はんだダム形成方法
【課題】はんだダム形成方法に関し、はんだダムの形成精度を向上させ、あるいは緻密なはんだダムを形成する
【解決手段】電子部品に接続される複数のリードのうち、対象リード１の所定位置に凹状の嵌合部材５を嵌合させ、対象リードの周囲を囲む環状のはんだダム４を形成する。
【解決手段】電子部品に接続される複数のリードのうち、対象リード１の所定位置に凹状の嵌合部材５を嵌合させ、対象リードの周囲を囲む環状のはんだダム４を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、電子部品のリードにはんだダムを形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板に電子部品を実装する方式の一つとして、リフロー方式が知られている。リフロー方式とは、ペースト状のはんだがあらかじめ塗布又は印刷された基板上に電子部品を載置した後、リフロー炉と呼ばれる加熱装置で基板全体を加熱してはんだを溶融させ、電子部品のリードを基板上の所定位置にはんだ接合する方式である。リフロー炉は、例えば遠赤外線ヒータや温風ヒータ等を内蔵しており、炉内の温度を正確に制御することによって基板上のはんだを均一に溶融する。
【０００３】
ところで、溶融したはんだのぬれ性（はんだの流動性や広がりやすさ）は、はんだが付着する部位の温度によって変化する。一方、リフロー炉内の温度が均一であったとしても、基板とリードとの熱容量の相違により、リードが接合される基板上のランドの温度よりもリード自体の温度が高温になることがある。この場合、基板上で溶融したはんだがリードの表面を伝って電子部品の樹脂封止部側へと吸い上げられるいわゆる吸い上がり現象が生じ、リードとプリント基板のランドとの間に接合不良が発生しやすくなる。
【０００４】
このような課題に対し、リード表面にソルダーレジスト層を形成してはんだの吸い上がり現象を防止する技術が知られている。この技術では、リードを液状のソルダーレジストに浸漬してリード表面に膜状のレジスト層を形成し、その後、剥離液を用いてリードの先端部分のレジスト層を剥離してはんだ接合部を形成する。つまり、リードの先端以外の部位をレジスト層で覆うことで、はんだの吸い上がり現象を防止する。
【０００５】
また、リードの周面にフッ素やシリコーンを塗布してはんだ上がりを防止する技術も知られている。すなわち、はんだが付着しないはんだ上がり設定（すなわち、はんだダムに対応する部位）をリード上に設け、リードの先端側から基端側へのはんだの濡れ上がりを防止するものである（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２６１１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前者の技術では、はんだダムが不要である部位にも一旦レジスト層が形成されるため、剥離される分のソルダーレジストが無駄になり製造コストが増大する。また、剥離されずに残ったレジスト層がはんだダムとなるため、ソルダーレジストの粘度，剥離液の濃度，剥離液の塗布精度といったさまざまな要因がはんだダムの寸法精度に影響を及ぼすことになる。したがって、緻密なはんだダムの形成が難しく、ピッチの狭い微細リードに適用することが困難であるという課題がある。
【０００８】
また、後者の技術では、はんだダムの形成精度がフッ素やシリコーンの塗布精度に依存するため、緻密なはんだダムを形成することが難しいという課題がある。
本件の目的の一つは、このような課題に鑑み創案されたもので、はんだダムの形成精度を向上させ、あるいは緻密なはんだダムを形成することである。
なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本件の他の目的として位置づけることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このため、開示のはんだダム形成方法は、電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、ダムの形成位置の精度を向上させることができ、緻密なはんだダムを形成することができることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係るはんだダム形成方法で製造される半導体パッケージの例示であり、（ａ）はその全体斜視図、（ｂ）はその要部拡大斜視図である。
【図２】第一実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の全体構成を示す斜視図である。
【図３】第一実施形態に係るはんだダム形成方法で用いられるリング材料を示す斜視図である。
【図４】図２のはんだダム形成装置の要部を拡大して示す斜視図である。
【図５】第一実施形態に係るはんだダム形成方法を説明する図であり、（ａ）はリードに取り付けられる前のリング材料及び保持ハンドを示す上面図、（ｂ）はその保持ハンドによるリング材料の取り付け状態を示す斜視図、（ｃ）はそのリング材料が蝋付けされたリードを示す斜視図である。
【図６】第一実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図７】第一実施形態に係るはんだダム形成方法で製造された半導体パッケージの実装例を示す図であり、（ａ）は表面実装の場合、（ｂ）はスルーホール実装の場合を示す。
【図８】第二実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の構成を示す図であり、（ａ）はその全体斜視図、（ｂ）はカシメ固定に係る第二カシメ部の横断面図である。
【図９】第二実施形態に係るはんだダム形成方法を説明する斜視図であり、（ａ）はカシメ材料がカシメ固定されたリード、（ｂ）はそのカシメ材料に加熱加工が施されたリードを示す。
【図１０】第二実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図１１】第三実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の構成を示す斜視図である。
【図１２】第三実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するための横断面図である。
【図１３】第三実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図１４】変形例に係るはんだダム形成方法で使用されるリードフレームの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本はんだダム形成方法に係る実施の形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態は、あくまでも例示に過ぎず、以下に示す実施形態で明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。すなわち、本実施形態を、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形（各実施形態及び各変形例を組み合わせる等）して実施することができる。
【００１３】
［１．第一実施形態］
［１−１．はんだダムの概要］
第一実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置は、電子部品のリードにはんだダムを形成するものである。はんだダムは、はんだが付着しにくい物質によって形成された部位であり、溶融したはんだの流れを堰き止める機能を有する。
【００１４】
例えば図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体パッケージ３（電子部品）の樹脂封止部２から外部へ延びるリード１の中途において、リード１をその先端１ａ側と基端１ｂ側とに分断するように、リード１の外周を囲って環状にはんだダム４が形成される。はんだダム４は、はんだの物理的な移動（リード１の先端１ａ側から基端１ｂ側への吸い上がり）を抑制する面であるといえる。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、リード１は金属板を精密金型で打ち抜いて成形（スタンピング成形）された板状の部材である。以下、リード１における面状の部位を表面１ｃと呼び、板厚方向に形成された切断面（小口部分）を側端面１ｄと呼ぶ。はんだダム４は、表面１ｃ及び側端面１ｄの双方にわたって形成される。
なお、図１（ｂ）の例では、一対のはんだダム４がリード１の先端１ａから基端１ｂへ向かう方向に並んで二重に形成されている。
【００１６】
［１−２．構成］
図２は、はんだダム形成装置１０の構成の一例を示す図である。このはんだダム形成装置１０は、半導体パッケージ３から延出する複数のリード群のうち、任意のリード１（対象リード）の所定位置に凹状に形成されたリング材料５（嵌合部材）を嵌合させてはんだダム４を形成する装置である。
【００１７】
リング材料５とは金属材からなる部材であり、図３に示すように、貫通穴部５ａ，側面部５ｂ及び切り込み部５ｃを有する。
貫通穴部５ａは角柱状の空洞であり、リード１の外形に対応する大きさに形成される。つまり、貫通穴部５ａはリード１に対して密嵌しうる形状である。側面部５ｂは円筒面をなす部位である。なお、貫通穴部５ａの柱軸は側面部５ｂがなす円筒形状の筒軸と平行である。切り込み部５ｃは、貫通穴部５ａと側面部５ｂとの間を切断してなる部位である。切り込み部５ｃの表面は、貫通穴部５ａの表面と側面部５ｂの表面とを接続する。リング材料５を貫通穴部５ａの柱軸方向に見ると、その形状はいわゆるＣ字型である。
【００１８】
リング材料５の組成としては、ニッケル(Ni)，アルミニウム(Al)，ベリリウム(Be)，クロム(Cr)，モリブデン(Mo)，ニオブ(Nb)，チタン(Ti)，タングステン(W)，ジルコニウム(Zr)，ステンレス(SUS)のうちの何れか一つであり、あるいはこれらの組み合わせを含む合金を用いて好適である。これらの金属材はそのまま（あるいは空気中で酸化被膜を形成して）はんだの付着を防止する。リング材料５の厚みＤ1（すなわち、貫通穴部５ａの柱軸方向の高さ）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００１９】
はんだダム形成装置１０は、保持ハンド６，溶接棒７，拡大顕微鏡８，マニピュレータ９，作業台２０及び固定装置２１を備える。
保持ハンド６は、作業台２０に対して基端部を支持されたマニュアル操作型の多関節ロボットアームであり、マニピュレータ９への操作入力に応じて動作する。保持ハンド６の先端部には、図４に示すように、一対の可動部６ａ，腕部６ｂ，支持軸６ｃ，把持面６ｄ及び爪部６ｅが設けられる。
【００２０】
一対の可動部６ａは半円弧状に形成され、それぞれ一端を腕部６ｂに対して支持軸６ｃを介して回動可能に支持される。可動部６ａの他端には把持面６ｄが形成される。一対の可動部６ａは、互いに把持面６ｄを対向させて配置される。保持ハンド６は、一対の可動部６ａを回動させることにより、把持対象物を一対の把持面６ｄの間に把持する。また、把持面６ｄにおける支持軸６ｃ側の一側には、リング材料５の切り込み部５ｃを押し開くための爪部６ｅが突設される。
【００２１】
例えば、図５（ａ）に示すように、リング材料５の切り込み部５ｃを爪部６ｅで係止し、一対の可動部６ａをそれぞれ矢印Ａ，Ａ′方向へ回動させると、リング材料５が塑性変形して切り込み部５ｃが拡開する。これにより、リング材料５がリード１に対して取り付けやすい形状となる。
続いて、図５（ｂ）に示すように、リング材料５を把持面６ｄで把持した状態でリード１の所定位置に被せるように取り付ける。リード１が貫通穴部５ａの内部に位置する状態で一対の可動部６ａをそれぞれ矢印Ｂ，Ｂ′方向へ回動させると、リング材料５が塑性変形して切り込み部５ｃ間の隙間が狭められる。これにより、リング材料５は継ぎ目のある状態でリード１に固定される。
【００２２】
溶接棒７は、リード１に固定されたリング材料５の継ぎ目を塞ぐべく切り込み部５ｃを溶接する装置であり、マニピュレータ９への操作入力に応じて動作する。ここでいう溶接とは、母材であるリード１を溶融させることなくリング材料５のみを溶融させてリード１の表面に定着させる蝋付けを意味する。溶接棒７の先端はリング材料５の融点よりも高温に制御可能である。
【００２３】
例えば、図５（ｃ）に示すように、高温の溶接棒７の先端をリング材料５の切り込み部５ｃに接触させると、切り込み部５ｃの周りの金属材が溶融して継ぎ目が塞がれ、蝋付け部５ｄが形成される。これにより、リード１に対してリング材料５が溶着され、リード１の周囲（すなわち、全ての表面１ｃ及び側端面１ｄ）を囲む環状のはんだダム４が形成される。
【００２４】
拡大顕微鏡８は、マニピュレータ９を操作する作業者がはんだダム４の形成部位を目視確認するための装置である。作業者は、拡大顕微鏡８を覗きつつマニピュレータ９で保持ハンド６及び溶接棒７を操作して、リード１にリング材料５を取り付ける。
半導体パッケージ３は作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。固定装置２１には、図５（ｂ）に示すように、冷却装置２２が内蔵される。半導体パッケージ３は、リード１を鉛直方向に伸ばした姿勢で固定装置２１に挟持され、作業台２０に固定される。また、冷却装置２２は、溶接棒７による蝋付け作業時にリード１を冷却する装置である。例えば、リード１を挟持する部分が任意の冷却構造により冷却され、熱伝導によりリード１の全体が冷却される。
【００２５】
［１−３．プロセスチャート］
図６は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＡ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。
【００２６】
続いてマニピュレータ９が作業者により操作され、リング材料５が保持ハンド６にセットされる（ステップＡ２）。ここでは、保持ハンド６の爪部６ｅでリング材料５の切り込み部５ｃが押し広げられた後、そのリング材料５が把持面６ｄで把持される。なお、セットとは上記のようなリング材料５のリード１への取り付けのための準備を整えることを意味する。続くステップＡ３では、リード１にリング材料５が取り付けられる。このステップでリング材料５はリード１に対して仮固定されるが、一対の切り込み部５ｃ間には隙間が残存する。また、必要に応じてリング材料５の固定位置の微調整がこのステップで行われる。
【００２７】
一方、ステップＡ４ではマニピュレータ９が作業者により操作され、溶接棒７の先端の位置決めがなされる。このステップでは溶接棒７の先端がリング材料５の切り込み部５ｃと当接する位置に操作される。
続くステップＡ５では冷却装置２２が作動し、リード１の冷却が開始される。続くステップＡ６では溶接棒７の先端が高温に熱せられてリング材料５の継ぎ目が蝋付けされ、環状のはんだダム４が形成される。このステップでリング材料５がリード１に対して固定される。
【００２８】
なお、溶接棒７の熱に起因するリード１の反り返りや歪みを防止すべく、冷却装置２２によるリード１の冷却はこのステップの間も実施される。その後、続くステップＡ７においても冷却装置２２が作動し、溶接加工されたリング材料５の継ぎ目が冷却するまでの間はリード１の冷却がなされる。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００２９】
［１−４．作用］
上記のプロセスを経て形成されたはんだダム４を有する半導体パッケージ３の実装例を図７（ａ），（ｂ）に例示する。
表面実装の場合には、図７（ａ）に示すように、ほぼ水平に折り曲げられたリード１の先端１ａ側がプリント基板１７のランド１８上に載置され、先端１ａ及びランド１８間がはんだ付けされる。このとき、温度条件等によりランド１８上で溶融したはんだがリード１の表面１ｃや側端面１ｄを伝って樹脂封止部２側へと吸い上げられたとしても、その途上に形成されたはんだダム４にははんだが付着しにくいため、吸い上がり現象が抑制される。
【００３０】
これにより、はんだダム４の最下端部４ａよりも下方にはんだが押し留められ、図７（ａ）中に破線で示すように、良好な形状のはんだフィレット１９が形成される。
また、スルーホール実装の場合には、図７（ｂ）に示すように、リード１がプリント基板１７の板厚方向に貫通するスルーホール１７ａに差し込まれ、リード１の先端１ａとプリント基板１７上のランド１８とがはんだ付けされる。このとき、温度条件等によりはんだがスルーホール１７ａを通り抜けてリード１の表面１ｃや側端面１ｄを伝わり、樹脂封止部２側へと吸い上げられたとしても、その途上に形成されたはんだダム４によって吸い上がりが抑制される。
したがって、はんだダム４の最下端部４ａよりも下方にはんだが押し留められ、図７（ｂ）中に破線で示すように、良好な形状のはんだフィレット１９が形成される。
【００３１】
［１−５．効果］
上記の第一実施形態により得られる効果の一例について説明する。
リード１の所定位置にはんだが付着しない凹状のリング材料５を嵌合させることにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、リング材料５が蝋付けされていない状態（例えば、ステップＡ４）で微調整が可能であり、配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅はリング材料５の厚みＤ1に依存するため、リング材料５の製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００３２】
また、マニピュレータ９を用いてリング材料５が蝋付けされる対象となるリード１を選択することにより、半導体パッケージ３から延出する複数のリード１のうち、特定のリード１のみに対してはんだダム４を形成することができる。例えば、半導体パッケージ３のプリント基板１７への実装時にはんだの吸い上がり現象が生じやすいグラウンドリード線のみにはんだダムを形成することが可能である。
【００３３】
なお、リング材料５の厚みＤ1を大きくするほど幅の広いはんだダム４が形成され、リング材料５の厚みＤ1を小さくするほど幅の細いはんだダム４が形成される。したがって、要求されるはんだダム４の幅に応じてリング材料５の厚みＤ1を任意に設定することができる。より好ましくは、リング材料５の厚みＤ1を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、リング材料５に要求される強度や耐久性能，加工性を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００３４】
［２．第二実施形態］
［２−１．構成］
図８（ａ），（ｂ）を用いて第二実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置３０を説明する。第一実施形態では溶接（蝋付け）によりリング材料５をリード１に固定するものを例示したのに対し、第二実施形態ではカシメ材料１３をカシメ固定（機械的固定）することによりリード１に固定するものを例示する。
【００３５】
カシメ材料１３（嵌合部材）とは金属材からなる部材である。図８（ａ）に示すように、カシメ材料１３は、矩形の三辺からなる凹形状に形成され、その一辺をなす当接部１３ａと当接部１３ａの両端から互いに平行に延設された一対の屈曲部１３ｂとを備える。当接部１３ａは、リード１の一方の表面１ｃに接触する部位であり、屈曲部１３ｂは側端面１ｄ及び他方の表面１ｃに接触する部位である。屈曲部１３ｂにおける基端と先端との中間部には、切り欠き部１３ｃが切削形成され、それぞれの屈曲部１３ｂに形成された切り欠き部１３ｃが互いに向かい合うように配置される。屈曲部１３ｂは、切り欠き部１３ｃを屈曲点として内側へ屈曲しやすい形状である。
【００３６】
カシメ材料１３としては、リング材料５と同様に種々の金属材又は合金を用いることが考えられる。カシメ材料１３の厚みＤ2（すなわち、当接部１３ａからの屈曲部１３ｂの延設方向に対する垂直方向であり、かつ当接部１３ａの延在方向に対する垂直方向の寸法）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００３７】
はんだダム形成装置３０は、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２を備える。カシメ材料１３は、リード１とともにこれらの第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２間に挟み込まれて押圧され、カシメ固定される。第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２のそれぞれの押圧方向を図８（ａ）中に矢印Ｃ，Ｃ′で示す。なお、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２は予め位置を固定された所定のレール上を移動し、それらの移動軌跡は同一の直線（または曲線）を描く。また、半導体パッケージ３は、第一実施形態と同様に、作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。
【００３８】
第一カシメ部１１はカシメ材料１３を保持する部位である。第一カシメ部１１とカシメ材料１３との間には、押圧方向Ｃ，Ｃ′に垂直な方向へのカシメ材料１３の位置を設定するためのスペーサ１１ａが介装される。また、第二カシメ部１２は第一カシメ部１１に保持されたカシメ材料１３の屈曲部１３ｂを屈曲させてリード１に固定する部位である。
第二カシメ部１２における屈曲部１３ｂの先端と当接する部位には、屈曲部１３ｂの屈曲方向をカシメ材料１３の内側方向へと誘導する凹設部１２ａが設けられる。凹設部１２ａは、図８（ｂ）に示すように、傾きの異なる二つの面を有する。これらの二つの面はそれぞれ、一対の屈曲部１３ｂのそれぞれの先端に当接して屈曲部１３ｂを折り曲げる押圧力を付与する面であり、それぞれの面の法線１２ｂが第一カシメ部１１側で交わるようにそれぞれの面の勾配が設定される。すなわち、一方の屈曲部１３ｂとの当接部における法線１２ｂの方向は、他方の屈曲部１３側へと傾斜している。
【００３９】
これにより、例えば図９（ａ）に示すように、カシメ材料１３がリード１に嵌合し、リード１の周囲（すなわち、全ての表面１ｃ及び側端面１ｄ）を囲むようにカシメ固定されて環状のはんだダム４が形成される。なお、固定されたカシメ材料１３における一対の屈曲部１３ｂの先端同士は固定されていないため、継ぎ目のある状態でリード１に固定される場合がある。そこで、例えば図９（ｂ）に示すように、第一実施形態における溶接棒７を用いて継ぎ目の近傍を溶融させて蝋付け部１３ｄを形成してもよい。
【００４０】
［２−２．プロセスチャート］
図１０は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＢ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。続くステップＢ２では、第一カシメ部１１にカシメ材料１３がセットされる。カシメ材料１３は、スペーサ１１ａを介して第一カシメ部１１に支持される。このステップでは、スペーサ１１ａの位置が調整されてリード１に対するカシメ材料１３の相対位置が微調整される。なお、ここでいうセットとはカシメ材料１３のリード１への取り付けのための準備を整えることを意味する。
【００４１】
続くステップＢ３では、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２のそれぞれが図８（ａ）中の矢印Ｃ，Ｃ′方向へ移動する。このステップでカシメ材料１３の当接部１３ａがリード１の表面１ｃに当接し、また屈曲部１３ｂの先端が第二カシメ部１２の凹設部１２ａに接触する。さらに、第二カシメ部１２側から押圧された屈曲部１３ｂは切り欠き部１３ｃからカシメ材料１３の内側方向へと屈曲し、リード１の周囲を囲むように環状にカシメ固定される。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００４２】
なお、カシメ固定後のカシメ材料１３について、一対の屈曲部１３ｂの先端間に継ぎ目がある場合には、ステップＢ４へ進んでもよい。例えばステップＢ４では、マニピュレータ９を用いた手動操作により溶接棒７の先端の位置決めがなされ、溶接棒７の先端がカシメ材料１３の継ぎ目に近接する位置に操作される。
続くステップＢ５では冷却装置２２が作動し、リード１の冷却が開始される。続くステップＢ６では溶接棒７の先端が高温に熱せられてカシメ材料１３の継ぎ目が蝋付けされ、環状のはんだダム４が形成される。
【００４３】
なお、溶接棒７の熱に起因するリード１の反り返りや歪みを防止すべく、冷却装置２２によるリード１の冷却はこのステップの間も実施される。その後、続くステップＢ７においても冷却装置２２が作動し、溶接加工されたカシメ材料１３の継ぎ目が冷却するまでの間はリード１の冷却がなされる。このような工程を経て、継ぎ目のないはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００４４】
［２−３．効果］
リード１の所定位置にはんだが付着しない凹状のカシメ材料１３をカシメ固定することにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、スペーサ１１ａにより微調整が可能であり、配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅はカシメ材料１３の厚みＤ2に依存するため、カシメ材料１３の製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００４５】
また、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２は所定のレール上を移動するため、カシメ固定時に屈曲部１３ｂの先端を凹設部１２ａに正確に当接させることができ、カシメ形状を均一にすることができる。これにより、はんだダム４の形状の精度をより高めることができる。
また、カシメ材料１３をカシメ固定したときに継ぎ目が生じた場合であっても、加熱処理を施すことによって継ぎ目を蝋付けすることができ、環状のはんだダム４を形成することができる。
【００４６】
なお、要求されるはんだダム４の幅に応じてカシメ材料１３の厚みＤ2を任意に設定することができる。より好ましくは、カシメ材料１３の厚みＤ2を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、カシメ材料１３に要求される強度や耐久性能を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００４７】
［３．第三実施形態］
［３−１．構成］
図１１を用いて第三実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置４０を説明する。第二実施形態ではカシメ固定によりカシメ材料１３をリード１に固定するものを例示したのに対し、第三実施形態ではインク材をリード１に転写することにより定着させるものを例示する。
【００４８】
インク材は、その乾燥後にはんだの付着を防止する成分を含有し、すなわち、はんだのぬれ性を低下させる物質を含有する。さらに、このインク材ははんだの溶融温度に耐える耐熱性を有する物質を含有する。例えば、シリコーン樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の高分子合成樹脂を主成分とする顔料，油性インク，水性インク等がインク材として用いられる。
【００４９】
はんだダム形成装置４０は、インク材の転写に係る第一押圧部１４及び第二押圧部１５（ともに嵌合部材）を備える。第一押圧部１４及び第二押圧部１５は、スポンジ，ウレタンゴムといった樹脂や、アルミニウム合金，真鍮，ステンレスといった金属や、樹脂加工が施された硬質フェルトを材料としたインク材の転写用スタンプである。
これらの双方にインク材を塗布してリード１に嵌合させると、インク材はリード１とともにこれらの第一押圧部１４及び第二押圧部１５間に挟み込まれて押圧され、リード１の表面１ｃ及び側端面１ｄに定着する。第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれの押圧方向を図１１中に矢印Ｄ，Ｄ′で示す。
【００５０】
なお、第一押圧部１４及び第二押圧部１５は予め位置を固定された所定のレール上を移動し、それらの移動軌跡は同一の直線（または曲線）を描く。また、半導体パッケージ３は、第一実施形態と同様に、作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。なお、第三実施形態では固定装置２１に内蔵される冷却装置２２が不要であるが、必ずしも無用とはいえない。例えば、インク材の温度が高い場合には冷却装置２２を作動させてリード１を冷却してもよい。
【００５１】
第一押圧部１４には、リード１の一方の表面１ｃに面接触する第一嵌合面１４ａと、リード１の側端面１ｄのうちの表面１ｃに近接する一部に対して面接触する一対の第二嵌合面１４ｂとが形成される。第二嵌合面１４ｂは、矩形に形成された第一嵌合面１４ａの一側及び他側から、第一嵌合面１４ａに対する垂直方向に延設される。
インク材は、第一嵌合面１４ａ及び第二嵌合面１４ｂの双方に所定の厚みで塗布される。図１１に示すように、第一嵌合面１４ａ及び第二嵌合面１４ｂの高さＤ3（すなわち、第一嵌合面１４ａにおける第二嵌合面１４ｂが延設されていない二辺の並設方向の寸法）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００５２】
第二押圧部１５の形状は第一押圧部１４と同一であり、リード１の表面１ｃに面接触する第一嵌合面１５ａ及び側端面１ｄに面接触する一対の第二嵌合面１５ｂとを備える。第一押圧部１４と第二押圧部１５とをともにリード１に押し付けると、リード１が第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれに嵌合し、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの全てに面接触する。図１２に示すように、リード１の表面１ｃの幅をＷ1とし、側端面１ｄの幅をＷ2とおくと、第一嵌合面１４ａ，１５ａの幅寸法はＷ1であり、第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの第一嵌合面１４ａ，１５ａからの突出寸法はＷ2/2（Ｗ2の半分）である。
【００５３】
［３−２．プロセスチャート］
図１３は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＣ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。続くステップＣ２では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５にインク材が塗布される。ここでは、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの全てにインク材が均一に塗布される。
【００５４】
続くステップＣ３では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれが図１１中の矢印Ｄ，Ｄ′方向へと移動する。このステップで第一押圧部１４の第一嵌合面１４ａがリード１の一方の表面１ｃに面接触し、第二押圧部１５の第一嵌合面１５ａがリード１の他方の表面１ｃに面接触する。また同時に、リード１の側端面１ｄが第二嵌合面１４ｂ，１５ｂに面接触し、リード１の全周が第一押圧部１４及び第二押圧部１５によって環状に囲まれた状態となる。
【００５５】
さらに続くステップＣ４では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれがリード１から離れる方向へと移動する。このステップでインク材のリード１への転写が完了する。そして続くステップＣ５においてリード１の表面１ｃ及び側端面１ｄに転写されたインク材は自然乾燥する。なお、乾燥機を用いてリード１に転写されたインク材を強制的に乾燥させてもよい。
乾燥して定着したインク材は、はんだダム４として機能する部位となる。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００５６】
［３−３．作用，効果］
リード１に嵌合する第一押圧部１４及び第二押圧部１５を用いてインク材をリード１に塗布することにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、第一押圧部１４及び第二押圧部１５とリード１との相対位置から一意に定まるため、はんだダム４の配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅は第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3に依存するため、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００５７】
なお、要求されるはんだダム４の幅に応じて第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3を任意に設定することができる。より好ましくは、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂに要求される強度や耐久性能を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００５８】
［４．変形例］
上述した実施形態の一例に関わらず、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。
上述の第一実施形態では、作業員がマニピュレータ９を操作してリード１にはんだダム４を形成するものを示したが、例えば図６に示すプロセスを自動化することも考えられる。この場合、はんだダム４が形成されるリード１の位置（作業台２０上に対する相対位置及び配向）を予め特定しておくことで、はんだダム４の形成位置を正確に制御することができる。
【００５９】
また、上述の第一実施形態では、リング材料５をリード１に対して蝋付けする手法を用いたが、蝋付けの代わりに溶融溶接してもよい。例えば、はんだダム４の厚みに対してリード１が十分な厚みを有する場合には、リード１とともにリング材料５を溶融させて結合させてもよい。
また、上述の第一実施形態では半円弧状に形成された保持ハンド６を例示したが、保持ハンド６の代わりに、一対の棒材からなるピンセット状の把持装置を用いてもよい。また、保持ハンド６によるリング材料５の保持性を高めるべく、把持面５ｄに合成樹脂やゴムからなる滑り止め部材を貼付してもよい。あるいは、把持面５ｄを溝状に切削形成するとともに溝内にリング部材５を係止して脱落を防止することも一案である。すなわち、多関節ロボットアームの具体的な形状は任意である。
【００６０】
また、上述の実施形態では、半導体パッケージ３のリード１にはんだダム４を形成するはんだダム形成装置１０，３０，４０を例示したが、はんだダム４の形成対象はこれに限定されない。例えば、図１４に示すように、金属板から打ち抜かれる前の複数のリード１を有する帯状のリードフレーム１６をはんだダム４の形成対象とすることが考えられる。この場合、リードフレーム１６の一端を固定装置２１に固定すれば、上述の実施形態と同様の作用効果を奏するものとなる。
【００６１】
なお、上述した各実施形態及び変形例に関わらず、これらの趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。また、上述した開示により本実施形態を当業者によって実施・製造することが可能である。
以上の実施形態および変形例に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６２】
（付記１）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【００６３】
（付記２）
はんだが付着しない金属材を前記嵌合材として用いる
ことを特徴とする、付記１記載のはんだダム形成方法。
（付記３）
前記金属材を前記対象リードに嵌合させた後に、溶接加工又は蝋付け加工を施す
ことを特徴とする、付記２記載のはんだダム形成方法。
【００６４】
（付記４）
前記対象リードに対して前記嵌合部材を嵌合させた後に、カシメ固定する
ことを特徴とする、付記１又は２記載のはんだダム形成方法。
（付記５）
前記対象リードに嵌合した前記嵌合部材の全体に加熱処理を施す
ことを特徴とする、付記４記載のはんだダム形成方法。
【００６５】
（付記６）
はんだの付着を防止するインク材を前記嵌合部材に付着させ、前記インク材を前記対象リードに転写する
ことを特徴とする、付記１記載のはんだダム形成方法。
（付記７）
前記対象リードに転写された前記インク材を乾燥定着させる
ことを特徴とする、付記６記載のはんだダム形成方法。
【００６６】
（付記８）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させる工程と、
前記対象リードに嵌合した前記嵌合部材の継ぎ目に溶接加工又は蝋付け加工を施して、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する工程と、を備える
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【００６７】
（付記９）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードに対応する凹形状の嵌合部材にインク材を塗布する工程と、
前記インク材が塗布された前記嵌合部材を前記対象リードの所定位置に嵌合させて、前記インク材を前記対象リードに転写する工程と、
前記対象リードに転写された前記インク材を乾燥させて前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する工程と、を備える
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【符号の説明】
【００６８】
１ リード（対象リード）
１ａ 先端
１ｂ 基端
１ｃ 表面
１ｄ 側端面
２ 樹脂封止部
３ 半導体パッケージ（電子部品）
４ はんだダム
４ａ 最下端部
５ リング材料（嵌合部材）
５ａ 貫通穴部
５ｂ 側面部
５ｃ 切り込み部
５ｄ 蝋付け部
６ 保持ハンド
６ａ 可動部
６ｂ 腕部
６ｃ 支持軸
６ｄ 把持面
６ｅ 爪部
７ 溶接棒
８ 拡大顕微鏡
９ マニピュレータ
１０，３０，４０ はんだダム形成装置
１１ 第一カシメ部
１１ａ スペーサ
１２ 第二カシメ部
１２ａ 凹設部
１３ カシメ材料（嵌合部材）
１３ａ 当接部
１３ｂ 屈曲部
１３ｃ 切り欠き部
１３ｄ 蝋付け部
１４ 第一押圧部（嵌合部材）
１４ａ 第一嵌合面
１４ｂ 第二嵌合面
１５ 第二押圧部（嵌合部材）
１５ａ 第一嵌合面
１５ｂ 第二嵌合面
１６ リードフレーム
１７ プリント基板
１７ａ スルーホール
１８ ランド
１９ はんだフィレット
２０ 作業台
２１ 固定装置
２２ 冷却装置
【技術分野】
【０００１】
本件は、電子部品のリードにはんだダムを形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板に電子部品を実装する方式の一つとして、リフロー方式が知られている。リフロー方式とは、ペースト状のはんだがあらかじめ塗布又は印刷された基板上に電子部品を載置した後、リフロー炉と呼ばれる加熱装置で基板全体を加熱してはんだを溶融させ、電子部品のリードを基板上の所定位置にはんだ接合する方式である。リフロー炉は、例えば遠赤外線ヒータや温風ヒータ等を内蔵しており、炉内の温度を正確に制御することによって基板上のはんだを均一に溶融する。
【０００３】
ところで、溶融したはんだのぬれ性（はんだの流動性や広がりやすさ）は、はんだが付着する部位の温度によって変化する。一方、リフロー炉内の温度が均一であったとしても、基板とリードとの熱容量の相違により、リードが接合される基板上のランドの温度よりもリード自体の温度が高温になることがある。この場合、基板上で溶融したはんだがリードの表面を伝って電子部品の樹脂封止部側へと吸い上げられるいわゆる吸い上がり現象が生じ、リードとプリント基板のランドとの間に接合不良が発生しやすくなる。
【０００４】
このような課題に対し、リード表面にソルダーレジスト層を形成してはんだの吸い上がり現象を防止する技術が知られている。この技術では、リードを液状のソルダーレジストに浸漬してリード表面に膜状のレジスト層を形成し、その後、剥離液を用いてリードの先端部分のレジスト層を剥離してはんだ接合部を形成する。つまり、リードの先端以外の部位をレジスト層で覆うことで、はんだの吸い上がり現象を防止する。
【０００５】
また、リードの周面にフッ素やシリコーンを塗布してはんだ上がりを防止する技術も知られている。すなわち、はんだが付着しないはんだ上がり設定（すなわち、はんだダムに対応する部位）をリード上に設け、リードの先端側から基端側へのはんだの濡れ上がりを防止するものである（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２６１１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前者の技術では、はんだダムが不要である部位にも一旦レジスト層が形成されるため、剥離される分のソルダーレジストが無駄になり製造コストが増大する。また、剥離されずに残ったレジスト層がはんだダムとなるため、ソルダーレジストの粘度，剥離液の濃度，剥離液の塗布精度といったさまざまな要因がはんだダムの寸法精度に影響を及ぼすことになる。したがって、緻密なはんだダムの形成が難しく、ピッチの狭い微細リードに適用することが困難であるという課題がある。
【０００８】
また、後者の技術では、はんだダムの形成精度がフッ素やシリコーンの塗布精度に依存するため、緻密なはんだダムを形成することが難しいという課題がある。
本件の目的の一つは、このような課題に鑑み創案されたもので、はんだダムの形成精度を向上させ、あるいは緻密なはんだダムを形成することである。
なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本件の他の目的として位置づけることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このため、開示のはんだダム形成方法は、電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、ダムの形成位置の精度を向上させることができ、緻密なはんだダムを形成することができることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係るはんだダム形成方法で製造される半導体パッケージの例示であり、（ａ）はその全体斜視図、（ｂ）はその要部拡大斜視図である。
【図２】第一実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の全体構成を示す斜視図である。
【図３】第一実施形態に係るはんだダム形成方法で用いられるリング材料を示す斜視図である。
【図４】図２のはんだダム形成装置の要部を拡大して示す斜視図である。
【図５】第一実施形態に係るはんだダム形成方法を説明する図であり、（ａ）はリードに取り付けられる前のリング材料及び保持ハンドを示す上面図、（ｂ）はその保持ハンドによるリング材料の取り付け状態を示す斜視図、（ｃ）はそのリング材料が蝋付けされたリードを示す斜視図である。
【図６】第一実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図７】第一実施形態に係るはんだダム形成方法で製造された半導体パッケージの実装例を示す図であり、（ａ）は表面実装の場合、（ｂ）はスルーホール実装の場合を示す。
【図８】第二実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の構成を示す図であり、（ａ）はその全体斜視図、（ｂ）はカシメ固定に係る第二カシメ部の横断面図である。
【図９】第二実施形態に係るはんだダム形成方法を説明する斜視図であり、（ａ）はカシメ材料がカシメ固定されたリード、（ｂ）はそのカシメ材料に加熱加工が施されたリードを示す。
【図１０】第二実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図１１】第三実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置の構成を示す斜視図である。
【図１２】第三実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するための横断面図である。
【図１３】第三実施形態に係るはんだダム形成方法を説明するためのプロセスチャートである。
【図１４】変形例に係るはんだダム形成方法で使用されるリードフレームの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本はんだダム形成方法に係る実施の形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態は、あくまでも例示に過ぎず、以下に示す実施形態で明示しない種々の変形や技術の適用を排除する意図はない。すなわち、本実施形態を、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形（各実施形態及び各変形例を組み合わせる等）して実施することができる。
【００１３】
［１．第一実施形態］
［１−１．はんだダムの概要］
第一実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置は、電子部品のリードにはんだダムを形成するものである。はんだダムは、はんだが付着しにくい物質によって形成された部位であり、溶融したはんだの流れを堰き止める機能を有する。
【００１４】
例えば図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体パッケージ３（電子部品）の樹脂封止部２から外部へ延びるリード１の中途において、リード１をその先端１ａ側と基端１ｂ側とに分断するように、リード１の外周を囲って環状にはんだダム４が形成される。はんだダム４は、はんだの物理的な移動（リード１の先端１ａ側から基端１ｂ側への吸い上がり）を抑制する面であるといえる。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、リード１は金属板を精密金型で打ち抜いて成形（スタンピング成形）された板状の部材である。以下、リード１における面状の部位を表面１ｃと呼び、板厚方向に形成された切断面（小口部分）を側端面１ｄと呼ぶ。はんだダム４は、表面１ｃ及び側端面１ｄの双方にわたって形成される。
なお、図１（ｂ）の例では、一対のはんだダム４がリード１の先端１ａから基端１ｂへ向かう方向に並んで二重に形成されている。
【００１６】
［１−２．構成］
図２は、はんだダム形成装置１０の構成の一例を示す図である。このはんだダム形成装置１０は、半導体パッケージ３から延出する複数のリード群のうち、任意のリード１（対象リード）の所定位置に凹状に形成されたリング材料５（嵌合部材）を嵌合させてはんだダム４を形成する装置である。
【００１７】
リング材料５とは金属材からなる部材であり、図３に示すように、貫通穴部５ａ，側面部５ｂ及び切り込み部５ｃを有する。
貫通穴部５ａは角柱状の空洞であり、リード１の外形に対応する大きさに形成される。つまり、貫通穴部５ａはリード１に対して密嵌しうる形状である。側面部５ｂは円筒面をなす部位である。なお、貫通穴部５ａの柱軸は側面部５ｂがなす円筒形状の筒軸と平行である。切り込み部５ｃは、貫通穴部５ａと側面部５ｂとの間を切断してなる部位である。切り込み部５ｃの表面は、貫通穴部５ａの表面と側面部５ｂの表面とを接続する。リング材料５を貫通穴部５ａの柱軸方向に見ると、その形状はいわゆるＣ字型である。
【００１８】
リング材料５の組成としては、ニッケル(Ni)，アルミニウム(Al)，ベリリウム(Be)，クロム(Cr)，モリブデン(Mo)，ニオブ(Nb)，チタン(Ti)，タングステン(W)，ジルコニウム(Zr)，ステンレス(SUS)のうちの何れか一つであり、あるいはこれらの組み合わせを含む合金を用いて好適である。これらの金属材はそのまま（あるいは空気中で酸化被膜を形成して）はんだの付着を防止する。リング材料５の厚みＤ1（すなわち、貫通穴部５ａの柱軸方向の高さ）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００１９】
はんだダム形成装置１０は、保持ハンド６，溶接棒７，拡大顕微鏡８，マニピュレータ９，作業台２０及び固定装置２１を備える。
保持ハンド６は、作業台２０に対して基端部を支持されたマニュアル操作型の多関節ロボットアームであり、マニピュレータ９への操作入力に応じて動作する。保持ハンド６の先端部には、図４に示すように、一対の可動部６ａ，腕部６ｂ，支持軸６ｃ，把持面６ｄ及び爪部６ｅが設けられる。
【００２０】
一対の可動部６ａは半円弧状に形成され、それぞれ一端を腕部６ｂに対して支持軸６ｃを介して回動可能に支持される。可動部６ａの他端には把持面６ｄが形成される。一対の可動部６ａは、互いに把持面６ｄを対向させて配置される。保持ハンド６は、一対の可動部６ａを回動させることにより、把持対象物を一対の把持面６ｄの間に把持する。また、把持面６ｄにおける支持軸６ｃ側の一側には、リング材料５の切り込み部５ｃを押し開くための爪部６ｅが突設される。
【００２１】
例えば、図５（ａ）に示すように、リング材料５の切り込み部５ｃを爪部６ｅで係止し、一対の可動部６ａをそれぞれ矢印Ａ，Ａ′方向へ回動させると、リング材料５が塑性変形して切り込み部５ｃが拡開する。これにより、リング材料５がリード１に対して取り付けやすい形状となる。
続いて、図５（ｂ）に示すように、リング材料５を把持面６ｄで把持した状態でリード１の所定位置に被せるように取り付ける。リード１が貫通穴部５ａの内部に位置する状態で一対の可動部６ａをそれぞれ矢印Ｂ，Ｂ′方向へ回動させると、リング材料５が塑性変形して切り込み部５ｃ間の隙間が狭められる。これにより、リング材料５は継ぎ目のある状態でリード１に固定される。
【００２２】
溶接棒７は、リード１に固定されたリング材料５の継ぎ目を塞ぐべく切り込み部５ｃを溶接する装置であり、マニピュレータ９への操作入力に応じて動作する。ここでいう溶接とは、母材であるリード１を溶融させることなくリング材料５のみを溶融させてリード１の表面に定着させる蝋付けを意味する。溶接棒７の先端はリング材料５の融点よりも高温に制御可能である。
【００２３】
例えば、図５（ｃ）に示すように、高温の溶接棒７の先端をリング材料５の切り込み部５ｃに接触させると、切り込み部５ｃの周りの金属材が溶融して継ぎ目が塞がれ、蝋付け部５ｄが形成される。これにより、リード１に対してリング材料５が溶着され、リード１の周囲（すなわち、全ての表面１ｃ及び側端面１ｄ）を囲む環状のはんだダム４が形成される。
【００２４】
拡大顕微鏡８は、マニピュレータ９を操作する作業者がはんだダム４の形成部位を目視確認するための装置である。作業者は、拡大顕微鏡８を覗きつつマニピュレータ９で保持ハンド６及び溶接棒７を操作して、リード１にリング材料５を取り付ける。
半導体パッケージ３は作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。固定装置２１には、図５（ｂ）に示すように、冷却装置２２が内蔵される。半導体パッケージ３は、リード１を鉛直方向に伸ばした姿勢で固定装置２１に挟持され、作業台２０に固定される。また、冷却装置２２は、溶接棒７による蝋付け作業時にリード１を冷却する装置である。例えば、リード１を挟持する部分が任意の冷却構造により冷却され、熱伝導によりリード１の全体が冷却される。
【００２５】
［１−３．プロセスチャート］
図６は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＡ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。
【００２６】
続いてマニピュレータ９が作業者により操作され、リング材料５が保持ハンド６にセットされる（ステップＡ２）。ここでは、保持ハンド６の爪部６ｅでリング材料５の切り込み部５ｃが押し広げられた後、そのリング材料５が把持面６ｄで把持される。なお、セットとは上記のようなリング材料５のリード１への取り付けのための準備を整えることを意味する。続くステップＡ３では、リード１にリング材料５が取り付けられる。このステップでリング材料５はリード１に対して仮固定されるが、一対の切り込み部５ｃ間には隙間が残存する。また、必要に応じてリング材料５の固定位置の微調整がこのステップで行われる。
【００２７】
一方、ステップＡ４ではマニピュレータ９が作業者により操作され、溶接棒７の先端の位置決めがなされる。このステップでは溶接棒７の先端がリング材料５の切り込み部５ｃと当接する位置に操作される。
続くステップＡ５では冷却装置２２が作動し、リード１の冷却が開始される。続くステップＡ６では溶接棒７の先端が高温に熱せられてリング材料５の継ぎ目が蝋付けされ、環状のはんだダム４が形成される。このステップでリング材料５がリード１に対して固定される。
【００２８】
なお、溶接棒７の熱に起因するリード１の反り返りや歪みを防止すべく、冷却装置２２によるリード１の冷却はこのステップの間も実施される。その後、続くステップＡ７においても冷却装置２２が作動し、溶接加工されたリング材料５の継ぎ目が冷却するまでの間はリード１の冷却がなされる。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００２９】
［１−４．作用］
上記のプロセスを経て形成されたはんだダム４を有する半導体パッケージ３の実装例を図７（ａ），（ｂ）に例示する。
表面実装の場合には、図７（ａ）に示すように、ほぼ水平に折り曲げられたリード１の先端１ａ側がプリント基板１７のランド１８上に載置され、先端１ａ及びランド１８間がはんだ付けされる。このとき、温度条件等によりランド１８上で溶融したはんだがリード１の表面１ｃや側端面１ｄを伝って樹脂封止部２側へと吸い上げられたとしても、その途上に形成されたはんだダム４にははんだが付着しにくいため、吸い上がり現象が抑制される。
【００３０】
これにより、はんだダム４の最下端部４ａよりも下方にはんだが押し留められ、図７（ａ）中に破線で示すように、良好な形状のはんだフィレット１９が形成される。
また、スルーホール実装の場合には、図７（ｂ）に示すように、リード１がプリント基板１７の板厚方向に貫通するスルーホール１７ａに差し込まれ、リード１の先端１ａとプリント基板１７上のランド１８とがはんだ付けされる。このとき、温度条件等によりはんだがスルーホール１７ａを通り抜けてリード１の表面１ｃや側端面１ｄを伝わり、樹脂封止部２側へと吸い上げられたとしても、その途上に形成されたはんだダム４によって吸い上がりが抑制される。
したがって、はんだダム４の最下端部４ａよりも下方にはんだが押し留められ、図７（ｂ）中に破線で示すように、良好な形状のはんだフィレット１９が形成される。
【００３１】
［１−５．効果］
上記の第一実施形態により得られる効果の一例について説明する。
リード１の所定位置にはんだが付着しない凹状のリング材料５を嵌合させることにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、リング材料５が蝋付けされていない状態（例えば、ステップＡ４）で微調整が可能であり、配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅はリング材料５の厚みＤ1に依存するため、リング材料５の製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００３２】
また、マニピュレータ９を用いてリング材料５が蝋付けされる対象となるリード１を選択することにより、半導体パッケージ３から延出する複数のリード１のうち、特定のリード１のみに対してはんだダム４を形成することができる。例えば、半導体パッケージ３のプリント基板１７への実装時にはんだの吸い上がり現象が生じやすいグラウンドリード線のみにはんだダムを形成することが可能である。
【００３３】
なお、リング材料５の厚みＤ1を大きくするほど幅の広いはんだダム４が形成され、リング材料５の厚みＤ1を小さくするほど幅の細いはんだダム４が形成される。したがって、要求されるはんだダム４の幅に応じてリング材料５の厚みＤ1を任意に設定することができる。より好ましくは、リング材料５の厚みＤ1を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、リング材料５に要求される強度や耐久性能，加工性を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００３４】
［２．第二実施形態］
［２−１．構成］
図８（ａ），（ｂ）を用いて第二実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置３０を説明する。第一実施形態では溶接（蝋付け）によりリング材料５をリード１に固定するものを例示したのに対し、第二実施形態ではカシメ材料１３をカシメ固定（機械的固定）することによりリード１に固定するものを例示する。
【００３５】
カシメ材料１３（嵌合部材）とは金属材からなる部材である。図８（ａ）に示すように、カシメ材料１３は、矩形の三辺からなる凹形状に形成され、その一辺をなす当接部１３ａと当接部１３ａの両端から互いに平行に延設された一対の屈曲部１３ｂとを備える。当接部１３ａは、リード１の一方の表面１ｃに接触する部位であり、屈曲部１３ｂは側端面１ｄ及び他方の表面１ｃに接触する部位である。屈曲部１３ｂにおける基端と先端との中間部には、切り欠き部１３ｃが切削形成され、それぞれの屈曲部１３ｂに形成された切り欠き部１３ｃが互いに向かい合うように配置される。屈曲部１３ｂは、切り欠き部１３ｃを屈曲点として内側へ屈曲しやすい形状である。
【００３６】
カシメ材料１３としては、リング材料５と同様に種々の金属材又は合金を用いることが考えられる。カシメ材料１３の厚みＤ2（すなわち、当接部１３ａからの屈曲部１３ｂの延設方向に対する垂直方向であり、かつ当接部１３ａの延在方向に対する垂直方向の寸法）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００３７】
はんだダム形成装置３０は、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２を備える。カシメ材料１３は、リード１とともにこれらの第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２間に挟み込まれて押圧され、カシメ固定される。第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２のそれぞれの押圧方向を図８（ａ）中に矢印Ｃ，Ｃ′で示す。なお、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２は予め位置を固定された所定のレール上を移動し、それらの移動軌跡は同一の直線（または曲線）を描く。また、半導体パッケージ３は、第一実施形態と同様に、作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。
【００３８】
第一カシメ部１１はカシメ材料１３を保持する部位である。第一カシメ部１１とカシメ材料１３との間には、押圧方向Ｃ，Ｃ′に垂直な方向へのカシメ材料１３の位置を設定するためのスペーサ１１ａが介装される。また、第二カシメ部１２は第一カシメ部１１に保持されたカシメ材料１３の屈曲部１３ｂを屈曲させてリード１に固定する部位である。
第二カシメ部１２における屈曲部１３ｂの先端と当接する部位には、屈曲部１３ｂの屈曲方向をカシメ材料１３の内側方向へと誘導する凹設部１２ａが設けられる。凹設部１２ａは、図８（ｂ）に示すように、傾きの異なる二つの面を有する。これらの二つの面はそれぞれ、一対の屈曲部１３ｂのそれぞれの先端に当接して屈曲部１３ｂを折り曲げる押圧力を付与する面であり、それぞれの面の法線１２ｂが第一カシメ部１１側で交わるようにそれぞれの面の勾配が設定される。すなわち、一方の屈曲部１３ｂとの当接部における法線１２ｂの方向は、他方の屈曲部１３側へと傾斜している。
【００３９】
これにより、例えば図９（ａ）に示すように、カシメ材料１３がリード１に嵌合し、リード１の周囲（すなわち、全ての表面１ｃ及び側端面１ｄ）を囲むようにカシメ固定されて環状のはんだダム４が形成される。なお、固定されたカシメ材料１３における一対の屈曲部１３ｂの先端同士は固定されていないため、継ぎ目のある状態でリード１に固定される場合がある。そこで、例えば図９（ｂ）に示すように、第一実施形態における溶接棒７を用いて継ぎ目の近傍を溶融させて蝋付け部１３ｄを形成してもよい。
【００４０】
［２−２．プロセスチャート］
図１０は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＢ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。続くステップＢ２では、第一カシメ部１１にカシメ材料１３がセットされる。カシメ材料１３は、スペーサ１１ａを介して第一カシメ部１１に支持される。このステップでは、スペーサ１１ａの位置が調整されてリード１に対するカシメ材料１３の相対位置が微調整される。なお、ここでいうセットとはカシメ材料１３のリード１への取り付けのための準備を整えることを意味する。
【００４１】
続くステップＢ３では、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２のそれぞれが図８（ａ）中の矢印Ｃ，Ｃ′方向へ移動する。このステップでカシメ材料１３の当接部１３ａがリード１の表面１ｃに当接し、また屈曲部１３ｂの先端が第二カシメ部１２の凹設部１２ａに接触する。さらに、第二カシメ部１２側から押圧された屈曲部１３ｂは切り欠き部１３ｃからカシメ材料１３の内側方向へと屈曲し、リード１の周囲を囲むように環状にカシメ固定される。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００４２】
なお、カシメ固定後のカシメ材料１３について、一対の屈曲部１３ｂの先端間に継ぎ目がある場合には、ステップＢ４へ進んでもよい。例えばステップＢ４では、マニピュレータ９を用いた手動操作により溶接棒７の先端の位置決めがなされ、溶接棒７の先端がカシメ材料１３の継ぎ目に近接する位置に操作される。
続くステップＢ５では冷却装置２２が作動し、リード１の冷却が開始される。続くステップＢ６では溶接棒７の先端が高温に熱せられてカシメ材料１３の継ぎ目が蝋付けされ、環状のはんだダム４が形成される。
【００４３】
なお、溶接棒７の熱に起因するリード１の反り返りや歪みを防止すべく、冷却装置２２によるリード１の冷却はこのステップの間も実施される。その後、続くステップＢ７においても冷却装置２２が作動し、溶接加工されたカシメ材料１３の継ぎ目が冷却するまでの間はリード１の冷却がなされる。このような工程を経て、継ぎ目のないはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００４４】
［２−３．効果］
リード１の所定位置にはんだが付着しない凹状のカシメ材料１３をカシメ固定することにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、スペーサ１１ａにより微調整が可能であり、配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅はカシメ材料１３の厚みＤ2に依存するため、カシメ材料１３の製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００４５】
また、第一カシメ部１１及び第二カシメ部１２は所定のレール上を移動するため、カシメ固定時に屈曲部１３ｂの先端を凹設部１２ａに正確に当接させることができ、カシメ形状を均一にすることができる。これにより、はんだダム４の形状の精度をより高めることができる。
また、カシメ材料１３をカシメ固定したときに継ぎ目が生じた場合であっても、加熱処理を施すことによって継ぎ目を蝋付けすることができ、環状のはんだダム４を形成することができる。
【００４６】
なお、要求されるはんだダム４の幅に応じてカシメ材料１３の厚みＤ2を任意に設定することができる。より好ましくは、カシメ材料１３の厚みＤ2を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、カシメ材料１３に要求される強度や耐久性能を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００４７】
［３．第三実施形態］
［３−１．構成］
図１１を用いて第三実施形態に係るはんだダム形成方法が適用されるはんだダム形成装置４０を説明する。第二実施形態ではカシメ固定によりカシメ材料１３をリード１に固定するものを例示したのに対し、第三実施形態ではインク材をリード１に転写することにより定着させるものを例示する。
【００４８】
インク材は、その乾燥後にはんだの付着を防止する成分を含有し、すなわち、はんだのぬれ性を低下させる物質を含有する。さらに、このインク材ははんだの溶融温度に耐える耐熱性を有する物質を含有する。例えば、シリコーン樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の高分子合成樹脂を主成分とする顔料，油性インク，水性インク等がインク材として用いられる。
【００４９】
はんだダム形成装置４０は、インク材の転写に係る第一押圧部１４及び第二押圧部１５（ともに嵌合部材）を備える。第一押圧部１４及び第二押圧部１５は、スポンジ，ウレタンゴムといった樹脂や、アルミニウム合金，真鍮，ステンレスといった金属や、樹脂加工が施された硬質フェルトを材料としたインク材の転写用スタンプである。
これらの双方にインク材を塗布してリード１に嵌合させると、インク材はリード１とともにこれらの第一押圧部１４及び第二押圧部１５間に挟み込まれて押圧され、リード１の表面１ｃ及び側端面１ｄに定着する。第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれの押圧方向を図１１中に矢印Ｄ，Ｄ′で示す。
【００５０】
なお、第一押圧部１４及び第二押圧部１５は予め位置を固定された所定のレール上を移動し、それらの移動軌跡は同一の直線（または曲線）を描く。また、半導体パッケージ３は、第一実施形態と同様に、作業台２０上に設けられた固定装置２１に固定される。なお、第三実施形態では固定装置２１に内蔵される冷却装置２２が不要であるが、必ずしも無用とはいえない。例えば、インク材の温度が高い場合には冷却装置２２を作動させてリード１を冷却してもよい。
【００５１】
第一押圧部１４には、リード１の一方の表面１ｃに面接触する第一嵌合面１４ａと、リード１の側端面１ｄのうちの表面１ｃに近接する一部に対して面接触する一対の第二嵌合面１４ｂとが形成される。第二嵌合面１４ｂは、矩形に形成された第一嵌合面１４ａの一側及び他側から、第一嵌合面１４ａに対する垂直方向に延設される。
インク材は、第一嵌合面１４ａ及び第二嵌合面１４ｂの双方に所定の厚みで塗布される。図１１に示すように、第一嵌合面１４ａ及び第二嵌合面１４ｂの高さＤ3（すなわち、第一嵌合面１４ａにおける第二嵌合面１４ｂが延設されていない二辺の並設方向の寸法）は、形成したいはんだダム４のダム幅に応じて任意に設定される。好ましくは0.1〜1.0mmの範囲とする。
【００５２】
第二押圧部１５の形状は第一押圧部１４と同一であり、リード１の表面１ｃに面接触する第一嵌合面１５ａ及び側端面１ｄに面接触する一対の第二嵌合面１５ｂとを備える。第一押圧部１４と第二押圧部１５とをともにリード１に押し付けると、リード１が第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれに嵌合し、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの全てに面接触する。図１２に示すように、リード１の表面１ｃの幅をＷ1とし、側端面１ｄの幅をＷ2とおくと、第一嵌合面１４ａ，１５ａの幅寸法はＷ1であり、第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの第一嵌合面１４ａ，１５ａからの突出寸法はＷ2/2（Ｗ2の半分）である。
【００５３】
［３−２．プロセスチャート］
図１３は、はんだダム形成方法の一例を説明するプロセスチャート（製造工程図）である。ここでは、はんだダム４を形成する制御における一サイクルの制御内容が時系列に従って列挙されている。
ステップＣ１では、半導体パッケージ３が固定装置２１に固定される。ここでリード１が作業台２０に対して固定される。続くステップＣ２では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５にインク材が塗布される。ここでは、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの全てにインク材が均一に塗布される。
【００５４】
続くステップＣ３では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれが図１１中の矢印Ｄ，Ｄ′方向へと移動する。このステップで第一押圧部１４の第一嵌合面１４ａがリード１の一方の表面１ｃに面接触し、第二押圧部１５の第一嵌合面１５ａがリード１の他方の表面１ｃに面接触する。また同時に、リード１の側端面１ｄが第二嵌合面１４ｂ，１５ｂに面接触し、リード１の全周が第一押圧部１４及び第二押圧部１５によって環状に囲まれた状態となる。
【００５５】
さらに続くステップＣ４では、第一押圧部１４及び第二押圧部１５のそれぞれがリード１から離れる方向へと移動する。このステップでインク材のリード１への転写が完了する。そして続くステップＣ５においてリード１の表面１ｃ及び側端面１ｄに転写されたインク材は自然乾燥する。なお、乾燥機を用いてリード１に転写されたインク材を強制的に乾燥させてもよい。
乾燥して定着したインク材は、はんだダム４として機能する部位となる。このような工程を経て、リード１にはんだダム４が形成された半導体パッケージ３が完成する。
【００５６】
［３−３．作用，効果］
リード１に嵌合する第一押圧部１４及び第二押圧部１５を用いてインク材をリード１に塗布することにより、はんだダム４の形成位置及び形成幅の精度を向上させることができる。すなわち、はんだダム４の形成位置は、第一押圧部１４及び第二押圧部１５とリード１との相対位置から一意に定まるため、はんだダム４の配置精度を向上させることが容易である。また、はんだダム４の形成幅は第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3に依存するため、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの製造精度を高めるほどはんだダム４の形成精度を格段に向上させることが可能である。
【００５７】
なお、要求されるはんだダム４の幅に応じて第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3を任意に設定することができる。より好ましくは、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂの高さＤ3を0.1〜1.0mmの範囲内で設定する。この場合、第一嵌合面１４ａ，１５ａ及び第二嵌合面１４ｂ，１５ｂに要求される強度や耐久性能を確保しつつ、緻密なはんだダム４を形成することができる。
【００５８】
［４．変形例］
上述した実施形態の一例に関わらず、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。
上述の第一実施形態では、作業員がマニピュレータ９を操作してリード１にはんだダム４を形成するものを示したが、例えば図６に示すプロセスを自動化することも考えられる。この場合、はんだダム４が形成されるリード１の位置（作業台２０上に対する相対位置及び配向）を予め特定しておくことで、はんだダム４の形成位置を正確に制御することができる。
【００５９】
また、上述の第一実施形態では、リング材料５をリード１に対して蝋付けする手法を用いたが、蝋付けの代わりに溶融溶接してもよい。例えば、はんだダム４の厚みに対してリード１が十分な厚みを有する場合には、リード１とともにリング材料５を溶融させて結合させてもよい。
また、上述の第一実施形態では半円弧状に形成された保持ハンド６を例示したが、保持ハンド６の代わりに、一対の棒材からなるピンセット状の把持装置を用いてもよい。また、保持ハンド６によるリング材料５の保持性を高めるべく、把持面５ｄに合成樹脂やゴムからなる滑り止め部材を貼付してもよい。あるいは、把持面５ｄを溝状に切削形成するとともに溝内にリング部材５を係止して脱落を防止することも一案である。すなわち、多関節ロボットアームの具体的な形状は任意である。
【００６０】
また、上述の実施形態では、半導体パッケージ３のリード１にはんだダム４を形成するはんだダム形成装置１０，３０，４０を例示したが、はんだダム４の形成対象はこれに限定されない。例えば、図１４に示すように、金属板から打ち抜かれる前の複数のリード１を有する帯状のリードフレーム１６をはんだダム４の形成対象とすることが考えられる。この場合、リードフレーム１６の一端を固定装置２１に固定すれば、上述の実施形態と同様の作用効果を奏するものとなる。
【００６１】
なお、上述した各実施形態及び変形例に関わらず、これらの趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。また、上述した開示により本実施形態を当業者によって実施・製造することが可能である。
以上の実施形態および変形例に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００６２】
（付記１）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【００６３】
（付記２）
はんだが付着しない金属材を前記嵌合材として用いる
ことを特徴とする、付記１記載のはんだダム形成方法。
（付記３）
前記金属材を前記対象リードに嵌合させた後に、溶接加工又は蝋付け加工を施す
ことを特徴とする、付記２記載のはんだダム形成方法。
【００６４】
（付記４）
前記対象リードに対して前記嵌合部材を嵌合させた後に、カシメ固定する
ことを特徴とする、付記１又は２記載のはんだダム形成方法。
（付記５）
前記対象リードに嵌合した前記嵌合部材の全体に加熱処理を施す
ことを特徴とする、付記４記載のはんだダム形成方法。
【００６５】
（付記６）
はんだの付着を防止するインク材を前記嵌合部材に付着させ、前記インク材を前記対象リードに転写する
ことを特徴とする、付記１記載のはんだダム形成方法。
（付記７）
前記対象リードに転写された前記インク材を乾燥定着させる
ことを特徴とする、付記６記載のはんだダム形成方法。
【００６６】
（付記８）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させる工程と、
前記対象リードに嵌合した前記嵌合部材の継ぎ目に溶接加工又は蝋付け加工を施して、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する工程と、を備える
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【００６７】
（付記９）
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードに対応する凹形状の嵌合部材にインク材を塗布する工程と、
前記インク材が塗布された前記嵌合部材を前記対象リードの所定位置に嵌合させて、前記インク材を前記対象リードに転写する工程と、
前記対象リードに転写された前記インク材を乾燥させて前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する工程と、を備える
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【符号の説明】
【００６８】
１ リード（対象リード）
１ａ 先端
１ｂ 基端
１ｃ 表面
１ｄ 側端面
２ 樹脂封止部
３ 半導体パッケージ（電子部品）
４ はんだダム
４ａ 最下端部
５ リング材料（嵌合部材）
５ａ 貫通穴部
５ｂ 側面部
５ｃ 切り込み部
５ｄ 蝋付け部
６ 保持ハンド
６ａ 可動部
６ｂ 腕部
６ｃ 支持軸
６ｄ 把持面
６ｅ 爪部
７ 溶接棒
８ 拡大顕微鏡
９ マニピュレータ
１０，３０，４０ はんだダム形成装置
１１ 第一カシメ部
１１ａ スペーサ
１２ 第二カシメ部
１２ａ 凹設部
１３ カシメ材料（嵌合部材）
１３ａ 当接部
１３ｂ 屈曲部
１３ｃ 切り欠き部
１３ｄ 蝋付け部
１４ 第一押圧部（嵌合部材）
１４ａ 第一嵌合面
１４ｂ 第二嵌合面
１５ 第二押圧部（嵌合部材）
１５ａ 第一嵌合面
１５ｂ 第二嵌合面
１６ リードフレーム
１７ プリント基板
１７ａ スルーホール
１８ ランド
１９ はんだフィレット
２０ 作業台
２１ 固定装置
２２ 冷却装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【請求項２】
はんだが付着しない金属材を前記嵌合部材として用いる
ことを特徴とする、請求項１記載のはんだダム形成方法。
【請求項３】
前記金属材を前記対象リードに嵌合させた後に、溶接加工を施す
ことを特徴とする、請求項２記載のはんだダム形成方法。
【請求項４】
前記対象リードに対して前記嵌合部材を嵌合させた後に、カシメ固定する
ことを特徴とする、請求項１又は２記載のはんだダム形成方法。
【請求項５】
はんだの付着を防止するインク材を前記嵌合部材に付着させ、前記インク材を前記対象リードに転写する
ことを特徴とする、請求項１記載のはんだダム形成方法。
【請求項１】
電子部品のリードにはんだダムを形成するはんだダム形成方法であって、
前記電子部品に接続される複数の前記リードのうち、前記はんだダムの形成対象である対象リードの所定位置に凹状の嵌合部材を嵌合させることで、前記対象リードの周囲を囲む環状の前記はんだダムを形成する
ことを特徴とする、はんだダム形成方法。
【請求項２】
はんだが付着しない金属材を前記嵌合部材として用いる
ことを特徴とする、請求項１記載のはんだダム形成方法。
【請求項３】
前記金属材を前記対象リードに嵌合させた後に、溶接加工を施す
ことを特徴とする、請求項２記載のはんだダム形成方法。
【請求項４】
前記対象リードに対して前記嵌合部材を嵌合させた後に、カシメ固定する
ことを特徴とする、請求項１又は２記載のはんだダム形成方法。
【請求項５】
はんだの付着を防止するインク材を前記嵌合部材に付着させ、前記インク材を前記対象リードに転写する
ことを特徴とする、請求項１記載のはんだダム形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−１４２１３５（Ｐ２０１１−１４２１３５Ａ）
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６９７（Ｐ２０１０−６９７）
【出願日】平成２２年１月５日（２０１０．１．５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【出願人】（５０１３９８６０６）富士通コンポーネント株式会社 (848)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月５日（２０１０．１．５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【出願人】（５０１３９８６０６）富士通コンポーネント株式会社 (848)
【Ｆターム（参考）】
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