、容量素子の一方の端子の電位は、ソース線の電位より大きく設定し、ソース線の電位は電源線の電位及び負荷のカソード側の電位よりも小さい電位に設定する。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップダイオード（ＢＳＤ）を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部１０は、抵抗Ｒ１からなる回路である。抵抗Ｒ１の一方の端子は、Ｐ母線と接続している。抵抗Ｒ１の他方の端子は、コンデンサＣ１およびツェナーダイオードＤ１の並列回路の一端と接続している。コンデンサＣ１は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路（ＨＶＩＣ４）に印加する。抵抗Ｒ１は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサＣ１と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサＣ１に印加する。抵抗Ｒ１によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサＣ１を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信するための発光素子の駆動に寄与しない無効電流を低減することが可能な駆動回路および宅側装置を提供する。
【解決手段】駆動回路５２は、光信号を送信するための発光素子ＬＤを含む発光回路７５における発光素子ＬＤにバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給回路６８と、送信すべきデータの論理値に応じた大きさの変調電流を発光素子ＬＤに供給するための変調電流供給回路６３とを備える。変調電流供給回路６３は、データの論理値に応じて、発光素子ＬＤに電流を供給するか否かを切り替えるための差動駆動回路４１と、差動駆動回路４１の差動出力間に接続された終端抵抗とを含む。差動駆動回路４１および発光回路７５は直流結合されており、差動駆動回路４１が発光素子ＬＤに供給する上記電流の電源は発光回路７５から供給される。 （もっと読む）