アミド重合体、光学部品用組成物及び光学部品
【課題】高耐熱性、高透明性及び高屈折率であるアミド重合体およびその光学部品用組成物、該光学部品を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、特定の基から選ばれるジアミン化合物、ジカルボン酸化合物であり、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、３重結合を有する２価の特定の環状構造を有する化合物。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【解決手段】下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、特定の基から選ばれるジアミン化合物、ジカルボン酸化合物であり、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、３重結合を有する２価の特定の環状構造を有する化合物。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アミド重合体、光学部品用組成物及び光学部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信に代表される光学材料として、その多様な用途に応じて、さまざまな無色透明材料が検討されているが、光通信用デバイスを搭載した情報機器の急速な小型軽量化や表示素子の高精細化に伴い、材料自体に要求される要求も高度なものになってきている。光学材料に一般的に求められる特性としては、高透明性、屈折率が大きい、易加工性、高耐衝撃性、低吸水性、高耐熱性などがあるが、無機材料ではこのような特性を満足することは難しく、特に衝撃強度が低く、成型加工性に劣るといった欠点を有している。一方で、プラスチック材料は、衝撃強度が強く、成形個加工性に富むことといった特徴があり、近年その利用が拡大している。
【０００３】
光学材料用プラスチック材料としては、光学特性の優れたポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、機械的強度に優れたポリカーボネート（ＰＣ）、耐熱性に優れたポリイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾールといった樹脂が知られている。
ＰＭＭＡ、ＰＣは光学材料としての適用のために、工程が複雑化する問題が生じたり、耐熱性の観点から、必ずしも十分であるとは言えず、その適用が制限されている。
また、光学材料として、フッ素化ポリイミド、フッ素化ポリベンゾオキサゾールは、幅広く検討されている（例えば、特許文献１，２参照。）。これらの樹脂は、樹脂構造中に、フッ素を導入しているため、フッ素原子の表面自由エネルギーが大きいことから、材料界面における接着性が十分に確保できないことなどの課題があり、より信頼性の高い材料が望まれている。
【０００４】
また、プラスチック材料として、芳香族ポリアミドが挙げられるが、これは耐熱性を満足できるものが多いものの、黄色に着色しているものが多く、透明性の観点から、その適用は困難であった。例えば、耐熱性透明導電フィルムに適用された例が開示されている（例えば、特許文献３参照。）が、波長６００ｎｍにおける透過率が７１％と低いものとなっている。また、光学用芳香族ポリアミドフィルムとして、開示された例がある（例えば、特許文献４参照。）が、波長４００ｎｍにおける透過率は６０〜８０％、ガラス転移温度が３００〜３６０℃であり、より高い透過率、より高いガラス転移点であることが望ましい。
【０００５】
また、デジタルカメラや携帯電話のカメラ用のレンズ、液晶ディスプレイに用いられる光学フィルムなどの光学樹脂には、高屈折率であることも求められている。
例えば、ポリアミド樹脂として、耐熱性を有し、透明性にも優れる樹脂が開示されている（例えば、特許文献５参照。）が、３５０℃のリフロー耐性があり耐熱性は比較的高いといえるものの十分ではなく、分子内にシロキサン結合を含むため高屈折率であるともいえない。
【特許文献１】特開２０００−２９０３７４号公報
【特許文献２】国際公開第２００３／０１０２２３号パンフレット
【特許文献３】特公平７−８９４５２号公報
【特許文献４】特開２００４−２５０５６９号公報
【特許文献５】特開２００６−２２５５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情のもとで、高耐熱性、高透明性及び高屈折率であるアミド重合体およびその光学部品用組成物を提供し、さらには、光学部品を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、熱及び／又は活性エネルギー線により化学反応し得る不飽和炭化水素基を有するアミド重合体が、高Ｔｇ、高透明性および高屈折率であることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記第１項〜第６項により達成される。
【０００８】
１． 下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
【０００９】
【化１】
【００１０】
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、下記式（Ｂ）
【００１１】
【化２】
【００１２】
（上記式（Ｂ）中のＸは、下記式（Ｃ）
【００１３】
【化３】
【００１４】
で表される基の中から選ばれる基を示す。）で表される基の中から選ばれる基を示し、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、下記式（Ｄ）
【００１５】
【化４】
【００１６】
、下記式（Ｅ）
【００１７】
【化５】
【００１８】
（式（Ｄ）及び式（Ｅ）中のＲは、水素原子、フェニル基又はアルキル基を示す。また、上記式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、及びフェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の基を示す。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【００１９】
２． 前記アミド重合体は、式（Ａ）におけるＹ1として、式（Ｆ）で表される基を有し、Ｚとして式（Ｇ）で表される基を有するものである請求項１記載のアミド重合体。
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
（式（Ｇ）中のＲは式（Ｄ）におけるＲと同義である。）
【００２３】
３． 第１項または第２項に記載のアミド重合体及び溶剤を含む光学部品用組成物。
４． 第３項に記載の光学部品用組成物を用いて得られる光学部品。
５． 前記光学部品は、波長３８０ｎｍにおける光の消衰係数が、０以上０．０１以下である、第４記載の光学部品。
６． 前記光学部品は、波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．６５以上である、第４項または第５項記載の光学部品。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、高耐熱性、高透明性及び高屈折率であるアミド重合体が得られる。また、本発明の光学部品用組成物は、該アミド重合体を用いて得られ、前記光学部品用組成物より得られる光学部品は、光学特性、耐熱特性などに優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、式（Ａ）で表されるアミド重合体であり、加熱及び／又は活性エネルギー線照射により化学反応し得る炭素−炭素三重結合を含む基を有し、前記炭素−炭素三重結合が化学反応した後の重合体のガラス転移温度が３８０℃以上となるものである。これにより、高耐熱性、高透明性及び高屈折率を有するアミド重合体を提供できる。
また、本発明は、該アミド重合体と溶剤を含む光学部品用組成物、及び該組成物を用いて得られる光学部品である。これにより、光学特性及び耐熱特性などに優れる光学部品を提供できる。
【００２６】
本発明の式（Ａ）で表されるアミド重合体は、前記式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物の少なくとも１種と、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物、並びに式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物の１種又は２種以上とを、反応させて得ることができる。
【００２７】
なお、前記ジアミン化合物において、前記式（Ｂ）で表される基は、アミノ基と結合し得る結合手を二つ有するものである。また、前記ジカルボン酸化合物において、式（Ｂ）、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基は、カルボキシル基と結合し得る結合手を二つ有するものである。
【００２８】
上記反応方法としては、従来の酸クロリド法、活性化エステル法、ポリリン酸やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法を用いることができる。
【００２９】
本発明で用いる、式（Ｂ）で表される基を有するジアミン化合物の具体例としては、１，２−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、１，４−ジアミノベンゼン、１，５−ナフタレンジアミン、１，８−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、２，７−ナフタレンジアミン、２，３−ナフタレンジアミン、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、２，３−ジアミノビフェニル、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、１，３−ビス（３−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−ジフェニルエーテル３，３’−ジアミノ−ジフェニルチオエーテル、４，４’−ジアミノ−ジフェニルチオエーテル、２，２’−ジアミノ−１，１’−ビナフチル、１，３−ジアミノシクロヘキサン、２，４−ジアミノシクロヘキサン及び１，２−ジアミノシクロヘキサン等が挙げられる。これらの中でも、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−ジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノ−ジフェニルエーテル等が好ましく、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレンがより好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３０】
式（Ａ）で表されるアミド重合体で用いる、式（Ｂ）で表される基を有するジカルボン酸化合物の具体例としては、イソフタル酸、テレフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−スルホニルビス安息香酸、３，４’−スルホニルビス安息香酸、３，３’−スルホニルビス安息香酸、４，４’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス安息香酸、４，４’−チオビス安息香酸、３，４’−チオビス安息香酸、３，３’−チオビス安息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、９，９−ビス（２−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（（２−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（４−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（５−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（６−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（２−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（３−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（４−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（３−カルボキシフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−カルボキシフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（（４−（２−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（４−（３−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン及び９，９−ビス（（４−（４−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３１】
本発明で用いる、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基を有するジカルボン酸化合物において、Ｒとしては、水素原子、フェニル基又はアルキル基であり、前記アルキル基としては、メチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基などが挙げられる。
【００３２】
そのようなジカルボン酸化合物の具体例として、Ｒが水素原子であるエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−エチニルフタル酸、４−エチニルフタル酸、２−エチニルイソフタル酸、４−エチニルイソフタル酸、５−エチニルイソフタル酸、２−エチニルテレフタル酸、３−エチニルテレフタル酸、５−エチニルテレフタル酸、２−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、４−エチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−エチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−エチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３３】
Ｒがフェニル基であるフェニルエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−フェニルエチニルフタル酸、４−フェニルエチニルフタル酸、２−フェニルエチニルイソフタル酸、４−フェニルエチニルイソフタル酸、５−フェニルエチニルイソフタル酸、
２−フェニルエチニルテレフタル酸、３−フェニルエチニルテレフタル酸、２−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、４−フェニルエチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−フェニルエチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。
【００３４】
また、Ｒがアルキル基であるアルキルエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−ヘキシニルフタル酸、４−へキシニルフタル酸、２−へキシニルイソフタル酸、４−へキシニルイソフタル酸、５−へキシニルイソフタル酸、２−へキシニルテレフタル酸、３−へキシニルテレフタル酸、２−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジヘキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、４−へキシニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−ヘキシニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。ジカルボン酸化合物としては、これらの中でも、式（Ｇ）で表される基を有するジカルボン酸化合物が好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３５】
本発明の式（Ａ）で表されるアミド重合体の合成において、上記ジアミン化合物とジカルボン酸化合物の組合せとしては、特にジアミン化合物として、上記式（Ｆ）で表される基を有するジアミン化合物、ジカルボン酸化合物として、熱及び／又は活性エネルギー線により化学反応し得る炭素−炭素三重結合を有する基を有する、上記式（Ｇ）で表されるジカルボン酸基を有するジカルボン酸化合物よりなる場合が、耐熱性の観点より特に好ましい。
【００３６】
なお、式（Ｂ）、式（Ｃ）、式（Ｄ）、式（Ｅ）、式（Ｆ）及び式（Ｇ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。上記炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００３７】
本発明に用いる式（Ａ）で表されるアミド重合体の製造方法としては、例えば、酸クロリド法では、使用する酸クロリドは、まず、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下で、前記ジカルボン酸化合物と、過剰量の塩化チオニルとを、室温ないし１３０℃程度の温度で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した後、残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより得ることができる。このようにして製造したジカルボン酸クロリド化合物を、前記ジアミン化合物と共に、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、室温ないし−３０℃程度の温度で反応させることにより、アミド重合体を得ることができる。
【００３８】
上記製造方法においては、該ジアミン化合物として、前記式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物の少なくとも１種と、該ジカルボン酸化合物として、式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物の少なくとも１種と、任意に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物と、を用いることにより得られる。このようにして得られたアミド重合体において、共重合体である場合の繰り返し単位である、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物を用いて得られた炭素−炭素三重結合を含む基を有する繰り返し単位（ｎの繰り返し単位）と、式（Ｂ）で表される基を有するジカルボン酸化合物を用いて得られた炭素−炭素三重結合を含む基を有しない繰り返し単位（ｍの繰り返し単位）の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても良い。
【００３９】
例えば、ブロック的な繰り返し単位の製造方法としては、酸クロリド法による場合、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、予め反応させて分子量を上げた後、更に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを反応させることにより得ることができる。
また、逆に、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、予め反応させて、重合体の分子量を上げた後、更に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを反応させてもよい。
【００４０】
ランダムな繰り返し単位の場合は、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物と式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、同時に反応させることにより得ることができる。
【００４１】
本発明で用いるアミド重合体中の式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基において、加熱及び／又は活性エネルギー線照射により化学反応しうる炭素−炭素三重結合を含む基を有することで、重合体を架橋反応させ、３次元化して、高温域まで不溶不融になり、耐熱性が向上することが可能となる。
【００４２】
上記で得られるアミド重合体において、式（Ａ）で表される構造中のｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、重合体の合成に用いたジアミン化合物及びジカルボン酸化合物の組合せにもよるが、ｍ＋ｎは２以上の整数であり、上限値に制限は無いが、一般的には２以上１００以下の範囲である。
【００４３】
式（Ａ）で表されるアミド重合体の分子量としては、特に規定はされないが、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量として、好ましくは５０００以上、４００００以下であり、より好ましくは８０００以上、２００００以下である。前記分子量の範囲外でも用いることができるが、上記下限値より小さいと製膜後のプロセス中に耐熱性がやや劣ることがあり、上記上限値より大きいと、溶剤への溶解性が低下するおそれがあり、また、本発明の光学部品用組成物における粘度が上昇することにより、塗膜形成時に下地基板への濡れ性が低下して、基材面の性質の影響を受け易く、製膜における条件調整範囲が狭くなったり、膜厚均一性の低下が起こる恐れがある。
【００４４】
上記重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフを用い、標準ポリスチレンで検量線を作成し、ポリスチレン換算で求めたものをいう。例えば、装置として、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＳＣ−８０２０システムに、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ−ＨＲＨ高速ＳＥＣ用カラム、ＵＶ（λ＝２８０ｎｍ）検出器を用い、移動相としてＬｉＢｒ０．５％を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン液を用いて測定し、標準ポリスチレンとして、東ソー製ＰＳ−オリゴマーキットにより、リテンションタイムと分子量の検量線を作製し、ヒドロキシアミド重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を求めることができる。
【００４５】
また、式（Ａ）で表されるアミド重合体の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量を前記の範囲にするための反応方法としては、例えば、ジカルボン酸化合物とジアミン化合物の反応モル比を調整して分子量を制御する方法、ジカルボン酸クロリド化合物とジアミン化合物に、カルボン酸クロライド化合物又はアミン化合物を用いて、反応を停止させ、任意の分子量に調整する方法等を例示することができる。上記カルボン酸クロライド及びアミン化合物は、重合体の末端として反応を終結させ、それ以上分子量が大きくならないようにするために用いるものであり、例えば、安息香酸クロライド、４−プロピル安息香酸クロライド及び４−イソプロピル安息香酸クロライドなどのカルボン酸クロライド、アニリン、４−イソプロピルアニリン及び４−イソプロペニルアニリンなどのアミン化合物を例示することができる。
【００４６】
前記ジカルボン酸化合物とジアミン化合物の反応モル比は、特に規定されないが、反応モル比を調整することにより、上記分子量を制御することが可能である。反応モル比の調整方法としては、例えば、上記の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量とも関係し、上記で用いるジカルボン酸化合物及びジアミン化合物の構造によりモル比が異なるが、どちらか一方の化合物のモル数を過剰に調整される。この場合の反応モル比としては、例えば、ジアミン化合物のモル数を過剰として、０．７以上、０．９以下に調整されることが好ましく、０．７５以上、０．９０以下がより好ましく、さらに好ましくは、０．８以上、０．９０以下とするのが良い。反応モル比は、前記範囲外でも使用できるが、前記下限値より低いと、比較的低分子の成分が多く生じるため、その除去等により、工程が複雑化する恐れがある。また、前記上限値を超える場合、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が目的とする範囲よりも大きくなる恐れがある。
【００４７】
本発明の光学部品用組成物は、上記で得られたアミド重合体及び溶剤を混合することにより得ることができる。アミド重合体と溶剤の混合割合としては、その使用目的等により異なるが、一般的には、前記アミド重合体に対する溶剤の重量比で、例えば、３倍以上、５０倍以下程度で用いることができる。
【００４８】
本発明の光学部品用組成物に用いる溶剤としては、アミド重合体の構造により、それぞれ異なるが、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及び非プロトン極性溶媒が挙げられる。例えば、ケトン系溶媒として、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、４−メチル−シクロヘキサノン、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノン、炭酸プロピレン、ジアセトンアルコール及びγ−ブチロラクトンなど；エーテル系溶媒として、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール１−モノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及び１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテルなど；エステル溶媒系として、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びメチル−３−メトキシプロピオネートなど；非プロトン極性溶媒として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上を混合して用いることができる。ヒドロキシアミド重合体の構造により異なるが、これらの中でも、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンと上記シクロペンタノン以外の溶媒との混合物、シクロヘキサノンと上記シクロヘキサノン以外の溶媒との混合物が、好ましい。
【００４９】
本発明の光学部品用組成物は、前記アミド重合体及び溶剤を含むものであるが、必要に応じて、各種添加剤として、界面活性剤、シラン系に代表されるカップリング剤、加熱により酸素ラジカルやイオウラジカルを発生するラジカル開始剤等を添加することができる。また、感光剤として、例えばナフトキノンジアジド化合物と一緒に用いることで、感光性樹脂組成物として用いることが可能である。
【００５０】
本発明においては、前記光学部品用組成物を用いて光学部品を得ることができる。光学部品がフィルム状である場合の製造例としては、例えば、まず、上記で得た光学部品用組成物を、適当な支持体、例えば、シリコンウエハやセラミック基板等に塗布して、塗膜を形成する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等が挙げられる。
【００５１】
次いで、上記で得た塗膜を、例えば、好ましくは窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で、４０℃以上、４２５℃以下の温度で加熱して溶剤を除去し、引き続き、３５０℃以上、４２５℃以下の温度で、加熱及び／又は３００℃以上、４２５℃以下の温度下で活性エネルギー線を照射して、前記光学部品用組成物中のアミド重合体を架橋反応させフィルムを形成し、それを用いて光学部品として使用することができる。
【００５２】
このようにして得られる光学部品用フィルムは、これに用いる上記光学部品用組成物を、上記同様に塗布して塗膜を形成し、これを３８０℃で２５０秒間加熱して得られたフィルムを用いて測定した際の、３８０ｎｍの波長における光の消衰係数が、０以上、０．０１以下であることが好ましい。また、消衰係数は０に近い方がより好ましく、上記上限値は０．００８以下がより好ましく、さらに好ましくは０．００５以下とするのが良い。前記消衰係数は、数値が小さいほど、フィルム中での光の吸収が小さいことを意味しており、消衰係数が小さいほど、透明性がよいことから、透明性が良好なものとなる。また、前記消衰係数は前記範囲外でも使用できるが、０．０１を越えるとフィルム中で光が吸収されて消衰することを意味し、その使用用途によっては、光学部品としての適応が好ましくなくなる恐れがある。
【００５３】
上記消衰係数は、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．製ｎ＆ｋアナライザーや市販の分光エリプソメーターにより、測定することができる。前記分光エリプソメーターとしては、例えば、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ． Ｉｎｃ．製分光エリプソメーターを用いることができる。消衰係数の測定に関しては、３８０ｎｍでの波長の値を用いる。測定方法としては、例えば、まず、シリコン基板上に、上記光学部品組成物を用いてスピンコートで作製した塗膜を、窒素ガス雰囲気下で、２００℃で９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃で２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製する。次いで、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして算出することで、３８０ｎｍの波長での消衰係数を求めることができる。
【００５４】
光学部品における屈折率は、消衰係数と場合と同様にして得られた光学部品用フィルムを用いて測定した際の６３３ｎｍの波長における屈折率が１．６５以上であることが望ましい。屈折率が１．６５以上の高屈折率である場合、例えば光学部品用組成物をデジタルカメラや携帯電話のカメラ用のレンズとして用いる場合、レンズの小型化、レンズ焦点の短距離化が可能となり、カメラを小型化できる。
上記屈折率は、上記フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．製ｎ＆ｋアナライザーや上記市販の分光エリプソメーターを用いて、測定することができる。測定方法としては、例えば、まず、シリコン基板上に、上記高額部品樹脂組成物を用いてスピンコートで作製した塗膜を、窒素ガス雰囲気下で、２００℃で９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃で２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製する。ついで、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして算出することで６３３ｎｍの波長での屈折率を求めることができる。
【００５５】
本発明の光学部品としては、例えば、光学レンズ、光学フィルター、光スイッチ、光導波路、光ファイバー、集光レンズ等が挙げられる。
【００５６】
本発明の光学部品の１つである光導波路の構造例として、特に限定はされないが、例えば、特開平０８−１３９３００号公報に記載されているものを挙げることができる。
その製造方法としては、例えば、図１に示すように、半導体基板（１）上に、クラッド層としてプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ膜に代表される無機膜（２）を形成し、フォトレジスト法により、コア部として凹状に加工する。その後、上記で凹状を形成した無機膜の面に、本発明の光学部品用組成物を用いて、これを塗布して塗膜を形成する。このとき、塗布の方法としては、スピンナーによる回転塗布、スプレーコーターによる噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等が挙げられる。その後、上記で得た塗膜を、所定温度でプリベーク後、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射して、光導波路部（３）を形成する。
【００５７】
次に、必要によりエッチング等をして、不必要な部分を除去する。この際に、レジスト等を用いてパターニングをしても構わない。その後、上部に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ膜に代表される無機膜（４）を形成して、光導波路を作製できる。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
【００５９】
製造例１
５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドの製造
（１）５−ブロモイソフタル酸の合成
温度計、撹拌機及び滴下ロートを備えた４つ口の１Ｌフラスコに、５−アミノイソフタル酸９９．１８ｇ（０．５５ｍｏｌ）と４８重量％臭化水素酸１６５ｍＬ、蒸留水１５０ｍＬを入れ、撹拌した。フラスコを５℃以下まで冷却し、ここへ、亜硝酸ナトリウム３９．４ｇ（０．５７ｍｏｌ）を蒸留水５２５ｍＬに溶解したものを、１時間かけて滴下し、ジアゾニウム塩水溶液を得た。
温度計、ジムロート冷却管、滴下ロート及び撹拌機を備えた４つ口の３Ｌフラスコに、臭化第一銅９４．２５ｇ（０．６６ｍｏｌ）と４８重量％臭化水素酸４５ｍＬを入れ、撹拌した。フラスコを０℃以下に冷却し、上記で得たジアゾニウム塩水溶液を２時間かけて滴下した。滴下終了後に室温で３０分間撹拌し、続けて３０分間還流させた。放冷後、析出物をろ別し、蒸留水２Ｌで２回洗浄し、得られた白色固体を５０℃で２日間減圧乾燥し、粗生成物１１７ｇを得た。精製せずに次の反応へ用いた。
【００６０】
（２）５−ブロモイソフタル酸ジメチルの合成
撹拌機及びジムロート冷却管を備えた５００ｍＬフラスコに、上記（１）で得られた５−ブロモイソフタル酸１１０ｇ、メタノール５００ｍＬ及び濃硫酸１０ｇを入れ、６時間還流させた。放冷後、蒸留水１Ｌに滴下し、これを５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液で中和した。析出物をろ別し、蒸留水２Ｌで２回洗浄した後、得られた白色固体を５０℃で２日間減圧乾燥し、５−ブロモイソフタル酸ジメチル１０９ｇ（０．４ｍｏｌ）を得た（収率８９％）。
【００６１】
（３）１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチンの合成
温度計、ジムロート冷却管、窒素導入管及び撹拌機を備えた４つ口の１Ｌフラスコに、上記（２）で得られた５−ブロモイソフタル酸ジメチル９９．７ｇ（０．３６５ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１．１ｇ（０．００４１９ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．２７５ｇ（０．００１４４ｍｏｌ）、フェニルアセチレン４０．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を仕込み、フラスコ内に窒素を流した。次いで、脱水トリエチルアミン３７５ｍＬおよび脱水ピリジン２００ｍＬを加え、撹拌して溶解した。１時間窒素を流し続けた後、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３ｇ（０．０００４２７ｍｏｌ）を素早く添加し、オイルバスで１時間加熱還流した。その後、トリエチルアミンおよびピリジンを減圧留去し、粘稠な褐色溶液を得た。これを、水５００ｍＬに注ぎ、析出した固形物をろ取し、さらに、水５００ｍＬ、５モル／リットル濃度塩酸５００ｍＬ、水５００ｍＬで各２回洗浄した。この固形物を、５０℃で減圧乾燥することにより、９０．８ｇの１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチンを得た（収率８５％）。
【００６２】
（４）５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩の合成
温度計、ジムロート冷却管及び撹拌機を備えた５Ｌの４つ口フラスコに、ｎ−ブタノール３Ｌ、水酸化カリウム（８５％）１８２ｇ（２．７６３ｍｏｌ）を仕込み、加熱還流して溶解した。これに、上記（３）で合成した１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチン８５ｇ（０．２９ｍｏｌ）を加えて、３０分間加熱還流した。これを氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ取した。この結晶をエタノール１Ｌで２回洗浄し、６０℃で減圧乾燥することによって、９４ｇの５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩を得た（収率９５％）。
【００６３】
（５）５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドの合成
温度計、ジムロート冷却管及び撹拌機を備えた２Ｌの４つ口フラスコに、上記（４）で得られた５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩８５．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、クロロホルム１Ｌを仕込み、０℃に冷却した。これに塩化チオニル３９１ｇ（４．５ｍｏｌ）を、５℃以下で１時間かけて滴下した。その後、ジメチルホルムアミド４ｍＬ、ヒドロキノン４ｇを加え、８０〜１３０℃で３時間撹拌した。冷却後、ヘキサンを２Ｌ加え、生じた沈殿をろ過して集めた後、結晶をクロロホルム１５０ｍＬ、ヘキサン３００ｍｌに加熱下で溶解し、熱ろ過後、０℃の冷蔵庫で４８時間静置し、結晶を得ることで、４２ｇの５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドを得た（収率５５％）。
【００６４】
製造例２
５−エチニルイソフタル酸ジクロリドの製造
（１）５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチルの合成
温度計、ジムロー卜冷却管、塩化カルシウム管、撹拌機を備えた４つ口の５Ｌフラスコに、５−ヒドロキシイソフタル酸ジメチル１９０．０ｇ（０．９０４ｍｏｌ）、脱水トルエン３Ｌ、脱水ピリジン２１４．７ｇ（２．７１８ｍｏｌ）を仕込み、撹拌しながら−３０℃まで冷却した。ここに、無水トリフルオロメタンスルホン酸５１０．２ｇ（１．８０８ｍｏｌ）を、温度が−２５℃以上に上がらないように注意しながら、ゆっくりと滴下した。この場合、滴下が終了するまでに１時間を要した。滴下終了後、反応温度を０℃に昇湿し１時間、さらに室温に昇温し５時間反応した。得られた反応混合物を４Ｌの氷水に注ぎ、水層と有機層を分離した。更に水層を５００ｍＬのトルエンで２回抽出し、これを先の有機層とあわせた。この有機層を水３Ｌで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウム１００ｇで乾燥、ろ過により無水硫酸マグネシウムを除去し、ロータリーエバポレーターでトルエンを留去、減圧乾燥することによって、淡黄色固体の５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチルを２９４．０ｇ得た（収率９５％）。この粗生成物をヘキサンで、再結晶することによって白色針状晶を得、これを次の反応に用いた。
【００６５】
（２）４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オールの合成
温度計、ジムロート冷却管、窒素導入管、撹拌機を備えた４つ口の１Ｌフラスコに、上記（１）で得られた５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチル１２５ｇ（０．３６５ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１．１ｇ（０．００４１９ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．２７５ｇ（０．００１４４ｍｏｌ）、３−メチル−１−ブチン−３−オール３３．７３ｇ（０．４０１ｍｏｌ）を仕込み、窒素を流した。脱水トリエチルアミン３７５ｍＬおよび脱水ピリジン２００ｍＬを加え、撹拌溶解した。１時間窒素を流し続けた後、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３ｇ（０．０００４２７ｍｏｌ）を素早く添加し、オイルバスで１時間加熱還流した。その後、トリエチルアミンおよびピリジンを減圧留去し、粘稠な褐色溶液を得た。これを水５００ｍＬに注ぎ析出した固形物をろ取し、さらに水５００ｍＬ、５モル／リットル濃度塩酸５００ｍＬ、水５００ｍＬで各２回洗浄した。この固形物を、５０℃で減圧乾燥することにより、９８．８ｇの４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オールを得た（収率９８％）。
【００６６】
（３）５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩の合成
温度計、ジムロート冷却管、撹拌機を備えた５Ｌの４つ口フラスコにｎ−ブタノール３Ｌ、水酸化カリウム（８５％）１８２ｇ（２．７６３ｍｏｌ）を仕込み、加熱還流して溶解した。これに上記（２）で合成した４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オール９５ｇ（０．３４４ｍｏｌ）を加えて３０分間加熱還流した。これを氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ取した。この結晶をエタノール１Ｌで２回洗浄し、６０℃で減圧乾燥することによって、８８．８７ｇの５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩を得た（収率９７％）。
【００６７】
（４）５−エチニルイソフタル酸ジクロリドの合成
温度計、ジムロート冷却管、撹拌機を備えた２Ｌの４つ口フラスコに、上記（３）で得られた５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩８０ｇ（０．３ｍｏｌ）、クロロホルム４００Ｌを仕込み、０℃に冷却した。これに塩化チオニル３９１ｇ（４．５ｍｏｌ）を、５℃以下で１時間かけて滴下した。その後、ジメチルホルムアミド４ｍＬ、ヒドロキノン４ｇを加え、４５〜５０℃で３時間撹拌した。冷却後ろ過して結晶を除き、結晶をクロロホルム１５０ｍＬで洗浄した。ろ液と洗浄液をあわせて４０℃以下で減圧濃縮し、得られた残渣をジエチルエーテル２００ｍＬで２回抽出ろ過した。抽出液からジエチルエーテルを減圧留去することで、半固体の粗生成物を得た。これを乾燥したｎ−へキサンで洗浄し、続いてジエチルエーテルで再結晶することで１３ｇの５−エチニルイソフタル酸ジクロリドを得た（収率１９％）。
【００６８】
実施例１
［アミド重合体Ａの合成］
窒素ガスフロー下で、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解し、ピリジン１７．４ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加した後、−１５℃に冷却し、製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１９．７ｇ（０．０６５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド８．０ｇ（０．０２７ｍｏｌ）を、少しずつ添加した。滴下終了後、−１５℃で、１時間撹拌後、室温まで戻し、室温で５時間撹拌した。その後、反応液を５０％メタノール水溶液４リットルに小さな液滴で滴下し、沈殿物を集め、さらに、５０％メタノール水溶液４リットル中で３回繰り返した。その後、沈殿物を乾燥することにより、３６ｇのアミド重合体Ａを得た。
【００６９】
上記で得たアミド重合体の標準ポリスチレン換算重量平均分子量については、装置として、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＳＣ−８０２０システムに、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ−ＨＲＨ高速ＳＥＣ用カラム、ＬｉＢｒ０．５％入りＮ−メチル−２−ピロリドン移動相、ＵＶ（λ＝２８０ｎｍ）検出器を用いて測定し、標準ポリスチレン（東ソー製ＰＳ−オリゴマーキット）を用いて換算して重量平均分子量を求めた。得られたアミド重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は１６０００であった。
【００７０】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ａ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、評価を行った。
【００７１】
アミド重合体のガラス転移温度は、作成したフィルムを削り落とした粉末について、ＭＤＳＣ（温度サイクルモード示差操作熱量計：ティー・エイ・インスツルメント社製２９１０ＭＤＳＣ）により、Ｎ2ガスを３０ｍＬ／分の流量で流しながら、昇温速度２℃／分、温度振幅±２℃／分の条件で昇温しながら、４０℃から４２０℃までの温度範囲で測定を行い、リバース曲線の変移点から算出を行った。得られたアミド重合体Ａのガラス転移温度は４００℃以上であった。
【００７２】
また光学部品は、図１に示すような、シリコン基板（半導体基板（１））上に凹部を有するＳｉＯｘ膜（無機膜（２））を形成した基板を用意し、前記凹部に塗布膜を形成して得られるが、このような光学部品としての評価としては、上記で得られた塗布膜を評価することで、簡素化して行った。
【００７３】
評価方法としては、光学部品用組成物を用いて、上記シリコン基板上に、凹部を埋設するように、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜をＮ2ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製し、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして、算出した６３３ｎｍの屈折率と３８０ｎｍの減衰係数を求めることにより、屈折率及び減衰係数の評価を行った。上記フィルムの屈折率は０．００６であり、減衰係数は１．６９であった。
各特性を第１表に示す。
【００７４】
実施例２
［アミド重合体Ｂの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド１０．４ｇ（０．０４６ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１３．６ｇ（０．０４６ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３５ｇのアミド重合体Ｂを得た。得られたアミド重合体Ｂの重量平均分子量（Ｍｗ）は１３０００であった。
【００７５】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｂ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００７６】
実施例３
［アミド重合体Ｃの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１３．９ｇ（０．０４６ｍｏｌ）とイソフタル酸ジクロリド９．３ｇ（０．０４６ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、４７ｇのアミド重合体Ｃを得た。得られたアミド重合体Ｃの重量平均分子量（Ｍｗ）は１１０００であった。
【００７７】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｃ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００７８】
実施例４
［アミド重合体Ｄの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド２０．９ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３２ｇのアミド重合体Ｄを得た。得られたアミド重合体Ｄの重量平均分子量（Ｍｗ）は１７０００であった。
【００７９】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｄ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８０】
実施例５
［アミド重合体Ｅの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド２７．９ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５２ｇのアミド重合体Ｅを得た。得られたアミド重合体Ｅの重量平均分子量（Ｍｗ）は１２０００であった。
【００８１】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｅ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８２】
実施例６
［アミド重合体Ｇの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２７．２ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５１ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は１７０００であった。
【００８３】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
実施例５で得たアミド重合体Ｅ０．０５ｇと上記で得たアミド重合体Ｇ０．０５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８４】
比較例１
［アミド重合体Ｆの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２７．２ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３８ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００であった。
【００８５】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｆ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｆから得られるフィルムのガラス転移温度は２８０℃と低く耐熱性に劣るとともに、消衰係数からわかるように透明性が低く、実施例より劣っていた。
【００８６】
比較例２
実施例６で得たアミド重合体Ｇ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｇから得られるフィルムのガラス転移温度は３２１℃と低く、耐熱性に劣っていた。
【００８７】
比較例３
［アミド重合体Ｈの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりにイソフタル酸ジクロリド１８．７ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、２９ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は２９０００であった。
【００８８】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｈ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｈから得られるフィルムのガラス転移温度は２４５℃と極めて低く、耐熱性に劣っていた。
【００８９】
比較例４
［アミド重合体Ｉの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン３３．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド２．３ｇ（０．０１ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２５．１ｇ（０．０８５ｍｏｌ））を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５１ｇのアミド重合体Ｉを得た。得られたアミド重合体Ｉの重量平均分子量（Ｍｗ）は１５０００であった。
【００９０】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｉ０．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｉから得られるフィルムのガラス転移温度は２９０℃と低く耐熱性に劣るとともに、屈折率が１．６４と低めであり、実施例より劣っていた。
【００９１】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の光学部品の１つである光導波路の構造例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１ 半導体基板
２ 半導体基板上の無機膜
３ 光導波路部
４ 上部無機膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アミド重合体、光学部品用組成物及び光学部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信に代表される光学材料として、その多様な用途に応じて、さまざまな無色透明材料が検討されているが、光通信用デバイスを搭載した情報機器の急速な小型軽量化や表示素子の高精細化に伴い、材料自体に要求される要求も高度なものになってきている。光学材料に一般的に求められる特性としては、高透明性、屈折率が大きい、易加工性、高耐衝撃性、低吸水性、高耐熱性などがあるが、無機材料ではこのような特性を満足することは難しく、特に衝撃強度が低く、成型加工性に劣るといった欠点を有している。一方で、プラスチック材料は、衝撃強度が強く、成形個加工性に富むことといった特徴があり、近年その利用が拡大している。
【０００３】
光学材料用プラスチック材料としては、光学特性の優れたポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、機械的強度に優れたポリカーボネート（ＰＣ）、耐熱性に優れたポリイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾールといった樹脂が知られている。
ＰＭＭＡ、ＰＣは光学材料としての適用のために、工程が複雑化する問題が生じたり、耐熱性の観点から、必ずしも十分であるとは言えず、その適用が制限されている。
また、光学材料として、フッ素化ポリイミド、フッ素化ポリベンゾオキサゾールは、幅広く検討されている（例えば、特許文献１，２参照。）。これらの樹脂は、樹脂構造中に、フッ素を導入しているため、フッ素原子の表面自由エネルギーが大きいことから、材料界面における接着性が十分に確保できないことなどの課題があり、より信頼性の高い材料が望まれている。
【０００４】
また、プラスチック材料として、芳香族ポリアミドが挙げられるが、これは耐熱性を満足できるものが多いものの、黄色に着色しているものが多く、透明性の観点から、その適用は困難であった。例えば、耐熱性透明導電フィルムに適用された例が開示されている（例えば、特許文献３参照。）が、波長６００ｎｍにおける透過率が７１％と低いものとなっている。また、光学用芳香族ポリアミドフィルムとして、開示された例がある（例えば、特許文献４参照。）が、波長４００ｎｍにおける透過率は６０〜８０％、ガラス転移温度が３００〜３６０℃であり、より高い透過率、より高いガラス転移点であることが望ましい。
【０００５】
また、デジタルカメラや携帯電話のカメラ用のレンズ、液晶ディスプレイに用いられる光学フィルムなどの光学樹脂には、高屈折率であることも求められている。
例えば、ポリアミド樹脂として、耐熱性を有し、透明性にも優れる樹脂が開示されている（例えば、特許文献５参照。）が、３５０℃のリフロー耐性があり耐熱性は比較的高いといえるものの十分ではなく、分子内にシロキサン結合を含むため高屈折率であるともいえない。
【特許文献１】特開２０００−２９０３７４号公報
【特許文献２】国際公開第２００３／０１０２２３号パンフレット
【特許文献３】特公平７−８９４５２号公報
【特許文献４】特開２００４−２５０５６９号公報
【特許文献５】特開２００６−２２５５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情のもとで、高耐熱性、高透明性及び高屈折率であるアミド重合体およびその光学部品用組成物を提供し、さらには、光学部品を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、熱及び／又は活性エネルギー線により化学反応し得る不飽和炭化水素基を有するアミド重合体が、高Ｔｇ、高透明性および高屈折率であることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記第１項〜第６項により達成される。
【０００８】
１． 下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
【０００９】
【化１】
【００１０】
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、下記式（Ｂ）
【００１１】
【化２】
【００１２】
（上記式（Ｂ）中のＸは、下記式（Ｃ）
【００１３】
【化３】
【００１４】
で表される基の中から選ばれる基を示す。）で表される基の中から選ばれる基を示し、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、下記式（Ｄ）
【００１５】
【化４】
【００１６】
、下記式（Ｅ）
【００１７】
【化５】
【００１８】
（式（Ｄ）及び式（Ｅ）中のＲは、水素原子、フェニル基又はアルキル基を示す。また、上記式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、及びフェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の基を示す。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【００１９】
２． 前記アミド重合体は、式（Ａ）におけるＹ1として、式（Ｆ）で表される基を有し、Ｚとして式（Ｇ）で表される基を有するものである請求項１記載のアミド重合体。
【００２０】
【化６】
【００２１】
【化７】
【００２２】
（式（Ｇ）中のＲは式（Ｄ）におけるＲと同義である。）
【００２３】
３． 第１項または第２項に記載のアミド重合体及び溶剤を含む光学部品用組成物。
４． 第３項に記載の光学部品用組成物を用いて得られる光学部品。
５． 前記光学部品は、波長３８０ｎｍにおける光の消衰係数が、０以上０．０１以下である、第４記載の光学部品。
６． 前記光学部品は、波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．６５以上である、第４項または第５項記載の光学部品。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、高耐熱性、高透明性及び高屈折率であるアミド重合体が得られる。また、本発明の光学部品用組成物は、該アミド重合体を用いて得られ、前記光学部品用組成物より得られる光学部品は、光学特性、耐熱特性などに優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、式（Ａ）で表されるアミド重合体であり、加熱及び／又は活性エネルギー線照射により化学反応し得る炭素−炭素三重結合を含む基を有し、前記炭素−炭素三重結合が化学反応した後の重合体のガラス転移温度が３８０℃以上となるものである。これにより、高耐熱性、高透明性及び高屈折率を有するアミド重合体を提供できる。
また、本発明は、該アミド重合体と溶剤を含む光学部品用組成物、及び該組成物を用いて得られる光学部品である。これにより、光学特性及び耐熱特性などに優れる光学部品を提供できる。
【００２６】
本発明の式（Ａ）で表されるアミド重合体は、前記式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物の少なくとも１種と、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物、並びに式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物の１種又は２種以上とを、反応させて得ることができる。
【００２７】
なお、前記ジアミン化合物において、前記式（Ｂ）で表される基は、アミノ基と結合し得る結合手を二つ有するものである。また、前記ジカルボン酸化合物において、式（Ｂ）、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基は、カルボキシル基と結合し得る結合手を二つ有するものである。
【００２８】
上記反応方法としては、従来の酸クロリド法、活性化エステル法、ポリリン酸やジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法を用いることができる。
【００２９】
本発明で用いる、式（Ｂ）で表される基を有するジアミン化合物の具体例としては、１，２−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、１，４−ジアミノベンゼン、１，５−ナフタレンジアミン、１，８−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、２，７−ナフタレンジアミン、２，３−ナフタレンジアミン、３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、２，３−ジアミノビフェニル、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、１，３−ビス（３−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニルスルファニル）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−ジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−ジフェニルエーテル３，３’−ジアミノ−ジフェニルチオエーテル、４，４’−ジアミノ−ジフェニルチオエーテル、２，２’−ジアミノ−１，１’−ビナフチル、１，３−ジアミノシクロヘキサン、２，４−ジアミノシクロヘキサン及び１，２−ジアミノシクロヘキサン等が挙げられる。これらの中でも、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、９，９−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−ジフェニルエーテル及び４，４’−ジアミノ−ジフェニルエーテル等が好ましく、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレンがより好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３０】
式（Ａ）で表されるアミド重合体で用いる、式（Ｂ）で表される基を有するジカルボン酸化合物の具体例としては、イソフタル酸、テレフタル酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジメチル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジメチル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−スルホニルビス安息香酸、３，４’−スルホニルビス安息香酸、３，３’−スルホニルビス安息香酸、４，４’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス安息香酸、４，４’−チオビス安息香酸、３，４’−チオビス安息香酸、３，３’−チオビス安息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェニルスルファニル）ベンゼン、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（４−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｐ−ターフェニル、３，４’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、３，３’−ビス（３−カルボキシフェノキシ）−ｍ−ターフェニル、９，９−ビス（２−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−カルボキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（（２−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（４−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（５−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（６−カルボキシ−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（２−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（３−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（４−カルボキシ−フェノキシ）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（４−（３−カルボキシフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−（４−カルボキシフェニル）スルファニルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（（４−（２−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン、９，９−ビス（（４−（３−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン及び９，９−ビス（（４−（４−カルボキシ−フェノキシ）−３−フェニル）−フェニル）−フルオレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３１】
本発明で用いる、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基を有するジカルボン酸化合物において、Ｒとしては、水素原子、フェニル基又はアルキル基であり、前記アルキル基としては、メチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基などが挙げられる。
【００３２】
そのようなジカルボン酸化合物の具体例として、Ｒが水素原子であるエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−エチニルフタル酸、４−エチニルフタル酸、２−エチニルイソフタル酸、４−エチニルイソフタル酸、５−エチニルイソフタル酸、２−エチニルテレフタル酸、３−エチニルテレフタル酸、５−エチニルテレフタル酸、２−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−エチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−エチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−エチニルフェニル）プロパン、４−エチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−エチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−エチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−エチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−エチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−エチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−エチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−エチニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−エチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３３】
Ｒがフェニル基であるフェニルエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−フェニルエチニルフタル酸、４−フェニルエチニルフタル酸、２−フェニルエチニルイソフタル酸、４−フェニルエチニルイソフタル酸、５−フェニルエチニルイソフタル酸、
２−フェニルエチニルテレフタル酸、３−フェニルエチニルテレフタル酸、２−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−フェニルエチニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジフェニルエチニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジフェニルエチニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジフェニルエチニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−フェニルエチニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−フェニルエチニルフェニル）プロパン、４−フェニルエチニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−フェニルエチニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−フェニルエチニル−ベンゼンの構造異性体、５−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−フェニルエチニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−フェニルエチニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−フェニルエチニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。
【００３４】
また、Ｒがアルキル基であるアルキルエチニル基を有するジカルボン酸化合物の例としては、３−ヘキシニルフタル酸、４−へキシニルフタル酸、２−へキシニルイソフタル酸、４−へキシニルイソフタル酸、５−へキシニルイソフタル酸、２−へキシニルテレフタル酸、３−へキシニルテレフタル酸、２−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，５−ナフタレンジカルボン酸、１−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、４−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、５−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、７−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、８−へキシニル−１，６−ナフタレンジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジヘキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−２，２’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、５，５’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、６，６’−ジへキシニル−３，３’−ビフェニルジカルボン酸、２，２’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、３，３’−ジへキシニル−４，４’−ビフェニルジカルボン酸、２，２−ビス（２−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（２−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−４−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−５−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシ−６−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−２−へキシニルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−へキシニルフェニル）プロパン、４−へキシニル−１，３−ジカルボキシシクロプロパン、５−ヘキシニル−２，２−ジカルボキシシクロプロパン、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェノキシ）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、１，３−ビス（４−カルボキシ−フェニル）−５−ヘキシニル−ベンゼンの構造異性体、５−（３−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェノキシ）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェノキシ）イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、２−（３−ヘキシニル−フェノキシ）テレフタル酸、５−（１−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（２−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、５−（３−ヘキシニル−フェニル）−イソフタル酸、２−（１−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸、２−（２−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸及び２−（３−ヘキシニル−フェニル）−テレフタル酸等が挙げられる。ジカルボン酸化合物としては、これらの中でも、式（Ｇ）で表される基を有するジカルボン酸化合物が好ましい。これらは単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３５】
本発明の式（Ａ）で表されるアミド重合体の合成において、上記ジアミン化合物とジカルボン酸化合物の組合せとしては、特にジアミン化合物として、上記式（Ｆ）で表される基を有するジアミン化合物、ジカルボン酸化合物として、熱及び／又は活性エネルギー線により化学反応し得る炭素−炭素三重結合を有する基を有する、上記式（Ｇ）で表されるジカルボン酸基を有するジカルボン酸化合物よりなる場合が、耐熱性の観点より特に好ましい。
【００３６】
なお、式（Ｂ）、式（Ｃ）、式（Ｄ）、式（Ｅ）、式（Ｆ）及び式（Ｇ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。上記炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００３７】
本発明に用いる式（Ａ）で表されるアミド重合体の製造方法としては、例えば、酸クロリド法では、使用する酸クロリドは、まず、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下で、前記ジカルボン酸化合物と、過剰量の塩化チオニルとを、室温ないし１３０℃程度の温度で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去した後、残査をヘキサン等の溶媒で再結晶することにより得ることができる。このようにして製造したジカルボン酸クロリド化合物を、前記ジアミン化合物と共に、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、室温ないし−３０℃程度の温度で反応させることにより、アミド重合体を得ることができる。
【００３８】
上記製造方法においては、該ジアミン化合物として、前記式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物の少なくとも１種と、該ジカルボン酸化合物として、式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物の少なくとも１種と、任意に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物と、を用いることにより得られる。このようにして得られたアミド重合体において、共重合体である場合の繰り返し単位である、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸化合物を用いて得られた炭素−炭素三重結合を含む基を有する繰り返し単位（ｎの繰り返し単位）と、式（Ｂ）で表される基を有するジカルボン酸化合物を用いて得られた炭素−炭素三重結合を含む基を有しない繰り返し単位（ｍの繰り返し単位）の配列は、ブロック的であってもランダム的であっても良い。
【００３９】
例えば、ブロック的な繰り返し単位の製造方法としては、酸クロリド法による場合、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、予め反応させて分子量を上げた後、更に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを反応させることにより得ることができる。
また、逆に、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と、式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、予め反応させて、重合体の分子量を上げた後、更に式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを反応させてもよい。
【００４０】
ランダムな繰り返し単位の場合は、式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジアミン化合物と式（Ｂ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物と式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基の中から選ばれる基を有するジカルボン酸クロリド化合物とを、同時に反応させることにより得ることができる。
【００４１】
本発明で用いるアミド重合体中の式（Ｄ）及び式（Ｅ）で表される基において、加熱及び／又は活性エネルギー線照射により化学反応しうる炭素−炭素三重結合を含む基を有することで、重合体を架橋反応させ、３次元化して、高温域まで不溶不融になり、耐熱性が向上することが可能となる。
【００４２】
上記で得られるアミド重合体において、式（Ａ）で表される構造中のｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、重合体の合成に用いたジアミン化合物及びジカルボン酸化合物の組合せにもよるが、ｍ＋ｎは２以上の整数であり、上限値に制限は無いが、一般的には２以上１００以下の範囲である。
【００４３】
式（Ａ）で表されるアミド重合体の分子量としては、特に規定はされないが、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量として、好ましくは５０００以上、４００００以下であり、より好ましくは８０００以上、２００００以下である。前記分子量の範囲外でも用いることができるが、上記下限値より小さいと製膜後のプロセス中に耐熱性がやや劣ることがあり、上記上限値より大きいと、溶剤への溶解性が低下するおそれがあり、また、本発明の光学部品用組成物における粘度が上昇することにより、塗膜形成時に下地基板への濡れ性が低下して、基材面の性質の影響を受け易く、製膜における条件調整範囲が狭くなったり、膜厚均一性の低下が起こる恐れがある。
【００４４】
上記重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフを用い、標準ポリスチレンで検量線を作成し、ポリスチレン換算で求めたものをいう。例えば、装置として、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＳＣ−８０２０システムに、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ−ＨＲＨ高速ＳＥＣ用カラム、ＵＶ（λ＝２８０ｎｍ）検出器を用い、移動相としてＬｉＢｒ０．５％を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン液を用いて測定し、標準ポリスチレンとして、東ソー製ＰＳ−オリゴマーキットにより、リテンションタイムと分子量の検量線を作製し、ヒドロキシアミド重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を求めることができる。
【００４５】
また、式（Ａ）で表されるアミド重合体の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量を前記の範囲にするための反応方法としては、例えば、ジカルボン酸化合物とジアミン化合物の反応モル比を調整して分子量を制御する方法、ジカルボン酸クロリド化合物とジアミン化合物に、カルボン酸クロライド化合物又はアミン化合物を用いて、反応を停止させ、任意の分子量に調整する方法等を例示することができる。上記カルボン酸クロライド及びアミン化合物は、重合体の末端として反応を終結させ、それ以上分子量が大きくならないようにするために用いるものであり、例えば、安息香酸クロライド、４−プロピル安息香酸クロライド及び４−イソプロピル安息香酸クロライドなどのカルボン酸クロライド、アニリン、４−イソプロピルアニリン及び４−イソプロペニルアニリンなどのアミン化合物を例示することができる。
【００４６】
前記ジカルボン酸化合物とジアミン化合物の反応モル比は、特に規定されないが、反応モル比を調整することにより、上記分子量を制御することが可能である。反応モル比の調整方法としては、例えば、上記の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量とも関係し、上記で用いるジカルボン酸化合物及びジアミン化合物の構造によりモル比が異なるが、どちらか一方の化合物のモル数を過剰に調整される。この場合の反応モル比としては、例えば、ジアミン化合物のモル数を過剰として、０．７以上、０．９以下に調整されることが好ましく、０．７５以上、０．９０以下がより好ましく、さらに好ましくは、０．８以上、０．９０以下とするのが良い。反応モル比は、前記範囲外でも使用できるが、前記下限値より低いと、比較的低分子の成分が多く生じるため、その除去等により、工程が複雑化する恐れがある。また、前記上限値を超える場合、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が目的とする範囲よりも大きくなる恐れがある。
【００４７】
本発明の光学部品用組成物は、上記で得られたアミド重合体及び溶剤を混合することにより得ることができる。アミド重合体と溶剤の混合割合としては、その使用目的等により異なるが、一般的には、前記アミド重合体に対する溶剤の重量比で、例えば、３倍以上、５０倍以下程度で用いることができる。
【００４８】
本発明の光学部品用組成物に用いる溶剤としては、アミド重合体の構造により、それぞれ異なるが、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及び非プロトン極性溶媒が挙げられる。例えば、ケトン系溶媒として、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、４−メチル−シクロヘキサノン、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノン、炭酸プロピレン、ジアセトンアルコール及びγ−ブチロラクトンなど；エーテル系溶媒として、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコール１−モノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及び１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテルなど；エステル溶媒系として、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びメチル−３−メトキシプロピオネートなど；非プロトン極性溶媒として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上を混合して用いることができる。ヒドロキシアミド重合体の構造により異なるが、これらの中でも、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンと上記シクロペンタノン以外の溶媒との混合物、シクロヘキサノンと上記シクロヘキサノン以外の溶媒との混合物が、好ましい。
【００４９】
本発明の光学部品用組成物は、前記アミド重合体及び溶剤を含むものであるが、必要に応じて、各種添加剤として、界面活性剤、シラン系に代表されるカップリング剤、加熱により酸素ラジカルやイオウラジカルを発生するラジカル開始剤等を添加することができる。また、感光剤として、例えばナフトキノンジアジド化合物と一緒に用いることで、感光性樹脂組成物として用いることが可能である。
【００５０】
本発明においては、前記光学部品用組成物を用いて光学部品を得ることができる。光学部品がフィルム状である場合の製造例としては、例えば、まず、上記で得た光学部品用組成物を、適当な支持体、例えば、シリコンウエハやセラミック基板等に塗布して、塗膜を形成する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等が挙げられる。
【００５１】
次いで、上記で得た塗膜を、例えば、好ましくは窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で、４０℃以上、４２５℃以下の温度で加熱して溶剤を除去し、引き続き、３５０℃以上、４２５℃以下の温度で、加熱及び／又は３００℃以上、４２５℃以下の温度下で活性エネルギー線を照射して、前記光学部品用組成物中のアミド重合体を架橋反応させフィルムを形成し、それを用いて光学部品として使用することができる。
【００５２】
このようにして得られる光学部品用フィルムは、これに用いる上記光学部品用組成物を、上記同様に塗布して塗膜を形成し、これを３８０℃で２５０秒間加熱して得られたフィルムを用いて測定した際の、３８０ｎｍの波長における光の消衰係数が、０以上、０．０１以下であることが好ましい。また、消衰係数は０に近い方がより好ましく、上記上限値は０．００８以下がより好ましく、さらに好ましくは０．００５以下とするのが良い。前記消衰係数は、数値が小さいほど、フィルム中での光の吸収が小さいことを意味しており、消衰係数が小さいほど、透明性がよいことから、透明性が良好なものとなる。また、前記消衰係数は前記範囲外でも使用できるが、０．０１を越えるとフィルム中で光が吸収されて消衰することを意味し、その使用用途によっては、光学部品としての適応が好ましくなくなる恐れがある。
【００５３】
上記消衰係数は、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．製ｎ＆ｋアナライザーや市販の分光エリプソメーターにより、測定することができる。前記分光エリプソメーターとしては、例えば、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ． Ｉｎｃ．製分光エリプソメーターを用いることができる。消衰係数の測定に関しては、３８０ｎｍでの波長の値を用いる。測定方法としては、例えば、まず、シリコン基板上に、上記光学部品組成物を用いてスピンコートで作製した塗膜を、窒素ガス雰囲気下で、２００℃で９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃で２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製する。次いで、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして算出することで、３８０ｎｍの波長での消衰係数を求めることができる。
【００５４】
光学部品における屈折率は、消衰係数と場合と同様にして得られた光学部品用フィルムを用いて測定した際の６３３ｎｍの波長における屈折率が１．６５以上であることが望ましい。屈折率が１．６５以上の高屈折率である場合、例えば光学部品用組成物をデジタルカメラや携帯電話のカメラ用のレンズとして用いる場合、レンズの小型化、レンズ焦点の短距離化が可能となり、カメラを小型化できる。
上記屈折率は、上記フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．製ｎ＆ｋアナライザーや上記市販の分光エリプソメーターを用いて、測定することができる。測定方法としては、例えば、まず、シリコン基板上に、上記高額部品樹脂組成物を用いてスピンコートで作製した塗膜を、窒素ガス雰囲気下で、２００℃で９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃で２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製する。ついで、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして算出することで６３３ｎｍの波長での屈折率を求めることができる。
【００５５】
本発明の光学部品としては、例えば、光学レンズ、光学フィルター、光スイッチ、光導波路、光ファイバー、集光レンズ等が挙げられる。
【００５６】
本発明の光学部品の１つである光導波路の構造例として、特に限定はされないが、例えば、特開平０８−１３９３００号公報に記載されているものを挙げることができる。
その製造方法としては、例えば、図１に示すように、半導体基板（１）上に、クラッド層としてプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ膜に代表される無機膜（２）を形成し、フォトレジスト法により、コア部として凹状に加工する。その後、上記で凹状を形成した無機膜の面に、本発明の光学部品用組成物を用いて、これを塗布して塗膜を形成する。このとき、塗布の方法としては、スピンナーによる回転塗布、スプレーコーターによる噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等が挙げられる。その後、上記で得た塗膜を、所定温度でプリベーク後、加熱及び／又は活性エネルギー線を照射して、光導波路部（３）を形成する。
【００５７】
次に、必要によりエッチング等をして、不必要な部分を除去する。この際に、レジスト等を用いてパターニングをしても構わない。その後、上部に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ膜に代表される無機膜（４）を形成して、光導波路を作製できる。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
【００５９】
製造例１
５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドの製造
（１）５−ブロモイソフタル酸の合成
温度計、撹拌機及び滴下ロートを備えた４つ口の１Ｌフラスコに、５−アミノイソフタル酸９９．１８ｇ（０．５５ｍｏｌ）と４８重量％臭化水素酸１６５ｍＬ、蒸留水１５０ｍＬを入れ、撹拌した。フラスコを５℃以下まで冷却し、ここへ、亜硝酸ナトリウム３９．４ｇ（０．５７ｍｏｌ）を蒸留水５２５ｍＬに溶解したものを、１時間かけて滴下し、ジアゾニウム塩水溶液を得た。
温度計、ジムロート冷却管、滴下ロート及び撹拌機を備えた４つ口の３Ｌフラスコに、臭化第一銅９４．２５ｇ（０．６６ｍｏｌ）と４８重量％臭化水素酸４５ｍＬを入れ、撹拌した。フラスコを０℃以下に冷却し、上記で得たジアゾニウム塩水溶液を２時間かけて滴下した。滴下終了後に室温で３０分間撹拌し、続けて３０分間還流させた。放冷後、析出物をろ別し、蒸留水２Ｌで２回洗浄し、得られた白色固体を５０℃で２日間減圧乾燥し、粗生成物１１７ｇを得た。精製せずに次の反応へ用いた。
【００６０】
（２）５−ブロモイソフタル酸ジメチルの合成
撹拌機及びジムロート冷却管を備えた５００ｍＬフラスコに、上記（１）で得られた５−ブロモイソフタル酸１１０ｇ、メタノール５００ｍＬ及び濃硫酸１０ｇを入れ、６時間還流させた。放冷後、蒸留水１Ｌに滴下し、これを５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液で中和した。析出物をろ別し、蒸留水２Ｌで２回洗浄した後、得られた白色固体を５０℃で２日間減圧乾燥し、５−ブロモイソフタル酸ジメチル１０９ｇ（０．４ｍｏｌ）を得た（収率８９％）。
【００６１】
（３）１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチンの合成
温度計、ジムロート冷却管、窒素導入管及び撹拌機を備えた４つ口の１Ｌフラスコに、上記（２）で得られた５−ブロモイソフタル酸ジメチル９９．７ｇ（０．３６５ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１．１ｇ（０．００４１９ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．２７５ｇ（０．００１４４ｍｏｌ）、フェニルアセチレン４０．９ｇ（０．４ｍｏｌ）を仕込み、フラスコ内に窒素を流した。次いで、脱水トリエチルアミン３７５ｍＬおよび脱水ピリジン２００ｍＬを加え、撹拌して溶解した。１時間窒素を流し続けた後、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３ｇ（０．０００４２７ｍｏｌ）を素早く添加し、オイルバスで１時間加熱還流した。その後、トリエチルアミンおよびピリジンを減圧留去し、粘稠な褐色溶液を得た。これを、水５００ｍＬに注ぎ、析出した固形物をろ取し、さらに、水５００ｍＬ、５モル／リットル濃度塩酸５００ｍＬ、水５００ｍＬで各２回洗浄した。この固形物を、５０℃で減圧乾燥することにより、９０．８ｇの１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチンを得た（収率８５％）。
【００６２】
（４）５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩の合成
温度計、ジムロート冷却管及び撹拌機を備えた５Ｌの４つ口フラスコに、ｎ−ブタノール３Ｌ、水酸化カリウム（８５％）１８２ｇ（２．７６３ｍｏｌ）を仕込み、加熱還流して溶解した。これに、上記（３）で合成した１−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−フェニルエチン８５ｇ（０．２９ｍｏｌ）を加えて、３０分間加熱還流した。これを氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ取した。この結晶をエタノール１Ｌで２回洗浄し、６０℃で減圧乾燥することによって、９４ｇの５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩を得た（収率９５％）。
【００６３】
（５）５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドの合成
温度計、ジムロート冷却管及び撹拌機を備えた２Ｌの４つ口フラスコに、上記（４）で得られた５−フェニルエチニルイソフタル酸二カリウム塩８５．６ｇ（０．２ｍｏｌ）、クロロホルム１Ｌを仕込み、０℃に冷却した。これに塩化チオニル３９１ｇ（４．５ｍｏｌ）を、５℃以下で１時間かけて滴下した。その後、ジメチルホルムアミド４ｍＬ、ヒドロキノン４ｇを加え、８０〜１３０℃で３時間撹拌した。冷却後、ヘキサンを２Ｌ加え、生じた沈殿をろ過して集めた後、結晶をクロロホルム１５０ｍＬ、ヘキサン３００ｍｌに加熱下で溶解し、熱ろ過後、０℃の冷蔵庫で４８時間静置し、結晶を得ることで、４２ｇの５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリドを得た（収率５５％）。
【００６４】
製造例２
５−エチニルイソフタル酸ジクロリドの製造
（１）５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチルの合成
温度計、ジムロー卜冷却管、塩化カルシウム管、撹拌機を備えた４つ口の５Ｌフラスコに、５−ヒドロキシイソフタル酸ジメチル１９０．０ｇ（０．９０４ｍｏｌ）、脱水トルエン３Ｌ、脱水ピリジン２１４．７ｇ（２．７１８ｍｏｌ）を仕込み、撹拌しながら−３０℃まで冷却した。ここに、無水トリフルオロメタンスルホン酸５１０．２ｇ（１．８０８ｍｏｌ）を、温度が−２５℃以上に上がらないように注意しながら、ゆっくりと滴下した。この場合、滴下が終了するまでに１時間を要した。滴下終了後、反応温度を０℃に昇湿し１時間、さらに室温に昇温し５時間反応した。得られた反応混合物を４Ｌの氷水に注ぎ、水層と有機層を分離した。更に水層を５００ｍＬのトルエンで２回抽出し、これを先の有機層とあわせた。この有機層を水３Ｌで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウム１００ｇで乾燥、ろ過により無水硫酸マグネシウムを除去し、ロータリーエバポレーターでトルエンを留去、減圧乾燥することによって、淡黄色固体の５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチルを２９４．０ｇ得た（収率９５％）。この粗生成物をヘキサンで、再結晶することによって白色針状晶を得、これを次の反応に用いた。
【００６５】
（２）４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オールの合成
温度計、ジムロート冷却管、窒素導入管、撹拌機を備えた４つ口の１Ｌフラスコに、上記（１）で得られた５−トリフルオロメタンスルホニロキシイソフタル酸ジメチル１２５ｇ（０．３６５ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１．１ｇ（０．００４１９ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．２７５ｇ（０．００１４４ｍｏｌ）、３−メチル−１−ブチン−３−オール３３．７３ｇ（０．４０１ｍｏｌ）を仕込み、窒素を流した。脱水トリエチルアミン３７５ｍＬおよび脱水ピリジン２００ｍＬを加え、撹拌溶解した。１時間窒素を流し続けた後、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．３ｇ（０．０００４２７ｍｏｌ）を素早く添加し、オイルバスで１時間加熱還流した。その後、トリエチルアミンおよびピリジンを減圧留去し、粘稠な褐色溶液を得た。これを水５００ｍＬに注ぎ析出した固形物をろ取し、さらに水５００ｍＬ、５モル／リットル濃度塩酸５００ｍＬ、水５００ｍＬで各２回洗浄した。この固形物を、５０℃で減圧乾燥することにより、９８．８ｇの４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オールを得た（収率９８％）。
【００６６】
（３）５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩の合成
温度計、ジムロート冷却管、撹拌機を備えた５Ｌの４つ口フラスコにｎ−ブタノール３Ｌ、水酸化カリウム（８５％）１８２ｇ（２．７６３ｍｏｌ）を仕込み、加熱還流して溶解した。これに上記（２）で合成した４−［３，５−ビス（メトキシカルボニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−１−オール９５ｇ（０．３４４ｍｏｌ）を加えて３０分間加熱還流した。これを氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ取した。この結晶をエタノール１Ｌで２回洗浄し、６０℃で減圧乾燥することによって、８８．８７ｇの５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩を得た（収率９７％）。
【００６７】
（４）５−エチニルイソフタル酸ジクロリドの合成
温度計、ジムロート冷却管、撹拌機を備えた２Ｌの４つ口フラスコに、上記（３）で得られた５−エチニルイソフタル酸二カリウム塩８０ｇ（０．３ｍｏｌ）、クロロホルム４００Ｌを仕込み、０℃に冷却した。これに塩化チオニル３９１ｇ（４．５ｍｏｌ）を、５℃以下で１時間かけて滴下した。その後、ジメチルホルムアミド４ｍＬ、ヒドロキノン４ｇを加え、４５〜５０℃で３時間撹拌した。冷却後ろ過して結晶を除き、結晶をクロロホルム１５０ｍＬで洗浄した。ろ液と洗浄液をあわせて４０℃以下で減圧濃縮し、得られた残渣をジエチルエーテル２００ｍＬで２回抽出ろ過した。抽出液からジエチルエーテルを減圧留去することで、半固体の粗生成物を得た。これを乾燥したｎ−へキサンで洗浄し、続いてジエチルエーテルで再結晶することで１３ｇの５−エチニルイソフタル酸ジクロリドを得た（収率１９％）。
【００６８】
実施例１
［アミド重合体Ａの合成］
窒素ガスフロー下で、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を、乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解し、ピリジン１７．４ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加した後、−１５℃に冷却し、製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１９．７ｇ（０．０６５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド８．０ｇ（０．０２７ｍｏｌ）を、少しずつ添加した。滴下終了後、−１５℃で、１時間撹拌後、室温まで戻し、室温で５時間撹拌した。その後、反応液を５０％メタノール水溶液４リットルに小さな液滴で滴下し、沈殿物を集め、さらに、５０％メタノール水溶液４リットル中で３回繰り返した。その後、沈殿物を乾燥することにより、３６ｇのアミド重合体Ａを得た。
【００６９】
上記で得たアミド重合体の標準ポリスチレン換算重量平均分子量については、装置として、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＳＣ−８０２０システムに、ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ−ＨＲＨ高速ＳＥＣ用カラム、ＬｉＢｒ０．５％入りＮ−メチル−２−ピロリドン移動相、ＵＶ（λ＝２８０ｎｍ）検出器を用いて測定し、標準ポリスチレン（東ソー製ＰＳ−オリゴマーキット）を用いて換算して重量平均分子量を求めた。得られたアミド重合体Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は１６０００であった。
【００７０】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ａ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、評価を行った。
【００７１】
アミド重合体のガラス転移温度は、作成したフィルムを削り落とした粉末について、ＭＤＳＣ（温度サイクルモード示差操作熱量計：ティー・エイ・インスツルメント社製２９１０ＭＤＳＣ）により、Ｎ2ガスを３０ｍＬ／分の流量で流しながら、昇温速度２℃／分、温度振幅±２℃／分の条件で昇温しながら、４０℃から４２０℃までの温度範囲で測定を行い、リバース曲線の変移点から算出を行った。得られたアミド重合体Ａのガラス転移温度は４００℃以上であった。
【００７２】
また光学部品は、図１に示すような、シリコン基板（半導体基板（１））上に凹部を有するＳｉＯｘ膜（無機膜（２））を形成した基板を用意し、前記凹部に塗布膜を形成して得られるが、このような光学部品としての評価としては、上記で得られた塗布膜を評価することで、簡素化して行った。
【００７３】
評価方法としては、光学部品用組成物を用いて、上記シリコン基板上に、凹部を埋設するように、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜をＮ2ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製し、該フィルムについて、ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．社製ｎ＆ｋアナライザー１５００を用いて反射率測定を行い、１９０ｎｍ〜１０００ｎｍの波長域での反射率をカーブフィッティングして、算出した６３３ｎｍの屈折率と３８０ｎｍの減衰係数を求めることにより、屈折率及び減衰係数の評価を行った。上記フィルムの屈折率は０．００６であり、減衰係数は１．６９であった。
各特性を第１表に示す。
【００７４】
実施例２
［アミド重合体Ｂの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド１０．４ｇ（０．０４６ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１３．６ｇ（０．０４６ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３５ｇのアミド重合体Ｂを得た。得られたアミド重合体Ｂの重量平均分子量（Ｍｗ）は１３０００であった。
【００７５】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｂ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００７６】
実施例３
［アミド重合体Ｃの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド１３．９ｇ（０．０４６ｍｏｌ）とイソフタル酸ジクロリド９．３ｇ（０．０４６ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、４７ｇのアミド重合体Ｃを得た。得られたアミド重合体Ｃの重量平均分子量（Ｍｗ）は１１０００であった。
【００７７】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｃ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００７８】
実施例４
［アミド重合体Ｄの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド２０．９ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３２ｇのアミド重合体Ｄを得た。得られたアミド重合体Ｄの重量平均分子量（Ｍｗ）は１７０００であった。
【００７９】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｄ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８０】
実施例５
［アミド重合体Ｅの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド２７．９ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５２ｇのアミド重合体Ｅを得た。得られたアミド重合体Ｅの重量平均分子量（Ｍｗ）は１２０００であった。
【００８１】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｅ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８２】
実施例６
［アミド重合体Ｇの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン３４．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２７．２ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５１ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は１７０００であった。
【００８３】
［光学部品用組成物及びフィルムの作製］
実施例５で得たアミド重合体Ｅ０．０５ｇと上記で得たアミド重合体Ｇ０．０５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
【００８４】
比較例１
［アミド重合体Ｆの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに４，４’−ジアミノジフェニルスルホン２１．６ｇ（０．１ｍｏｌ）を、製造例１で得た５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２７．２ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、３８ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００であった。
【００８５】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｆ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｆから得られるフィルムのガラス転移温度は２８０℃と低く耐熱性に劣るとともに、消衰係数からわかるように透明性が低く、実施例より劣っていた。
【００８６】
比較例２
実施例６で得たアミド重合体Ｇ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｇから得られるフィルムのガラス転移温度は３２１℃と低く、耐熱性に劣っていた。
【００８７】
比較例３
［アミド重合体Ｈの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりにイソフタル酸ジクロリド１８．７ｇ（０．０９２ｍｏｌ）を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、２９ｇのアミド重合体Ｇを得た。得られたアミド重合体Ｇの重量平均分子量（Ｍｗ）は２９０００であった。
【００８８】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｈ０．１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｈから得られるフィルムのガラス転移温度は２４５℃と極めて低く、耐熱性に劣っていた。
【００８９】
比較例４
［アミド重合体Ｉの合成］
実施例１のアミド重合体Ａの合成において、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１ｍｏｌ）の代わりに２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン３３．４ｇ（０．１ｍｏｌ）を、５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド８．２ｇ（０．０２７ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド１９．２ｇ（０．０６５ｍｏｌ）の代わりに製造例２で得た５−エチニルイソフタル酸ジクロリド２．３ｇ（０．０１ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸ジクロリド２５．１ｇ（０．０８５ｍｏｌ））を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、５１ｇのアミド重合体Ｉを得た。得られたアミド重合体Ｉの重量平均分子量（Ｍｗ）は１５０００であった。
【００９０】
［組成物及びフィルムの作製］
上記で得たアミド重合体Ｉ０．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１ｇをガラス製サンプル瓶中で溶解して混合した後、孔径０．１μｍテフロン（登録商標）フィルターでろ過して、組成物を得た。この組成物を用いて、スピンコートにより、塗膜を形成し、該塗膜を窒素ガス雰囲気下で、２００℃／９０秒間加熱して乾燥し、さらに３８０℃／２５０秒間熱処理をし、フィルムを作製すると共に、実施例１と同様にして評価を行った。各特性を第１表に示す。
アミド重合体Ｉから得られるフィルムのガラス転移温度は２９０℃と低く耐熱性に劣るとともに、屈折率が１．６４と低めであり、実施例より劣っていた。
【００９１】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の光学部品の１つである光導波路の構造例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１ 半導体基板
２ 半導体基板上の無機膜
３ 光導波路部
４ 上部無機膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
【化１】
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、下記式（Ｂ）
【化２】
（上記式（Ｂ）中のＸは、下記式（Ｃ）
【化３】
で表される基の中から選ばれる基を示す。）で表される基の中から選ばれる基を示し、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、下記式（Ｄ）
【化４】
、下記式（Ｅ）
【化５】
（式（Ｄ）及び式（Ｅ）中のＲは、水素原子、フェニル基又はアルキル基を示す。また、上記式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、及びフェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の基を示す。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【請求項２】
前記アミド重合体は、式（Ａ）におけるＹ1として、式（Ｆ）で表される基を有し、Ｚとして式（Ｇ）で表される基を有するものである請求項１記載のアミド重合体。
【化６】
【化７】
（式（Ｇ）中のＲは式（Ｄ）におけるＲと同義である。）
【請求項３】
請求項１または２項に記載のアミド重合体及び溶剤を含む光学部品用組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の光学部品用組成物を用いて得られる光学部品。
【請求項５】
前記光学部品は、波長３８０ｎｍにおける光の消衰係数が、０以上０．０１以下である、請求項４記載の光学部品。
【請求項６】
前記光学部品は、波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．６５以上である、請求項４または５記載の光学部品。
【請求項１】
下記式（Ａ）で表されるアミド重合体。
【化１】
［式（Ａ）中、Ｙ1及びＹ2は、それぞれ、下記式（Ｂ）
【化２】
（上記式（Ｂ）中のＸは、下記式（Ｃ）
【化３】
で表される基の中から選ばれる基を示す。）で表される基の中から選ばれる基を示し、Ｙ1及びＹ2は同一でも異なっていてもよい。Ｚは、下記式（Ｄ）
【化４】
、下記式（Ｅ）
【化５】
（式（Ｄ）及び式（Ｅ）中のＲは、水素原子、フェニル基又はアルキル基を示す。また、上記式（Ｄ）および式（Ｅ）で表される基における環構造上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基、及びフェニル基の中から選ばれる少なくとも１個の基で置換されていてもよい。）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の基を示す。ｍは０又は１以上の整数、ｎは２以上の整数、かつ、ｎ／（ｍ＋ｎ）が０．５以上である。また、式（Ａ）における繰り返し単位の配列は、ブロック的配列、ランダム的配列のいずれであってもよい。］
【請求項２】
前記アミド重合体は、式（Ａ）におけるＹ1として、式（Ｆ）で表される基を有し、Ｚとして式（Ｇ）で表される基を有するものである請求項１記載のアミド重合体。
【化６】
【化７】
（式（Ｇ）中のＲは式（Ｄ）におけるＲと同義である。）
【請求項３】
請求項１または２項に記載のアミド重合体及び溶剤を含む光学部品用組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の光学部品用組成物を用いて得られる光学部品。
【請求項５】
前記光学部品は、波長３８０ｎｍにおける光の消衰係数が、０以上０．０１以下である、請求項４記載の光学部品。
【請求項６】
前記光学部品は、波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．６５以上である、請求項４または５記載の光学部品。
【図１】
【公開番号】特開２０１０−７７３５４（Ｐ２０１０−７７３５４Ａ）
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５０４０９（Ｐ２００８−２５０４０９）
【出願日】平成２０年９月２９日（２００８．９．２９）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月２９日（２００８．９．２９）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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