【課題】安定的かつ大量に、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成すること。
【解決手段】金属触媒の存在下においてモノマーをリビングラジカル重合させることによってコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合によって生成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをコア部とし、当該コア部に酸分解性基を導入することによりシェル部が形成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーおよび酸触媒が存在する反応系を加熱環流することによって、シェル部を形成する酸分解性基の一部を酸触媒を用いて分解して酸基を形成する。酸基の形成に際しては、酸触媒として、シェル部が形成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを溶解するとともに加熱還流時の温度では揮発しない物質を用いるようにした。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属触媒の存在下におけるモノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成するコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法であって、
前記リビングラジカル重合によって生成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをコア部とし、当該コア部に酸分解性基を導入することによりシェル部を形成する工程と、
前記シェル部が形成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを含む反応系に、当該コアシェル型ハイパーブランチポリマーを溶解するとともに前記加熱還流時の温度では揮発しない酸触媒を混合する工程と、
前記酸触媒が混合された反応系を加熱環流することによって、前記シェル部を形成する酸分解性基の一部を、前記酸触媒を用いて分解することにより酸基を形成する酸基形成工程と、
を含むことを特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法。
【請求項２】
前記酸触媒は、
前記シェル部が形成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを溶解する溶媒に対する相溶性を有することを特徴とする請求項１に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法。
【請求項３】
前記酸基形成工程は、
前記シェル部が形成されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーおよび前記酸触媒を溶解するとともに水に対する相溶性を有する溶媒の存在下でおこなうことを特徴とする請求項２に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法にしたがって合成されたことを特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマー。
【請求項５】
請求項４に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを包含することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項６】
請求項５に記載のレジスト組成物によってパターンを形成されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載のレジスト組成物を用いてパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

【公開番号】特開２００８−１７９７６９（Ｐ２００８−１７９７６９Ａ）
【公開日】平成２０年８月７日（２００８．８．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２８０８７６（Ｐ２００７−２８０８７６）
【出願日】平成１９年１０月２９日（２００７．１０．２９）
【出願人】（０００００６７６９）ライオン株式会社 (1,816)
【Ｆターム（参考）】