コンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムおよびフィルムコンデンサ
【課題】積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善できるフィルムを提供する。
【解決手段】少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起を形成させるとともに、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であるコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【解決手段】少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起を形成させるとともに、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であるコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンデンサ用フィルムに関し、優れた耐電圧を示し、層間剥離が生じないフィルムを提供する。さらに、上記フィルムから得られるコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムは、優れた耐熱性、耐薬品性、電気特性を持つことから、電気絶縁材料、電子部品、音響振動板、離型材など様々な分野に単体または複合体の形体で使用されている。
【０００３】
従来から二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの性質を改善するために、これに不活性粒子を配合することが知られている。例えば特許文献1には、二軸配向ポリ−ｐ−フェニレンサルファイドフィルムをコンデンサに用いた場合に、その容量および絶縁破壊電圧のバラツキを小さくするために、微細突起密度および粗大突起密度を一定範囲に調整した二軸配向ポリ−ｐ−フェニレンサルファイドフィルムが提案されており、必要に応じて溶融押出工程以前の任意の段階で、樹脂組成物中に微粒子を分散させることが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、粒径０．０１〜５μｍの不活性無機粒子と特定嵩密度のポリ−ｐ−フェニレンサルファイド樹脂粉末とを混合し、溶融押出して微粒子を分散させる方法が開示されている。
さらに、特許文献３、特許文献４などには固体微粒子として特定形状の炭酸カルシウムを用いることが開示されている。炭酸カルシウムの使用によって、滑り性が良好で粗大突起や粒子脱落の少なく、ポリマーと粒子の親和性を上げることでボイドを小さくできることからフィルムの絶縁欠陥が少なくできたことが示されている。
【０００５】
しかしながら、このような従来公知の方法には次のような欠点があり、改善が要望されていた。二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムを用いた積層コンデンサにおいて、上記のような方法でフィルムの表面構造が単一粒子で均一になることにより、フィルム層間での密着力が弱くなり層間剥離やコンデンサ表面でのフィルムめくれが発生し、外観不良さらには耐電圧不良をも引き起こすことが問題となっていた。
【特許文献１】特開昭６０−２５７５１０号公報
【特許文献２】特開昭６３−２４５４４２号公報
【特許文献３】特開２００４−１４９７４０号公報
【特許文献４】特開２００６−１０４３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善できるフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明のコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムは次の構成を有する。すなわち、少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起構造を有する二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムであって、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であることを特徴とするコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明で提供されるフィルムを用いることにより、積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に本発明の最良の実施形態を説明する。
本発明において、ポリフェニレンサルファイドとは、繰り返し単位８０モル％以上（好ましくは９０モル％以上）が次の化学式で示される構成単位からなる重合体をいう。
【００１０】
【化１】
【００１１】
かかる成分が２０モル％未満ではポリマーの結晶性、軟化点が低くなり、得られるフィルムの耐熱性、寸法安定性および機械的特性などを損なう。繰り返し単位の２０モル％未満（好ましくは１０モル％未満）であれば、共重合可能なスルフィド結合を含有する単位が含まれていても差し支えない。該重合体の共重合の仕方はランダム、ブロックを問わない。
本発明においてポリフェニレンサルファイド樹脂組成物とは上記ポリフェニレンサルファイド（好ましくはポリ−ｐ−フェニレンサルファイド）を９０重量％以上含む樹脂組成物をいう。樹脂組成物中の残りの１０重量％未満は、ポリフェニレンサルファイド以外のポリマーおよび／または充填剤、滑剤、着色剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、酸化防止剤等の添加物であってもかまわない。また、本発明のポリフェニレンサルファイド樹脂組成物の溶融粘度は温度３００℃、せん断速度２００ｓｅｃ−１のもとで１００〜５００００ポイズ、さらには５００〜１２０００ポイズの範囲が製膜性の面で好ましい。
【００１２】
本発明のポリフェニレンサルファイドフィルムとは、上記ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を溶融成形した二軸延伸フィルムである。該フィルムの厚さは０．５〜６μｍ、さらには０．７〜３μｍの範囲が本発明の目的を効果的に達成する点で好ましい。また、易接着効果を持たせる目的で、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理を単体または複合の表面処理が施されてもよい。
【００１３】
本発明においてコンデンサとは、電気回路の一種で、誘電体を挟んで導体からなる一対の電極を設けることにより、両電極間に一定の静電気量を与えるものを意味し、蓄電器、キャパシタなどと呼ばれるものである。
【００１４】
次に、本発明のコンデンサ用ポリフェニレンサルファイドフィルムおよび該フィルムを用いたコンデンサの好ましい製造方法の例を説明する。ただし、本発明の製造方法はこの方法に限定されるものではない。
【００１５】
まず、ポリフェニレンサルファイドフィルムの製造方法について述べる。
ポリフェニレンサルファイドの重合方法としては、硫化アルカリとｐ−ジハロベンゼンを極性溶媒中で高温に反応させる方法を用いる。特に、硫化ナトリウムとジクロロベンゼン（好ましくはｐ−ジクロロベンゼン）をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰと称することがある）等のアミド系極性溶媒中で反応させるのが好ましい。この場合、重合度を調節するために、苛性アルカリ、カルボン酸アルカリ金属塩等のいわゆる重合助剤を添加して２３０〜２８０℃で反応させるのが最も好ましい。重合系内の圧力および重合時間は、使用する助剤の種類や量をおよび所望する重合度などによって適宜決定される。重合を終わったポリマーを例えばＮ−メチルピロリドンのようなポリフェニレンサルファイドと親和性のある溶媒で高温洗浄した後に水洗、乾燥することでポリフェニレンサルファイド粉末が得られる。
【００１６】
このようにして得られた樹脂粉末に例えば無機や有機の添加剤をヘンシェルミキサー等でブレンドし、押出機、好ましくは一段以上のベント孔を有する押出機に供給して２９０〜３６０℃の温度で溶融混練して適当な口金から押し出してポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を得ることができる。
【００１７】
上記樹脂組成物を溶融押出装置に供給し、該樹脂組成物の融点以上、好ましくは２９０〜３６０℃の温度で溶融して、スリット状のダイから押し出し、回転する金属ドラム上でキャストするなどの方法で急冷して未延伸、無配向のフィルムを得る。
次いで、この未延伸フィルムを長手方向ならびに長手方向と直行方向に延伸する。この延伸条件が本発明の山脈構造を作る上で極めて重要であり、最適な延伸条件においてのみ本発明の効果を達成できる。まず、長手方向に延伸するために駆動ロール間に表面温度が９０℃以上１２０℃未満の複数本のフリーロール群に巻き付け、延伸区間を５０ｍｍ〜５００ｍｍ、好ましくは２００ｍｍ〜３００ｍｍとなるようにフリーロールの本数を調整し、長手方向に３〜５倍に延伸し一軸延伸フィルムとする。
【００１８】
一軸延伸したフィルムをテンターを用いてフィルムの両端をクリップで把持しながら搬送して長手方向と直行方向に延伸する。テンター内では、予熱温度が９０℃〜１００℃、好ましくは９３℃〜９７℃であり、かつ延伸温度が９５℃〜１０５℃、好ましくは９８℃〜１０２℃がよいことを見出した。上記の温度範囲で予熱、延伸することによって、フィルムの結晶化が進み、本発明に必要な山脈状の突起構造を作ることができた。予熱、延伸温度が上記の温度範囲以下であると、フィルムの結晶化が十分ではないため山脈状の突起構造は得られず、また予熱、延伸温度が上記の温度範囲以上であるとフィルムの結晶化が進み過ぎることによってフィルムが破断する問題がある。上記温度範囲内で長手方向と直交方向に２〜４倍延伸して二軸配向フィルムを作り、引き続きテンター内で２００℃以上融点以下の温度範囲で２〜６０秒間定長熱処理し、必要に応じて引き続き２００℃以上融点以下の温度範囲で制限収縮させて二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムを作製した。
【００１９】
本発明における有益なフィルム表面の山脈状の突起構造は、上記の方法で得られた二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの表面を観察し、高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下であるものを指す。本発明者らは鋭意検討することにより、その山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたりの１０個以上５０個以下であるとき、そのフィルムを用いて積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善することができることを見出した。短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下の山脈状の突起構造は、形成される該突起構造によりフィルム表面の滑り性が得られ、コンデンサ作製時の熱処理工程でのフィルム収縮力が層間密着力として有効に働く。アスペクト比が５より小さい山脈状の突起構造やアスペクト比が３０より大きい山脈状の突起構造は、フィルム長手方向、幅方向の収縮力のバランス関係からコンデンサを作製したときの有効な層間密着力にはならない。また、山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたり１０個以下であると、フィルムの層間密着力が弱くコンデンサ表面でフィルムめくれが発生してしまう。また、山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたり５０個以上であると、コンデンサ作製時のプレス工程においてフィルムに多数のキズが発生し、コンデンサの耐電圧性が著しく低下してしまうことがわかった。
【００２０】
次に、本発明のコンデンサの好ましい製造方法の例について述べる。
コンデンサの内部電極としては、金属箔が用いられる場合は金属箔と本発明の積層フィルムを箔はみだし巻回法や巻回途中でタブを挿入する方法などによって交互に重ね合わせて巻き取るなどして誘電体と電極を交互に重ね合わせ、かつ外部に電極が引き出せるような構造となるように巻回してコンデンサ素子あるいはコンデンサ母素子を得る。
【００２１】
また、コンデンサの内部電極として金属薄膜が用いられる場合は、まず上述した本発明のフィルムを金属化する。金属化の方法は蒸着による方法が好ましい。蒸着する金属はアルミニウムを主たる成分とする金属が好ましい。金属化する際、予め金属化する側のフィルム表面にコロナ放電処理、プラズマ処理などの処理を施し、金属薄膜とフィルムとの密着力を向上させることもできる。金属化する際、あるいは金属化後に対向電極が短絡しないようにテープマスク、オイルマージンあるいはレーザービーム等により非金属部分（いわゆるマージン）を設けることもできる。その後、一方の端にマージン部分がくるように細幅のテープ状にスリットすることもある。
次にコンデンサ素子を製造する。積層型コンデンサの場合は、ドラムあるいは平板に巻回した母素子を熱処理する、あるいはリング等で締め付ける、あるいは平行平板等でプレスするなどフィルムの厚さ方向に圧力を加えて成形する。その際の温度範囲は常温からフィルムの融点以下である。この後、外部電極の取り付け工程（金属溶射、導電性樹脂等による）、個々の素子切り出し工程、必要なら樹脂または油含浸工程を経てコンデンサを得ることができる。
［物性の測定方法］
１．山脈状の突起構造の測定
フィルム表面の山脈状の突起構造は、原子間力顕微鏡（走査型プローブ顕微鏡）ＡＦＭを用いて測定した。具体的には、セイコーインスツルメント（株）製の卓上小型プローブ顕微鏡（“Ｎａｎｏｐｉｃｓ”１０００）を用い、ダンピングモードでフィルムの表面を１００００μｍ２の範囲で原子間力顕微鏡計測走査を行い、得られたイメージデータから粒子解析を行う。粒子解析でのしきい値を２５０ｎｍとし、図に示したように一つの山脈構造に対しフィルム長手方向、幅方向にそれぞれ平行な線を引き、山脈構造を挟む距離をそれぞれ測定し、長い方を長径、短い方を短径とする。短径が２μｍ以上の山脈構造の中で、長径を短径で割ったときの値をアスペクト比とし、各アスペクト比に対する山脈構造の個数を数える。
［測定条件］
測定モード ：ダンピングモード
測定方向 ：幅方向
測定領域 ：１００×１００μｍ
スキャンスピード ：３８０ｓ／ＦＲＡＭＥ
スキャン回数 ：５１２本
振幅モード ：ＨＨ（１００％）
２．コンデンサ表面のフィルムめくれ発生率
フィルムにアルミ蒸着し、下記条件で積層コンデンサを作製して、目視によりコンデンサ表面のめくれ発生個数を確認し、発生している割合を百分率（％）で表した。
◎：めくれ発生率 １％未満
○：めくれ発生率 １％以上５％未満
×：めくれ発生率 ５％以上
［コンデンサ作製条件］
アルミニウム蒸着 ：２Ω／□
フィルム幅 ：９ｍｍ
マージン幅 ：１ｍｍ
静電容量 ：０．３５μＦ
プレス条件
温度 ：１５０℃
圧力 ：２５ｋｇ／ｃｍ２
時間 ：０．５時間
３．コンデンサの耐電圧不良率
上記４と同様に積層コンデンサを作製して、直流耐圧試験機（春日電機製）で印可電圧昇圧速度１００Ｖ／ｓｅｃで測定し、電流が１０ｍＡ以上流れ、電圧上昇が止まったものを不良とした。コンデンサ１００個を測定し、不良個数の百分率（％）で表した。
◎：不良率 ２％未満
○：不良率 ２％以上１０％未満
×：不良率 １０％以上
【実施例】
【００２２】
以下に、本発明をより理解しやすくするために実施例、比較例を示す。
（実施例１）
５０Ｌオートクレーブ（ＳＵＳ３１６製）に水硫化ナトリウム（ＮａＳＨ）５６．２５モル、水酸化ナトリウム５４．８モル、酢酸ナトリウム１６モル、およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）１７０モルを仕込む。次に、窒素ガス気流下に攪拌しながら内温を２２０℃まで昇温させ脱水を行った。脱水終了後、系を１７０℃まで冷却した後、５５モルのｐ−ジクロロベンゼン（ｐ−ＤＣＢ）と０．０５５モルの１，２，４−トリクロロベンゼン（ＴＣＢ）を２．５ＬのＮＭＰとともに添加し、窒素気流下に系を２．０ｋｇ／ｃｍ２まで加圧封入した。２３５℃にて１時間、さらに２７０℃にて２〜５時間攪拌下にて加熱後、系を室温まで冷却、得られたポリマーのスラリーを水２００モル中に投入し、７０℃で３０分間攪拌後、ポリマーを分離する。このポリマーをさらに約７０℃のイオン交換水（ポリマー重量の９倍）で攪拌しながら５回洗浄後、約７０℃の酢酸リチウムの５重量％水溶液にて窒素気流下にて約１時間攪拌した。さらに、約７０℃のイオン交換水で３回洗浄後、分離し、１２０℃、０．８〜１ｔｏｒｒの雰囲気下で２０時間乾燥することによって白色のポリフェニレンサルファイド粉末が得られた。
【００２３】
次に、このポリフェニレンサルファイド粉末を市販の窒素ガス雰囲気下２０〜９０℃のＮＭＰ（ポリフェニレンサルファイドポリマー重量の３倍量）にて５分間〜１時間の攪拌処理を１〜５回行った。このポリフェニレンサルファイド粉末をさらに約７０℃のイオン交換水で４回洗浄した後分離し、上記のようにして乾燥することによって白色のポリフェニレンサルファイド粉末を得た。このポリフェニレンサルファイド粉末の３００℃における溶融粘度は５０００ポイズであった。
【００２４】
平均粒径０．５μｍの炭酸カルシウムをエチレングリコール中に５０重量％微分散させたスラリーを調製した後、表面処理剤としてポリメタクリル酸アンモニウム塩を２．０重量％添加した。このスラリーを１μｍカットフィルターで濾過した後、上記のポリフェニレンサルファイド粉末にヘンシェルミキサーを用いて炭酸カルシウムが５．０重量％となるよう混合した。次いで、２ヶ所のベント孔を有する２軸押出機に供給し、溶融混練と同時にベント孔よりエチレングリコールを除去し、ガット状に押出し、水中で冷却後切断して粒子ペレットとした。
また、ポリフェニレンサルファイド粉末のみを上記同様に溶融押出し、無粒子ペレットとした。
上記の粒子ペレットおよび無粒子ペレットを炭酸カルシウムが１．０重量％となるよう混合し、１８０℃、０．５ｋＰａの減圧下で１５時間乾燥した後、押出機に供給し溶融温度３３０℃で押し出し、口金から吐出させ、表面を２５℃に保った金属ドラム上で静電印加させながら冷却・固化し、厚み約１５μｍの未延伸フィルムを得た。
【００２５】
得られた未延伸フィルムを表面温度９５℃の複数のフリーロールに巻きつけ、延伸区間が２５０ｍｍとなるようにし、フィルムの長手方向に３．５倍に延伸した。次いで、予熱温度９５℃で加熱し、その後、延伸温度１００℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸し、２６０℃の熱風雰囲気下で定長熱処理を行い、１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。
このフィルム表面の山脈状の突起構造、積層コンデンサを作製した際のめくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１８個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造は１００００μｍ２あたり３０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり２個であり、めくれ発生率は良好で、耐電圧不良率も良好な結果となった。
（実施例２）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９２℃で加熱し、その後、延伸温度９７℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり２３個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり８個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、一部めくれ発生があったが問題ないレベルであり、耐電圧不良率も良好な結果となった。
（実施例３）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９８℃で加熱し、その後、延伸温度１０４℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり３個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり４２個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり２個であり、めくれ発生率が良好、耐電圧不良率も問題ない結果となった。
（比較例１）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度９０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、めくれ発生率が高く、耐電圧不良率も高い結果となった。
（比較例２）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度１００℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１５個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、めくれ発生率が高く、耐電圧不良率も高い結果となった。
（比較例３）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例４）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例５）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度１０５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例６）
実施例１と同様に未延伸フィルムまで得た後、表面温度９５℃の複数のフリーロールに巻きつけ、延伸区間が４０ｍｍとなるようにし、フィルムの長手方向に３．５倍に延伸した。以降、実施例１と同様に行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
【００２６】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明のコンデンサ用ポリフェニレンサルファイドフィルムは、最近の小型電子機器用のチップコンデンサやハイブリッド自動車用のフィルムコンデンサ用などに好ましく用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】ＡＦＭによる粒子解析で得られたフィルム表面の山脈状の突起構造の模式図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンデンサ用フィルムに関し、優れた耐電圧を示し、層間剥離が生じないフィルムを提供する。さらに、上記フィルムから得られるコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムは、優れた耐熱性、耐薬品性、電気特性を持つことから、電気絶縁材料、電子部品、音響振動板、離型材など様々な分野に単体または複合体の形体で使用されている。
【０００３】
従来から二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの性質を改善するために、これに不活性粒子を配合することが知られている。例えば特許文献1には、二軸配向ポリ−ｐ−フェニレンサルファイドフィルムをコンデンサに用いた場合に、その容量および絶縁破壊電圧のバラツキを小さくするために、微細突起密度および粗大突起密度を一定範囲に調整した二軸配向ポリ−ｐ−フェニレンサルファイドフィルムが提案されており、必要に応じて溶融押出工程以前の任意の段階で、樹脂組成物中に微粒子を分散させることが開示されている。
【０００４】
特許文献２には、粒径０．０１〜５μｍの不活性無機粒子と特定嵩密度のポリ−ｐ−フェニレンサルファイド樹脂粉末とを混合し、溶融押出して微粒子を分散させる方法が開示されている。
さらに、特許文献３、特許文献４などには固体微粒子として特定形状の炭酸カルシウムを用いることが開示されている。炭酸カルシウムの使用によって、滑り性が良好で粗大突起や粒子脱落の少なく、ポリマーと粒子の親和性を上げることでボイドを小さくできることからフィルムの絶縁欠陥が少なくできたことが示されている。
【０００５】
しかしながら、このような従来公知の方法には次のような欠点があり、改善が要望されていた。二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムを用いた積層コンデンサにおいて、上記のような方法でフィルムの表面構造が単一粒子で均一になることにより、フィルム層間での密着力が弱くなり層間剥離やコンデンサ表面でのフィルムめくれが発生し、外観不良さらには耐電圧不良をも引き起こすことが問題となっていた。
【特許文献１】特開昭６０−２５７５１０号公報
【特許文献２】特開昭６３−２４５４４２号公報
【特許文献３】特開２００４−１４９７４０号公報
【特許文献４】特開２００６−１０４３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善できるフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明のコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムは次の構成を有する。すなわち、少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起構造を有する二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムであって、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であることを特徴とするコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明で提供されるフィルムを用いることにより、積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に本発明の最良の実施形態を説明する。
本発明において、ポリフェニレンサルファイドとは、繰り返し単位８０モル％以上（好ましくは９０モル％以上）が次の化学式で示される構成単位からなる重合体をいう。
【００１０】
【化１】
【００１１】
かかる成分が２０モル％未満ではポリマーの結晶性、軟化点が低くなり、得られるフィルムの耐熱性、寸法安定性および機械的特性などを損なう。繰り返し単位の２０モル％未満（好ましくは１０モル％未満）であれば、共重合可能なスルフィド結合を含有する単位が含まれていても差し支えない。該重合体の共重合の仕方はランダム、ブロックを問わない。
本発明においてポリフェニレンサルファイド樹脂組成物とは上記ポリフェニレンサルファイド（好ましくはポリ−ｐ−フェニレンサルファイド）を９０重量％以上含む樹脂組成物をいう。樹脂組成物中の残りの１０重量％未満は、ポリフェニレンサルファイド以外のポリマーおよび／または充填剤、滑剤、着色剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、酸化防止剤等の添加物であってもかまわない。また、本発明のポリフェニレンサルファイド樹脂組成物の溶融粘度は温度３００℃、せん断速度２００ｓｅｃ−１のもとで１００〜５００００ポイズ、さらには５００〜１２０００ポイズの範囲が製膜性の面で好ましい。
【００１２】
本発明のポリフェニレンサルファイドフィルムとは、上記ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を溶融成形した二軸延伸フィルムである。該フィルムの厚さは０．５〜６μｍ、さらには０．７〜３μｍの範囲が本発明の目的を効果的に達成する点で好ましい。また、易接着効果を持たせる目的で、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理を単体または複合の表面処理が施されてもよい。
【００１３】
本発明においてコンデンサとは、電気回路の一種で、誘電体を挟んで導体からなる一対の電極を設けることにより、両電極間に一定の静電気量を与えるものを意味し、蓄電器、キャパシタなどと呼ばれるものである。
【００１４】
次に、本発明のコンデンサ用ポリフェニレンサルファイドフィルムおよび該フィルムを用いたコンデンサの好ましい製造方法の例を説明する。ただし、本発明の製造方法はこの方法に限定されるものではない。
【００１５】
まず、ポリフェニレンサルファイドフィルムの製造方法について述べる。
ポリフェニレンサルファイドの重合方法としては、硫化アルカリとｐ−ジハロベンゼンを極性溶媒中で高温に反応させる方法を用いる。特に、硫化ナトリウムとジクロロベンゼン（好ましくはｐ−ジクロロベンゼン）をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰと称することがある）等のアミド系極性溶媒中で反応させるのが好ましい。この場合、重合度を調節するために、苛性アルカリ、カルボン酸アルカリ金属塩等のいわゆる重合助剤を添加して２３０〜２８０℃で反応させるのが最も好ましい。重合系内の圧力および重合時間は、使用する助剤の種類や量をおよび所望する重合度などによって適宜決定される。重合を終わったポリマーを例えばＮ−メチルピロリドンのようなポリフェニレンサルファイドと親和性のある溶媒で高温洗浄した後に水洗、乾燥することでポリフェニレンサルファイド粉末が得られる。
【００１６】
このようにして得られた樹脂粉末に例えば無機や有機の添加剤をヘンシェルミキサー等でブレンドし、押出機、好ましくは一段以上のベント孔を有する押出機に供給して２９０〜３６０℃の温度で溶融混練して適当な口金から押し出してポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を得ることができる。
【００１７】
上記樹脂組成物を溶融押出装置に供給し、該樹脂組成物の融点以上、好ましくは２９０〜３６０℃の温度で溶融して、スリット状のダイから押し出し、回転する金属ドラム上でキャストするなどの方法で急冷して未延伸、無配向のフィルムを得る。
次いで、この未延伸フィルムを長手方向ならびに長手方向と直行方向に延伸する。この延伸条件が本発明の山脈構造を作る上で極めて重要であり、最適な延伸条件においてのみ本発明の効果を達成できる。まず、長手方向に延伸するために駆動ロール間に表面温度が９０℃以上１２０℃未満の複数本のフリーロール群に巻き付け、延伸区間を５０ｍｍ〜５００ｍｍ、好ましくは２００ｍｍ〜３００ｍｍとなるようにフリーロールの本数を調整し、長手方向に３〜５倍に延伸し一軸延伸フィルムとする。
【００１８】
一軸延伸したフィルムをテンターを用いてフィルムの両端をクリップで把持しながら搬送して長手方向と直行方向に延伸する。テンター内では、予熱温度が９０℃〜１００℃、好ましくは９３℃〜９７℃であり、かつ延伸温度が９５℃〜１０５℃、好ましくは９８℃〜１０２℃がよいことを見出した。上記の温度範囲で予熱、延伸することによって、フィルムの結晶化が進み、本発明に必要な山脈状の突起構造を作ることができた。予熱、延伸温度が上記の温度範囲以下であると、フィルムの結晶化が十分ではないため山脈状の突起構造は得られず、また予熱、延伸温度が上記の温度範囲以上であるとフィルムの結晶化が進み過ぎることによってフィルムが破断する問題がある。上記温度範囲内で長手方向と直交方向に２〜４倍延伸して二軸配向フィルムを作り、引き続きテンター内で２００℃以上融点以下の温度範囲で２〜６０秒間定長熱処理し、必要に応じて引き続き２００℃以上融点以下の温度範囲で制限収縮させて二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムを作製した。
【００１９】
本発明における有益なフィルム表面の山脈状の突起構造は、上記の方法で得られた二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの表面を観察し、高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下であるものを指す。本発明者らは鋭意検討することにより、その山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたりの１０個以上５０個以下であるとき、そのフィルムを用いて積層フィルムコンデンサを製造した際に、コンデンサ表面のフィルムめくれの発生が無く、優れた耐電圧性を示し、加工収率を改善することができることを見出した。短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下の山脈状の突起構造は、形成される該突起構造によりフィルム表面の滑り性が得られ、コンデンサ作製時の熱処理工程でのフィルム収縮力が層間密着力として有効に働く。アスペクト比が５より小さい山脈状の突起構造やアスペクト比が３０より大きい山脈状の突起構造は、フィルム長手方向、幅方向の収縮力のバランス関係からコンデンサを作製したときの有効な層間密着力にはならない。また、山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたり１０個以下であると、フィルムの層間密着力が弱くコンデンサ表面でフィルムめくれが発生してしまう。また、山脈状の突起構造が１００００μｍ２あたり５０個以上であると、コンデンサ作製時のプレス工程においてフィルムに多数のキズが発生し、コンデンサの耐電圧性が著しく低下してしまうことがわかった。
【００２０】
次に、本発明のコンデンサの好ましい製造方法の例について述べる。
コンデンサの内部電極としては、金属箔が用いられる場合は金属箔と本発明の積層フィルムを箔はみだし巻回法や巻回途中でタブを挿入する方法などによって交互に重ね合わせて巻き取るなどして誘電体と電極を交互に重ね合わせ、かつ外部に電極が引き出せるような構造となるように巻回してコンデンサ素子あるいはコンデンサ母素子を得る。
【００２１】
また、コンデンサの内部電極として金属薄膜が用いられる場合は、まず上述した本発明のフィルムを金属化する。金属化の方法は蒸着による方法が好ましい。蒸着する金属はアルミニウムを主たる成分とする金属が好ましい。金属化する際、予め金属化する側のフィルム表面にコロナ放電処理、プラズマ処理などの処理を施し、金属薄膜とフィルムとの密着力を向上させることもできる。金属化する際、あるいは金属化後に対向電極が短絡しないようにテープマスク、オイルマージンあるいはレーザービーム等により非金属部分（いわゆるマージン）を設けることもできる。その後、一方の端にマージン部分がくるように細幅のテープ状にスリットすることもある。
次にコンデンサ素子を製造する。積層型コンデンサの場合は、ドラムあるいは平板に巻回した母素子を熱処理する、あるいはリング等で締め付ける、あるいは平行平板等でプレスするなどフィルムの厚さ方向に圧力を加えて成形する。その際の温度範囲は常温からフィルムの融点以下である。この後、外部電極の取り付け工程（金属溶射、導電性樹脂等による）、個々の素子切り出し工程、必要なら樹脂または油含浸工程を経てコンデンサを得ることができる。
［物性の測定方法］
１．山脈状の突起構造の測定
フィルム表面の山脈状の突起構造は、原子間力顕微鏡（走査型プローブ顕微鏡）ＡＦＭを用いて測定した。具体的には、セイコーインスツルメント（株）製の卓上小型プローブ顕微鏡（“Ｎａｎｏｐｉｃｓ”１０００）を用い、ダンピングモードでフィルムの表面を１００００μｍ２の範囲で原子間力顕微鏡計測走査を行い、得られたイメージデータから粒子解析を行う。粒子解析でのしきい値を２５０ｎｍとし、図に示したように一つの山脈構造に対しフィルム長手方向、幅方向にそれぞれ平行な線を引き、山脈構造を挟む距離をそれぞれ測定し、長い方を長径、短い方を短径とする。短径が２μｍ以上の山脈構造の中で、長径を短径で割ったときの値をアスペクト比とし、各アスペクト比に対する山脈構造の個数を数える。
［測定条件］
測定モード ：ダンピングモード
測定方向 ：幅方向
測定領域 ：１００×１００μｍ
スキャンスピード ：３８０ｓ／ＦＲＡＭＥ
スキャン回数 ：５１２本
振幅モード ：ＨＨ（１００％）
２．コンデンサ表面のフィルムめくれ発生率
フィルムにアルミ蒸着し、下記条件で積層コンデンサを作製して、目視によりコンデンサ表面のめくれ発生個数を確認し、発生している割合を百分率（％）で表した。
◎：めくれ発生率 １％未満
○：めくれ発生率 １％以上５％未満
×：めくれ発生率 ５％以上
［コンデンサ作製条件］
アルミニウム蒸着 ：２Ω／□
フィルム幅 ：９ｍｍ
マージン幅 ：１ｍｍ
静電容量 ：０．３５μＦ
プレス条件
温度 ：１５０℃
圧力 ：２５ｋｇ／ｃｍ２
時間 ：０．５時間
３．コンデンサの耐電圧不良率
上記４と同様に積層コンデンサを作製して、直流耐圧試験機（春日電機製）で印可電圧昇圧速度１００Ｖ／ｓｅｃで測定し、電流が１０ｍＡ以上流れ、電圧上昇が止まったものを不良とした。コンデンサ１００個を測定し、不良個数の百分率（％）で表した。
◎：不良率 ２％未満
○：不良率 ２％以上１０％未満
×：不良率 １０％以上
【実施例】
【００２２】
以下に、本発明をより理解しやすくするために実施例、比較例を示す。
（実施例１）
５０Ｌオートクレーブ（ＳＵＳ３１６製）に水硫化ナトリウム（ＮａＳＨ）５６．２５モル、水酸化ナトリウム５４．８モル、酢酸ナトリウム１６モル、およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）１７０モルを仕込む。次に、窒素ガス気流下に攪拌しながら内温を２２０℃まで昇温させ脱水を行った。脱水終了後、系を１７０℃まで冷却した後、５５モルのｐ−ジクロロベンゼン（ｐ−ＤＣＢ）と０．０５５モルの１，２，４−トリクロロベンゼン（ＴＣＢ）を２．５ＬのＮＭＰとともに添加し、窒素気流下に系を２．０ｋｇ／ｃｍ２まで加圧封入した。２３５℃にて１時間、さらに２７０℃にて２〜５時間攪拌下にて加熱後、系を室温まで冷却、得られたポリマーのスラリーを水２００モル中に投入し、７０℃で３０分間攪拌後、ポリマーを分離する。このポリマーをさらに約７０℃のイオン交換水（ポリマー重量の９倍）で攪拌しながら５回洗浄後、約７０℃の酢酸リチウムの５重量％水溶液にて窒素気流下にて約１時間攪拌した。さらに、約７０℃のイオン交換水で３回洗浄後、分離し、１２０℃、０．８〜１ｔｏｒｒの雰囲気下で２０時間乾燥することによって白色のポリフェニレンサルファイド粉末が得られた。
【００２３】
次に、このポリフェニレンサルファイド粉末を市販の窒素ガス雰囲気下２０〜９０℃のＮＭＰ（ポリフェニレンサルファイドポリマー重量の３倍量）にて５分間〜１時間の攪拌処理を１〜５回行った。このポリフェニレンサルファイド粉末をさらに約７０℃のイオン交換水で４回洗浄した後分離し、上記のようにして乾燥することによって白色のポリフェニレンサルファイド粉末を得た。このポリフェニレンサルファイド粉末の３００℃における溶融粘度は５０００ポイズであった。
【００２４】
平均粒径０．５μｍの炭酸カルシウムをエチレングリコール中に５０重量％微分散させたスラリーを調製した後、表面処理剤としてポリメタクリル酸アンモニウム塩を２．０重量％添加した。このスラリーを１μｍカットフィルターで濾過した後、上記のポリフェニレンサルファイド粉末にヘンシェルミキサーを用いて炭酸カルシウムが５．０重量％となるよう混合した。次いで、２ヶ所のベント孔を有する２軸押出機に供給し、溶融混練と同時にベント孔よりエチレングリコールを除去し、ガット状に押出し、水中で冷却後切断して粒子ペレットとした。
また、ポリフェニレンサルファイド粉末のみを上記同様に溶融押出し、無粒子ペレットとした。
上記の粒子ペレットおよび無粒子ペレットを炭酸カルシウムが１．０重量％となるよう混合し、１８０℃、０．５ｋＰａの減圧下で１５時間乾燥した後、押出機に供給し溶融温度３３０℃で押し出し、口金から吐出させ、表面を２５℃に保った金属ドラム上で静電印加させながら冷却・固化し、厚み約１５μｍの未延伸フィルムを得た。
【００２５】
得られた未延伸フィルムを表面温度９５℃の複数のフリーロールに巻きつけ、延伸区間が２５０ｍｍとなるようにし、フィルムの長手方向に３．５倍に延伸した。次いで、予熱温度９５℃で加熱し、その後、延伸温度１００℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸し、２６０℃の熱風雰囲気下で定長熱処理を行い、１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。
このフィルム表面の山脈状の突起構造、積層コンデンサを作製した際のめくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１８個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造は１００００μｍ２あたり３０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり２個であり、めくれ発生率は良好で、耐電圧不良率も良好な結果となった。
（実施例２）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９２℃で加熱し、その後、延伸温度９７℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり２３個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり８個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、一部めくれ発生があったが問題ないレベルであり、耐電圧不良率も良好な結果となった。
（実施例３）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９８℃で加熱し、その後、延伸温度１０４℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり３個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり４２個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり２個であり、めくれ発生率が良好、耐電圧不良率も問題ない結果となった。
（比較例１）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度９０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、めくれ発生率が高く、耐電圧不良率も高い結果となった。
（比較例２）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度１００℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行い１．２μｍの二軸延伸フィルムを得た。このときの山脈状の突起構造、めくれ発生率、耐電圧不良率の結果を表１に示す。高さ２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、山脈状の突起構造のアスペクト比が５より小さい突起構造は１００００μｍ２あたり１５個、山脈状の突起構造のアスペクト比が５以上３０以下の突起構造が１００００μｍ２あたり０個、山脈状の突起構造のアスペクト比が３０より大きい突起構造は１００００μｍ２あたり０個であり、めくれ発生率が高く、耐電圧不良率も高い結果となった。
（比較例３）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度８５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例４）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度９５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例５）
実施例１と同様に長手方向まで延伸したフィルムを予熱温度１０５℃で加熱し、その後、延伸温度１１０℃でフィルムの長手方向と直行方向に３．５倍延伸を行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
（比較例６）
実施例１と同様に未延伸フィルムまで得た後、表面温度９５℃の複数のフリーロールに巻きつけ、延伸区間が４０ｍｍとなるようにし、フィルムの長手方向に３．５倍に延伸した。以降、実施例１と同様に行ったが、フィルム破断が起こり、安定してフィルムを得ることが出来なかった。
【００２６】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明のコンデンサ用ポリフェニレンサルファイドフィルムは、最近の小型電子機器用のチップコンデンサやハイブリッド自動車用のフィルムコンデンサ用などに好ましく用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】ＡＦＭによる粒子解析で得られたフィルム表面の山脈状の突起構造の模式図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起構造を有する二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムであって、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であることを特徴とするコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【請求項２】
請求項１記載のコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの少なくとも片面に金属層を設けてなるコンデンサ用金属化ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【請求項３】
請求項２に記載のコンデンサ用金属化ポリフェニレンサルファイドフィルムを用いてなるフィルムコンデンサ。
【請求項１】
少なくとも片面のフィルム表面に山脈状の突起構造を有する二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムであって、高さが２５０ｎｍ以上であり、かつ高さ２５０ｎｍでの断面における短径２μｍ以上の突起構造の内、アスペクト比が５以上３０以下である突起構造の個数が１００００μｍ２あたり１０個以上５０個以下であることを特徴とするコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【請求項２】
請求項１記載のコンデンサ用二軸配向ポリフェニレンサルファイドフィルムの少なくとも片面に金属層を設けてなるコンデンサ用金属化ポリフェニレンサルファイドフィルム。
【請求項３】
請求項２に記載のコンデンサ用金属化ポリフェニレンサルファイドフィルムを用いてなるフィルムコンデンサ。
【図１】
【公開番号】特開２００８−２８２９０８（Ｐ２００８−２８２９０８Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１２４３４１（Ｐ２００７−１２４３４１）
【出願日】平成１９年５月９日（２００７．５．９）
【出願人】（０００００３１５９）東レ株式会社 (7,677)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月９日（２００７．５．９）
【出願人】（０００００３１５９）東レ株式会社 (7,677)
【Ｆターム（参考）】
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