パターン計測条件設定装置
【課題】本発明は、複雑なパターン、或いは複数のパターンが配列され光近接効果の影響を評価すべきパターン等を有する試料に対し、欠陥座標等に基づいて、測定位置を設定する場合に、作業効率の低下を抑制しつつ、測定位置を設定することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンのレイアウトデータ上で設定される二次元的な領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、当該レイアウトデータ上の欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する装置等を提案する。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンのレイアウトデータ上で設定される二次元的な領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、当該レイアウトデータ上の欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する装置等を提案する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの計測条件設定装置に係り、特にウエハパターンの検査結果に基づき、レチクルパターンを計測するための条件を設定する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの性能向上や製造コスト低減を目的とした半導体デバイスの高密度集積化が進んでいる。半導体デバイスの高密度集積化を実現するためには、微細な回路パターンをウエハ上に形成するリソグラフィ技術の進歩が必要である。リソグラフィは回路パターンの原版となるマスクを作成し、露光装置でウエハ上に塗布した感光性受光樹脂（以下、レジストとする。）にマスクの回路パターンをパターニングする工程であり、露光技術やレジスト材料の改善によって微細化のトレンドが維持されてきた。特にＯＰＣ技術（Optical Proximetry Correction、パターニング時に発生する光の近接効果を抑制する目的でレチクルパターンに幾何形状を付加する技術）は微細化を実現するための必須技術となっており、レチクルパターンの形状は年々複雑化している。
【０００３】
このようなレチクルパターンの複雑化に伴い、その製造が困難となり、レチクルパターンの製造不良によるウエハパターンの製造不良が増加傾向にある。このため、レチクルパターンに起因したウエハパターンの製造不良を防止する目的で、ウエハの転写シミュレーション装置によって欠陥位置を推定し、その欠陥の推定座標に対応するレチクルパターンをＣＤ−ＳＥＭ（Critical Dimension−ＳＥＭ）で計測することや、ウエハ製造後にウエハ検査装置で検知した欠陥座標に対応するレチクルパターンをＣＤ−ＳＥＭで計測すること等が行われている。
【０００４】
例えば特許文献１には、検出されたウエハの欠陥座標を、ＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換することで、レチクル欠陥の位置を特定することが説明されている。また、特許文献２には、欠陥情報に基づいて、ＳＥＭの計測条件が記憶される計測レシピを作成することが説明されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００６−５１２５８２号公報（対応米国特許ＵＳＰ6,882,745）
【特許文献２】特開２００９−０７１２７１号公報（対応米国公開公報ＵＳ２００９／００５２７６５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ハーフピッチ３２ｎｍ以降のリソグラフィでは、回路パターンの高密度化によるウエハ製造の問題が更に深刻化することから、従来とは異なるパターニング技術の適用が必須とされている。現在その候補として、ＳＭＯ（Source Mask Oprimaization）やＩＬＴ（Inverse Lithography Technology）等の新たなリソグラフィ技術の開発が進められている。ＳＭＯは露光に用いる照明の形状とマスクの形状を最適化することにより、微細パターンを製造する方法であり、ＩＬＴは目的とするウエハパターンの形状から露光条件を考慮して数理的にレチクルパターンの形状を決定し、そのレチクルで微細パターンを製造する方法である。
【０００７】
両者ともに最終ターゲットであるウエハパターンの形状とレチクルパターンの形状が異なるという点が共通しており、その形状差はＯＰＣ適用時よりも大きくなると予想されている。
【０００８】
以上のように半導体デバイスの微細化に対し、種々の製造手法が試みられているが、パターンを測定する計測装置や検査装置では、上述の手法等で形成されたパターンの測定条件を自動的に決定する手法が十分に確立されていない。ＣＤ−ＳＥＭ等で、欠陥部分を測定するためには、まず、欠陥となる可能性のある位置の座標情報を、シミュレーション装置（以下、シミュレーターと称することもある）や、外部の欠陥検査装置にて、演算或いは検出し、当該座標に、ＣＤ−ＳＥＭ等の視野を位置付けることによって、測定が可能となるが、座標位置のみの測定では、複雑なパターン形状を十分に評価することはできない。
【０００９】
換言すれば、上記２つの装置間連携（シミュレーション装置とＣＤ−ＳＥＭ、検査装置とＣＤ−ＳＥＭ）の方法では、一般的にウエハパターンの欠陥推定座標、もしくは欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標位置の検査しか行われないので、今後益々拡大が予想されるウエハパターンとレチクルパターンの形状差の影響によって、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンの計測位置が正確に特定できなくなり、計測に失敗する可能性がある。特許文献１、及び特許文献２では、欠陥座標以外に評価候補が存在することについて、言及されていない。
【００１０】
また、ウエハ製造時にウエハパターンの形成に影響を与える光の近接効果は、近接して存在する複数のパターン形状間の距離とその寸法に依存することから、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンのみを計測してもレチクルパターンの不良の原因が特定できない可能性がある。
【００１１】
また、ウエハの欠陥座標を参考に手動によってレチクルパターンの計測位置をＣＤ−ＳＥＭに設定することは可能だが、設定作業に時間を要し作業効率が低下するといった問題がある。
【００１２】
以下に、複雑なパターン、或いは複数のパターンが配列され光近接効果の影響を評価すべきパターン等を有する試料に対し、欠陥座標等に基づいて、測定位置を設定する場合に、作業効率の低下を抑制しつつ、測定位置を設定することを目的としたパターン計測条件設定装置について説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、以下に欠陥座標に基づいて、パターンの測定位置を設定するパターン計測条件設定装置において、パターンのレイアウトデータ上で設定される二次元的な領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、当該レイアウトデータ上の前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とする装置等を提案する。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成によれば、欠陥座標部分の測定位置だけではなく、光近接効果等によって、パターン寸法の影響が生じると考えられる欠陥座標部分以外への測定位置の設定を、容易に実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】欠陥座標情報に基づいて、パターンの計測条件を決定するプロセスを説明するフローチャート。
【図２】ウエハパターンとレチクルパターン、及びレチクルパターン上の測定位置を例示する図。
【図３】レチクルパターンの設計レイアウトを説明する図。
【図４】パターン形状評価システムの一例を説明する図。
【図５】近接パターン形状分析プロセスを説明するフローチャート。
【図６】撮影画像の分割手順を説明するフローチャート。
【図７】近接パターンの分析に利用する図形（基準線）を説明する図。
【図８】画像の分割法の一例を説明する図。
【図９】ウエハ座標の読み込みに基づいて、計測レシピを作成し、当該計測レシピに基づいて計測を実行するプロセスを説明するフローチャート。
【図１０】計測ポイントの設定方法を説明する図。
【図１１】計測結果の表示画面を説明する図。
【図１２】欠陥座標，レイアウトデータ、及び基準線となるメッシュを重畳した画像の一例を説明する図。
【図１３】半導体計測システムの一例を説明する図。
【図１４】走査電子顕微鏡の概略説明図。
【図１５】計測条件の設定を行うＧＵＩ画面の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明の実施の形態の欄では、主にウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報も決定する演算装置を備えた計測条件設定装置を、図面を用いて説明する。このような装置構成によれば、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【００１７】
以下に、半導体ウエハ上の欠陥、或いは欠陥となり得る部位の座標に基づいて、測定条件を決定する手法，装置，システム、及びコンピュータプログラム（或いは当該コンピュータプログラムを記憶する記憶媒体、或いは当該プログラムを伝達する伝達媒体）について、図面を用いて説明する。より具体的には、測定装置の一種である測長用走査電子顕微鏡（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope：ＣＤ−ＳＥＭ）を含む装置，システム、及びこれらで実現されるコンピュータプログラムについて説明する。
【００１８】
なお、以下の説明では、画像を形成する装置として荷電粒子線装置を例示すると共に、その一態様として、ＳＥＭを用いた例を説明するが、これに限られることはなく、例えば試料上にイオンビームを走査して画像を形成する集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）装置を荷電粒子線装置として採用するようにしても良い。但し、微細化が進むパターンを高精度に測定するためには、極めて高い倍率が要求されるため、一般的に分解能の面でＦＩＢ装置に勝るＳＥＭを用いることが望ましい。
【００１９】
図１３は、複数の測定、或いは検査装置がネットワークに接続された測定、検査システムの概略説明図である。当該システムには、主に半導体ウエハやフォトマスク等のパターン寸法を測定するＣＤ−ＳＥＭ１３０１、試料に電子ビームを照射することによって、欠陥が存在する位置を示す座標、及び欠陥の大きさに関する情報を出力するＳＥＭ式の欠陥検査装置１３０２、試料に光を照射し、試料からの反射光を検出することによって、欠陥座標、及び大きさを特定する光学式検査装置１３０３がネットワークに接続された構成となっている。また、ネットワークには、半導体デバイスの設計データ上で、測定位置や測定条件等を設定する条件設定装置１３０４、半導体デバイスの設計データと、半導体製造装置の製造条件等に基づいて、パターンの出来栄えをシミュレーションするシミュレーター１３０５、及び半導体デバイスのレイアウトデータや製造条件が登録された設計データが記憶される記憶媒体１３０６が接続されている。
【００２０】
なお、欠陥検査装置１３０２は、試料の全面に電子ビームを照射することによって、欠陥の位置や大きさを検査するＳＥＭ式の欠陥検査装置や、上位の欠陥検査装置から得られた欠陥情報に基づいて、当該欠陥のレビューを行う欠陥レビュー装置などがある。
【００２１】
設計データは例えばＧＤＳフォーマットやＯＡＳＩＳフォーマットなどで表現されており、所定の形式にて記憶されている。なお、設計データは、設計データを表示するソフトウエアがそのフォーマット形式を表示でき、図形データとして取り扱うことができれば、その種類は問わない。また、記憶媒体１３０６は測定装置，検査装置の制御装置、或いは条件設定装置１３０４，シミュレーター１３０５に内蔵するようにしても良い。なお、シミュレーター１３０５は、設計データに基づいて、欠陥発生位置（或いは欠陥候補位置）をシミュレーションする機能を備えている。
【００２２】
なお、ＣＤ−ＳＥＭ１３０１，欠陥検査装置１３０２，光学式検査装置１３０３には、それぞれの制御装置が備えられ、各装置に必要な制御が行われるが、これらの制御装置に、上記シミュレーターの機能や測定条件等の設定機能を搭載するようにしても良い。
【００２３】
ＳＥＭでは、電子源より放出される電子ビームが複数段のレンズにて集束されると共に、集束された電子ビームは走査偏向器によって、試料上を一次元的、或いは二次元的に走査される。
【００２４】
電子ビームの走査によって試料より放出される二次電子（Secondary Electron：ＳＥ）或いは後方散乱電子（Backscattered Electron：ＢＳＥ）は、検出器により検出され、前記走査偏向器の走査に同期して、フレームメモリ等の記憶媒体に記憶される。このフレームメモリに記憶されている画像信号は、制御装置内に搭載された演算装置によって積算される。また、走査偏向器による走査は任意の大きさ，位置、及び方向について可能である。
【００２５】
以上のような制御等は、各ＳＥＭの制御装置にて行われ、電子ビームの走査の結果、得られた画像や信号は、通信回線ネットワークを介して条件設定装置１３０４に送られる。なお、本例では、ＳＥＭを制御する制御装置と、条件設定装置１３０４を別体のものとして、説明しているが、これに限られることはなく、条件設定装置１３０４にて装置の制御と測定処理を一括して行うようにしても良いし、各制御装置にて、ＳＥＭの制御と測定処理を併せて行うようにしても良い。
【００２６】
また、上記条件設定装置１３０４或いは制御装置には、測定処理を実行するためのプログラムが記憶されており、当該プログラムに従って測定、或いは演算が行われる。
【００２７】
また、条件設定装置１３０４は、ＳＥＭの動作を制御するプログラム（レシピ）を、半導体の設計データに基づいて作成する機能が備えられており、レシピ設定部として機能する。具体的には、設計データ，パターンの輪郭線データ、或いはシミュレーションが施された設計データ上で所望の測定点，オートフォーカス，オートスティグマ，アドレッシング点等のＳＥＭにとって必要な処理を行うための位置等を設定し、当該設定に基づいて、ＳＥＭの試料ステージや偏向器等を自動制御するためのプログラムを作成する。
【００２８】
図１４は、走査電子顕微鏡の概略構成図である。電子源１４０１から引出電極１４０２によって引き出され、図示しない加速電極によって加速された電子ビーム１４０３は、集束レンズの一形態であるコンデンサレンズ１４０４によって、絞られた後に、走査偏向器１４０５により、試料１４０９上を一次元的、或いは二次元的に走査される。電子ビーム１４０３は試料台１４０８に内蔵された電極に印加された負電圧により減速されると共に、対物レンズ１４０６のレンズ作用によって集束されて試料１４０９上に照射される。
【００２９】
電子ビーム１４０３が試料１４０９に照射されると、当該照射個所から二次電子、及び後方散乱電子のような電子１４１０が放出される。放出された電子１４１０は、試料に印加される負電圧に基づく加速作用によって、電子源方向に加速され、変換電極１４１２に衝突し、二次電子１４１１を生じさせる。変換電極１４１２から放出された二次電子１４１１は、検出器１４１３によって捕捉され、捕捉された二次電子量によって、検出器１４１３の出力Ｉが変化する。この出力Ｉに応じて図示しない表示装置の輝度が変化する。例えば二次元像を形成する場合には、走査偏向器１４０５への偏向信号と、検出器１４１３の出力Ｉとの同期をとることで、走査領域の画像を形成する。また、図１４に例示する走査電子顕微鏡には、電子ビームの走査領域を移動する偏向器（図示せず）が備えられている。この偏向器は異なる位置に存在する同一形状のパターンの画像等を形成するために用いられる。この偏向器はイメージシフト偏向器とも呼ばれ、試料ステージによる試料移動等を行うことなく、電子顕微鏡の視野（Field Of View：ＦＯＶ）位置の移動を可能とする。本実施例においては、合成画像の形成に供される部分画像によって表現される領域に、ＦＯＶを位置付けるために用いられる。また、イメージシフト偏向器と走査偏向器を共通の偏向器とし、イメージシフト用の信号と走査用の信号を重畳して、偏向器に供給するようにしても良い。
【００３０】
なお、図１４の例では試料から放出された電子を変換電極にて一端変換して検出する例について説明しているが、無論このような構成に限られることはなく、例えば加速された電子の軌道上に、電子倍像管や検出器の検出面を配置するような構成とすることも可能である。
【００３１】
制御装置１４０４は、走査電子顕微鏡の各構成を制御すると共に、検出された電子に基づいて画像を形成する機能や、ラインプロファイルと呼ばれる検出電子の強度分布に基づいて、試料上に形成されたパターンのパターン幅を測定する機能を備えている。
【００３２】
なお、図１３に例示するような大きなシステムではなく、図４に例示するような測定／検査装置４０１、及び電子計算機４０２からなる計測，検査システムでも良い。図４に例示するシステムの場合、電子計算機４０２には、ＣＰＵ等のデータ演算装置、記録するデータ記録装置（ウエハ検査によるウエハパターンの欠陥座標に対応したレチクルパターンの座標データ，レチクルパターンの設計データ，計測情報の生成に利用するパラメータ、後述する計測情報生成方法によって求めた計測情報を記録するもの）が搭載され、データ演算手段は、データ記録装置に記憶された情報に基づいて、ソフトウエア処理を行う。
【００３３】
なお、電子計算機４０２は、レチクルパターンの計測を行うＣＤ−ＳＥＭ等の測定／検査装置４０１に、後述する計測情報生成方法で求めた計測情報を、ネットワークやハードディスクやメモリ経由等で送信できるデータＩＦを有するものとする。
【００３４】
レチクルパターンの計測に必要な計測情報とは、パターンを計測するためのレチクルの座標情報、パターンを計測する方向（例えば、縦方向，横方向）である。以下実施例ではこの計測情報をウエハ検査によって検出された欠陥座標と、レチクルパターンの設計レイアウトとユーザが指定したレチクルパターン計測のための計測パラメータから決定する手順を説明する。
【００３５】
また、以下実施例で示す計測情報生成の実行や、ユーザが指定する計測パラメータは、条件設定装置１３０４に設けられた入力装置や、電子計算機４０２に接続されたデータ入力装置４０４を用い、ユーザが指定できるものとする。更に、以下実施例で示す計測情報生成に用いる設計レイアウトや計測パラメータや計測情報生成によって決定された計測情報は、条件設定装置１３０４にも設けられた表示装置や、電子計算機４０２に接続されたデータ表示手段４０３を通じてユーザに提供できるものとする。
【実施例１】
【００３６】
図１は、欠陥検査装置やシミュレーターにて特定された欠陥座標情報に基づいて、レチクルパターンの測定を行う際の概略手順を説明するフローチャートである。また、図２（ａ）はウエハパターンの撮影画像、図２（ｂ）は図２（ａ）のウエハパターンに対応したレチクルパターンの撮影画像を示したものである。現状のリソグラフィ方式ではレチクルパターンをウエハ上に縮小投影してパターニングしているので、実際のレチクルパターンとウエハパターンのサイズは異なるが比較を容易にするため同サイズの図としている。
【００３７】
この図にて例示するように、光近接効果によるウエハパターンの崩れを防ぐ目的で、レチクルパターンには様々な形状補正が加えられており、両者の形状は大きく異なる。また図２（ａ）（ｂ）の中にウエハの検査で検出された欠陥座標２０１と、欠陥座標２０１に対応したレチクルパターンの座標２０２を示した。上述した理由でウエハパターンとレチクルパターンの形状は異なるため、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンの位置の計測位置を定めることは困難である。
【００３８】
仮に図２（ｂ）に例示するように、レチクルパターンの座標２０２に最も近接したエッジパターン間（ｙ）を計測したとしても、その部位に対応するウエハパターンの形成にはそのエッジパターンの周辺のパターンの形状や周辺パターンの配置状態による近接効果の影響が考えられるため、近接したエッジパターンの間隔（ｘ）（ｚ）の他、周辺パターンの寸法（ｕ）（ｖ）等も網羅的に計測し、その結果を欠陥原因の特定に活用する。
【００３９】
図３（ａ）は、図２（ｂ）のレチクルパターンの座標２０２に対応するレチクルパターンの設計レイアウトを示した図である。図３（ｂ）は図３（ａ）で示したレチクルパターンの座標３０１の周辺領域を含む拡大図である。
【００４０】
以下、図１に例示するフローチャートに沿って、計測情報生成方法について具体的に説明する。まず、電子計算機４０２のデータ記録手段、記憶媒体１３０６、或いは欠陥検査装置１３０２、または光学式検査装置１３０３に内蔵された記憶媒体から、ウエハ検査もしくはウエハ製造シミュレーション結果に基づくウエハの欠陥座標もしくは、ウエハ欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標を読み込む（ステップ１０１）。読み込む座標がウエハの欠陥座標の場合はその欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標に変換する。
【００４１】
次にレチクルパターンの座標位置を含むレチクルの設計レイアウトを読み込む１０２。レチクルの設計レイアウトはＧＤＳやＯＡＳＩＳといったフォーマットでパターンの形状が定義された設計データある。レチクル全面の設計レイアウトは膨大なデータ量なので、扱いを簡素化するため、例えば図３（ｂ）のように設計データの中からレチクルパターンの座標３０１を中心とした近接パターンを含む所定エリアの設計レイアウトを切り出して読み込んでも良い。所定エリアはレチクルパターンの座標位置に光近接効果を及ぼすパターンの領域を囲むように設定することが望ましい。
【００４２】
本実施例では、以上のようにレイアウトデータ上で設定された二次元的な広がりを持つ領域（少なくとも２つのパターンが含まれる領域、或いは１つのパターンであっても複数の頂角を含み、同一直線上にて複数のエッジ（輪郭線）間の測定を行い得るパターンが含まれる領域）内でパターン形状の分析を行い、その上で適切な位置に測定位置を設定する。以下の説明は、その具体例を示すものである。
【００４３】
次にレチクルパターンの座標に近接したパターンの間隔，寸法を網羅的に計測するために、設計レイアウトのパターン形状の分析を行う（ステップ１０３）。
【００４４】
図５に例示するフローチャートを用いてパターン形状の分析手順を説明する。まず、設計レイアウトに含まれているパターンを図形描画する（ステップ５０１）。設計レイアウトデータには個々のパターンと、パターンの内部，外部（パターンの抜き，残しに対応）を識別するための情報が含まれているので、両者の識別情報を図形の輝度値に反映させて描画する。
【００４５】
例えば図３（ｂ）のようにパターンの外部となる領域は白く（輝度最大値）描画し、図３（ｂ）のレチクルパターン３０３〜３０６のようなパターン内部はパターンの識別情報に従って、輝度値の参照によってそれぞれのパターンが識別できるように、輝度値を変えて描画する。より具体的には、複数のパターン、或いは背景部分毎に、他の部分との識別が可能な識別情報を付加すべく、背景部分（パターンの存在しない部分）を最大輝度とし、パターン部分を、異なるパターン毎に異なる輝度を割り当てるようにする。例えば、パターンＡ，Ｂ，Ｃの３つのパターンが存在する場合には、パターンＡ，Ｂ，Ｃのそれぞれに輝度Ａ，Ｂ，Ｃを割り当てるようにする。なお、背景部分は、最大輝度ではなく、他の輝度としても良い。
【００４６】
次に図３（ｂ）のような設計パターンの描画像にメッシュ３０７を設定する（ステップ５０２）。次にメッシュの各ラインと設計パターンとの交点（例えば交点３０８）を全て求める（ステップ５０３）。次にメッシュの同一ラインにある２つの交点のセット（例えば交点３０８と３０９，３０８と３１０，交点３１１と３１２）を縦ライン，横ラインについて全て求める（ステップ５０４）。ここで求めた交点セットに対応するパターンの間隔がレチクルパターンの計測ターゲットになる。
【００４７】
また、交点セットのうち、レチクルパターンの座標に近い方の交点とレチクルパターンの座標の間隔を計測する（ステップ５０５）。この間隔値は後述の計測方法の決定に用いる。
【００４８】
次に交点セットが示すパターンの形態（異パターンの間隔，同パターンの間隔（パターン外，パターン内））を識別する（ステップ５０６）。
【００４９】
図３（ｂ）で示した交点セットＡ（３０８，３０９），Ｂ（３０８，３１０），Ｃ（３１１，３１２）について具体例を説明する。なお、交点位置はパターンの内側に存在していることを前提に説明する。最初にそれぞれの交点が位置する図形の輝度値を参照する。交点セットＡの輝度値はそれぞれ異なる。交点セットＢ及びＣの輝度値は同一である。交点セットＡは異なるパターンに含まれた交点の輝度比較、交点セットＢ，Ｃは同一パターンに含まれた交点の輝度比較のため、このような結果となる。このように、交点セットの位置する図形の輝度値を比較することで、その交点セットが異パターンの間隔を示すものか、同一パターンの間隔を示すものかを簡単に識別できる。
【００５０】
なお、交点セットＢ，Ｃのような同一パターンの間隔についてはより詳細なパターン形態の識別が可能である。具体的には、交点セットＢのように同一パターン内側のパターン間隔を示すもの、交点セットＣのように同一パターン外側のパターン間隔を示すものである。このような交点セットについては、交点セット区間に存在する図形領域の輝度値を参照することでそのパターン形態を識別できる。同一パターン内側のパターン間隔を示す交点セットについては、交点セット間の図形領域の輝度値は交点位置の輝度値と等しい。一方、同一パターン外側のパターン間隔を示す交点セットについては、交点セット区間の図形領域の輝度値は非図形の輝度値のため交点の輝度値と異なる。
【００５１】
以上説明したように、交点セット位置の輝度値比較、交点セット区間に存在する図形領域の輝度値と交点位置の輝度比較により、交点セットが示すパターン形態（異パターンの間隔，同パターンの間隔（パターン外，パターン内））を識別することができる。
【００５２】
なお、メッシュの形については、図２（ｂ）のように縦，横の等間隔配置したものでもよいし、図７（ａ）のようにレチクルパターンの座標７０１に近いパターンほどより詳細にパターンの計測が行えるようにメッシュの密度を調整したものでもよい。また、図７（ｂ）のように、図２（ｂ）や図７（ａ）のメッシュに回転を加えたメッシュを設計レイアウトに当てはめることによって斜め方向のパターンの計測を目的とした交点セットも求めることができる。
【００５３】
メッシュパターンの格子間間隔は、中心領域を密に、中心から外れた領域を疎にすることによって、欠陥の発生に寄与している可能性の高い欠陥周囲領域を、集中的に測定対象とすることが可能となる。
【００５４】
なお、メッシュの方向は設計レイアウトパターンの連続方向に対し垂直方向に設定すること望ましい。このため、設計レイアウトに含まれるパターンの方向を求め、その方向に対し、垂直な方向にメッシュのラインを設定するような手順で回転角を求めることもできる。
【００５５】
次に座標変換を行う（ステップ５０７）。上記によって求めた交点の座標、距離値は図形の座標系によって求められたものであるため、パターンの図形描画に用いたピクセルスケール（１画素＝Ｌｎｍ）を参考に、図形の座標値をレチクルパターンの座標値に変換する。座標変換誤差が発生する場合は、その誤差値を考慮して座標変換後の座標位置を設計レイアウトのパターン位置に補正すればよい。
【００５６】
以上の近接パターン形状の分析結果を用いてレチクルパターンの計測情報を決定する（ステップ１０４）。具体的には近接パターン形状の分析結果と、データ入力装置４０４を通じてユーザが指定した計測パラメータを比較して計測情報を決定する。近接パターン形状の分析結果とユーザが指定する計測パラメータは例えば以下のようなものがある。
【００５７】
近接パターン形状の分析結果の例として、交点セットの座標（メッシュの縦ライン上及び／又は横ライン上の交点セット）、パターンの形態（異パターンとの間隔、同パターン（例えば欠陥座標と重畳するパターン）の輪郭を測定始点、及び／又は終点としたときの測定始点と終点間の間隔（パターン外及び／又はパターン内））、或いはレチクルパターン座標との近接交点間の距離等が挙げられる。また、ユーザ（操作者）が指定する計測パラメータの例として、レチクルパターン座標を中心としたパターン計測エリア、計測対象パターンの形態（異パターンとの間隔、同パターン（例えば欠陥座標と重畳するパターン）の輪郭を測定始点、及び／又は終点としたときの測定始点と終点間の間隔（パターン外，パターン内）），計測方向（例えば横方向，縦方向）、或いはレチクルパターンの撮影倍率等が挙げられる。
【００５８】
以下、計測情報決定の手順について具体的に説明する。まず、ユーザによってレチクルパターンの計測エリア，計測対象パターンの形態，計測方向等の指定がある場合は、その指定条件に合う交点セットを近接パターンの分析結果から絞り込む。次に、ユーザ指定によって絞り込んだ全交点セットの交点位置の座標を計測座標とする。
【００５９】
また、縦ラインのメッシュによって求められた交点セットについては交点セットの各交点位置に対応するパターン間を縦方向に計測し、横ラインのメッシュによって求められた交点セットについては交点セットの各交点位置に対応するパターン間を横方向に計測するといったメッシュの傾きに応じた計測方向を決定する。
【００６０】
以上の手順で求めた計測情報（計測座標，計測方向）を電子計算機４０２のデータ記録手段に書き込む（ステップ１０５）。
【００６１】
上述のような手法によれば、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定することが可能となる。これにより、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【実施例２】
【００６２】
図９は、座標情報に基づいて、ＳＥＭの動作を制御するレシピを作成し、当該作成レシピに基づいて、計測を行う手順を説明するフローチャートである。実施例１にて説明した計測情報を利用してレチクルパターンの計測を行い、計測結果を電子計算機４０２のデータ記録手段、或いは条件設定装置１３０４内に内蔵された記憶媒体等に書き込むまでの手順を示したものである。なお、計測情報を決定するまでのステップ１０１〜１０５は実施例１にて説明した内容のため、説明を省略する。
【００６３】
計測情報決定後、ＣＤ−ＳＥＭ等のレチクル検査装置でレチクルパターンを計測するための計測レシピを生成する（ステップ９０１）。計測レシピとはレチクル検査装置を制御するためのデータであり、計測対象のレチクルパターンを光学顕微鏡やＳＥＭ等の画像撮影手段で撮影し、目的のパターンを計測するための情報を登録したデータである。
【００６４】
計測レシピには、一般的に、計測対象のレチクルパターンの計測ポイント情報、パターンを計測する方向（例えば、縦方向，横方向）、レチクルパターンの画像撮影位置の情報、撮影画像から計測ポイントをパターンマッチングによって特定するためのテンプレート、画像のフォーカスを調整するためのポイント、画像撮影条件（撮影倍率，ＳＥＭでレチクルパターンの撮影を行う場合は、ＳＥＭの加速電圧やプローブ電流値等）が登録される。
【００６５】
これら計測レシピの登録情報は、上述の計測情報生成方法によって求めたレチクルパターンの計測座標，計測方向の情報に基づき決定される。以下具体例を説明する。なお、画像の撮影条件は一般的にユーザによる指定や装置推奨値に基づき決定され、またフォーカスポイントやパターンマッチングに用いるテンプレートは、レチクルパターンの計測座標に基づき自動もしくは手動で決定する方法が確立されているため、説明を省略する。
【００６６】
画像撮影位置の決定方法について、図６に示すフローチャートを用いて説明する。一般的に画像の撮影倍率が高いほど、装置性能の限界に達しない限り画像の分解能も高めることができるのでパターンの計測精度も高くなる。このため、画像の撮影倍率を高く設定して検査を行うケースが一般的である。画像の撮影倍率を高めるとそれだけ画像視野が小さくなる。このような場合、計測情報として求めた計測対象の交点セット群が一枚の画像視野内に全て収まりきらないという状況が発生しうる。このため計測対象の交点セットの座標については一つの画像に収まり、かつ全計測対象の交点セットの座標がいずれかの画像に収まるように画像の撮影領域を分割し、画像の撮影位置を決定する。
【００６７】
まず、設計レイアウトの分析で求めた全交点セットのうち、ユーザが指定したエリア内、もしくはレチクルパターンの座標に光近接効果が及ぶ範囲内に存在する全交点セットの座標位置を参照する（ステップ６０１）。
【００６８】
次に画像撮影倍率から画像の視野範囲サイズを求め、視野範囲に全交点セットが収まるか求める（ステップ６０２）。視野範囲を外れる交点セットが存在する場合、その交点セットを視野範囲に含むような画像撮影領域を新たに追加する（ステップ６０４）。最後にそれぞれの画像撮影領域の中心座標を画像撮影ポイントとして決定する（ステップ６０５）。
【００６９】
図８の設計レイアウトを利用して画像撮影領域の分割例を示す。計測対象の交点セットを全て網羅する領域８０１と、画像撮影倍率の視野範囲を比較し、全ての交点セットが計測できるように複数の画像撮影領域８０２を決定する。
【００７０】
次に図１０を用いてレチクルパターンの計測ポイント情報を決定する方法を説明する。基本的には交点セットの座標１００２間の中点位置１００３を計測ポイントの座標とし、その計測ポイントに対応するパターンの計測位置を２つの交点セットの座標１００２とする。ただし、交点セットの座標１００２は設計レイアウトの分析で求めた座標位置のため、実際のレチクルパターンの形状が設計レイアウトのパターンに対して変形していた場合に、撮影画像の中から計測対象のパターンが特定できない可能性がある。このため、交点セットの座標１００２を中心とし、対向した交点座標を含まない程度のパターンエッジ探索エリア１００１を設定する。以上の計測ポイントの座標，計測パターン位置，パターンエッジ探索エリアの情報を全交点セットについて求め、計測ポイント情報として計測レシピに登録する。
【００７１】
以上の手順で生成した計測レシピに基づき、レチクルパターンの撮影およびパターンの計測を行う（ステップ９０２）。最後に計測レシピに基づくパターンの計測結果をデータ記憶手段に保存する（ステップ９０３）。
【００７２】
また、計測結果を電子計算機４０２に接続されたデータ表示手段４０３に表示する。例えば、図１１（ｂ）のように設計レイアウト上に数値を重ねた図を作成し、データ表示手段４０３に表示することで、ユーザに計測結果を提供することができる。また、大量の計測値が得られ、数値表示だと視認性が低下する場合は、図１１（ｂ）のようにまず、計測した交点セットの中心位置に円パターンや矩形パターンの図形１１０１〜１１０３を設定し、その図形の色情報を実施例１で説明したパターン形態の識別情報（異パターンの間隔，同パターンでの間隔（パターン外，パターン内））と計測値もしくは計測値と理想値の差分値に基づき決定する。
【００７３】
例えば、データ表示手段４０３に用いられる一般的なカラーモニタはＲＧＢの３色の色情報をそれぞれ２５６段階変化させたものを組み合わせてフルカラーを表示している。このため、例えば、異パターンの間隔にはＲ（１１０１）、同パターンの間隔（パターン外）はＧ（１１０２）、同パターンの間隔（パターン内）はＢ（１１０３）を設定し、計測値もしくは計測値と理想値の差分値を輝度値に設定した図を生成し、データ表示手段４０３に表示する。これにより、大量の計測値が得られた場合でも、表示画面の視認性を低下させることなく、ユーザの計測結果を提供できる。
【００７４】
以上説明したように、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定する。更に計測情報を活用した計測レシピの生成，計測の実行，計測結果のユーザへの提供を行うことで、レチクルパターンに起因したウエハパターンの欠陥原因の特定に活用できる情報を効率的にユーザに提供することができる。
【００７５】
図１２に例示するメッシュ画像と、レイアウトデータの重畳表示画像を用いて、交点セットの抽出の手法をより具体的に説明する。図１２はメッシュ１２０１に、レイアウトデータが重畳されている例を説明する図である。欠陥座標１２０２は予め、欠陥検査装置等から読み出されているものとする。また、重畳画像内には４つのパターン（パターン１２０３〜１２０６）が表示されており、個々に異なる輝度をもって表示されている。
【００７６】
この重畳画像から、交点のセットを抽出すると、パターン外であって、縦方向の交点のセットが１３セット、パターン外であって、横方向の交点のセットが５セット検出できる。同様に、パターン内であって、縦方向の交点のセットが７セット、パターン内であって、横方向の交点のセットが１１セット検出できる。図１２では、理解が容易なように、パターン内部の交点のセットを、始点と終点が黒丸の点線、パターン外部の交点のセットを、始点と終点が矢印の実線で表している。
【００７７】
以上のような前提で、近接パターンの形状分析を行い、当該分析に基づいてパターンの計測条件を決定する手法を以下に説明する。欠陥を生じさせる要因は、実際に欠陥が発生した個所だけではなく、その周囲のパターン（隣接するパターン、或いは欠陥が発生した個所からμｍオーダーで離間したパターン）にある可能性がある。そこで、パターン内部（異物等がパターン外部に存在する場合にはパターン外部）と、パターン外部（パターン内部）のそれぞれを評価対象とすると共に、測定の効率化を実現すべく、以下のような判断基準に基づいて、計測位置を選択する。
【００７８】
まず、パターン内部の計測候補を選択すべく、欠陥座標と同じ輝度を持つ領域内に含まれる交点のセットであって、欠陥座標を基点として所定本数分のメッシュの線分上に位置する交点セットを選択する。本例では、縦横共に、当該所定本数を１本と予め設定しておくことで、線分１２０７〜１２１０上に存在し、且つ欠陥座標と同じ輝度情報を持つ、交点セット１２１１〜１２１４を選択する。次に、パターン外部の計測候補を選択すべく、パターン外部（最大輝度領域）であって、上記所定本数の線分上に位置する交点セットの内、上記パターン内部で選択された交点セットに隣接する交点セットを選択する。本例の場合、交点セット１２１５〜１２２１が、それに相当する。なお、交点セット１２１５は、欠陥を内在するパターンの輪郭線上の交点と、同じ輪郭線であって異なる位置に存在する交点とのセットであり、交点セット１２１６〜１２２１は、欠陥を内在するパターンの輪郭線上の交点と、他のパターンの輪郭線の交点のセットである。
【００７９】
以上のように選択された交点セット１２１１〜１２１４（第１の測定位置）、及び１２１５〜１２２１（第２の測定位置）を測定候補として選択する。
【００８０】
上述のように、パターンの輪郭線を示す線分にて区切られた領域ごとに、異なる情報（輝度情報）を割り当て、上記輪郭線と、メッシュのような格子状の基準線との交点を抽出すると共に、上記領域毎の情報に基づいて、上記交点間の測定位置を選択するような手法によれば、欠陥の座標情報に基づいて、欠陥の影響が生じると考えられる部位を、選択的に測定候補として抽出することが可能となるため、測定条件設定の手間を大幅に削減することが可能となる。
【００８１】
特に、領域ごと（パターンの内外，パターンの種類ごと）に、当該領域の属性情報が割り当てられているため、同一の線分上であっても、当該属性情報に基づいて、線分の切り分けを行うことができ、結果として、領域単位での測定点設定が可能となる。
【００８２】
なお、図１２に例示する手法では、欠陥座標に対し、所定数の線分上に位置する交点セットを抽出することについて説明したが、これに限られることはなく、例えば欠陥座標を基点とした所定距離内に含まれる線分上の交点セットを抽出するようにしても良い。また、所定のパターンと重畳する線分上の交点セットを選択するようにしても良いし、距離だけではなく画素数や、パターンの頂角の数に基づいて、抽出すべき線分を求めるようにしても良い。測定候補として設定された測定位置は、使用者によって変更可能とすることによって、より使用者の意に沿った測定条件設定が可能となる。
【００８３】
また、異なる観点での設定を可能とすべく、欠陥座標を基準とした、交点セットの数を設定できるようにしても良い。例えば線分１２０８の場合、欠陥座標に最も近接する交点セット１２１２は、欠陥座標から１番目の交点セットに相当する。また、交点セット１２１５，１２１７は、欠陥座標を基準とすると、２番目の交点セットに相当する。このように欠陥座標を中心とした、欠陥座標の順番の設定を可能とすることによって、複雑な形状のパターンであっても、適切に測定位置を割り当てることが可能となる。上述のように、欠陥を生じさせる要因は、実際に欠陥が発生した個所だけではなく、その周囲のパターンにある可能性があるため、欠陥発生個所だけではなく、それ以外への測定位置を容易に設定し得る本手法は非常に有効である。
【００８４】
上記手法によれば、欠陥座標情報，レイアウトデータ上で割り当てられた領域の属性情報、及び操作者の設定情報に基づいて、適正な位置に測定位置を設定することが可能となる。
【００８５】
図１５は、測定条件を設定するためのＧＵＩ（Graphical User Interface）画面の一例を説明する図である。このような画面は、電子計算機４０２や条件設定装置１３０４に備えられた表示装置上に表示される。外部の欠陥検査装置等から読み出された欠陥情報は、電子計算機４０２等の記憶媒体に記憶され、「Defect Name」にて選択可能とする。また、併せて読み出されたレイアウトデータ（設計データ）に基づいて、当該欠陥座標に相当するパターンの名前やパターンの種類を、それぞれ「Pattern Name」、「Pattern Type」の欄に表示させる。また、「Defect Location」には読み出された欠陥の座標情報が表示される。「Mesh Type」では測定位置の基準線となるメッシュのパターンが選択可能となっている。例えば図３に例示するようなメッシュや図７に例示するようなメッシュを選択可能とし、当該選択状態が、図１５の右側のレイアウトデータ表示画面に表示される。「Distance」はメッシュ間間隔を任意に設定するための入力ウィンドウである。
【００８６】
「Range Definition」は、欠陥座標を基点とした測定範囲を決定するための基準を設定するためのものである。例えば「Number of Lines」にて線分の本数を選択すると、設定本数分の線分について、パターンの輪郭線の交点セットを抽出する。同様に、「Width」、「Pixels」を選択すれば、それぞれ欠陥座標を基点として、設定した大きさ、画素数の中に含まれる線分について、交点セットを抽出する。「Pattern」はパターンの種類を入力することで、選択したパターンに関与する線分（例えば選択パターンと交差する線分）が設定される。
【００８７】
以上のような条件設定に基づいて、決定される測定位置が、「Measurement Position」及びレイアウトデータ表示画面に表示される。「Measurement Position」の条件、或いはレイアウトデータ表示画面上で、ポインティングデバイス等を用いた測定位置の調整を可能とすることによって、操作者の意に沿ったカスタマイズが可能となる。入力された設定は、「Learn」ボタンを押すことによって、ＣＤ−ＳＥＭの動作レシピとして登録される。また、この際に測定対象を含むように、ＦＯＶを自動選択するようにしても良い。
【００８８】
以上のように、本実施例によれば、光近接効果等によって変動する可能性のあるパターンについて、適切に測定候補位置を設定することができるため、操作者の設定に要する負担を大幅に軽減することができる。
【００８９】
上述の手法によれば、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定する。これにより、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【符号の説明】
【００９０】
２０１ 欠陥座標
２０２，３０１，７０１ レチクルパターンの座標
３０３〜３０６ レチクルパターン
３０７ メッシュ
３０８〜３１２ 交点
４０１ 測定／検査装置
４０２ 電子計算機
４０３ データ表示手段
４０４ データ入力装置
８０１ 領域
８０２ 画像撮影領域
１００１ パターンエッジ探索エリア
１００２ 交点セットの座標
１００３ 中点位置
１１０１〜１１０３ 交点セット中点位置の図形
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの計測条件設定装置に係り、特にウエハパターンの検査結果に基づき、レチクルパターンを計測するための条件を設定する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの性能向上や製造コスト低減を目的とした半導体デバイスの高密度集積化が進んでいる。半導体デバイスの高密度集積化を実現するためには、微細な回路パターンをウエハ上に形成するリソグラフィ技術の進歩が必要である。リソグラフィは回路パターンの原版となるマスクを作成し、露光装置でウエハ上に塗布した感光性受光樹脂（以下、レジストとする。）にマスクの回路パターンをパターニングする工程であり、露光技術やレジスト材料の改善によって微細化のトレンドが維持されてきた。特にＯＰＣ技術（Optical Proximetry Correction、パターニング時に発生する光の近接効果を抑制する目的でレチクルパターンに幾何形状を付加する技術）は微細化を実現するための必須技術となっており、レチクルパターンの形状は年々複雑化している。
【０００３】
このようなレチクルパターンの複雑化に伴い、その製造が困難となり、レチクルパターンの製造不良によるウエハパターンの製造不良が増加傾向にある。このため、レチクルパターンに起因したウエハパターンの製造不良を防止する目的で、ウエハの転写シミュレーション装置によって欠陥位置を推定し、その欠陥の推定座標に対応するレチクルパターンをＣＤ−ＳＥＭ（Critical Dimension−ＳＥＭ）で計測することや、ウエハ製造後にウエハ検査装置で検知した欠陥座標に対応するレチクルパターンをＣＤ−ＳＥＭで計測すること等が行われている。
【０００４】
例えば特許文献１には、検出されたウエハの欠陥座標を、ＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換することで、レチクル欠陥の位置を特定することが説明されている。また、特許文献２には、欠陥情報に基づいて、ＳＥＭの計測条件が記憶される計測レシピを作成することが説明されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００６−５１２５８２号公報（対応米国特許ＵＳＰ6,882,745）
【特許文献２】特開２００９−０７１２７１号公報（対応米国公開公報ＵＳ２００９／００５２７６５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ハーフピッチ３２ｎｍ以降のリソグラフィでは、回路パターンの高密度化によるウエハ製造の問題が更に深刻化することから、従来とは異なるパターニング技術の適用が必須とされている。現在その候補として、ＳＭＯ（Source Mask Oprimaization）やＩＬＴ（Inverse Lithography Technology）等の新たなリソグラフィ技術の開発が進められている。ＳＭＯは露光に用いる照明の形状とマスクの形状を最適化することにより、微細パターンを製造する方法であり、ＩＬＴは目的とするウエハパターンの形状から露光条件を考慮して数理的にレチクルパターンの形状を決定し、そのレチクルで微細パターンを製造する方法である。
【０００７】
両者ともに最終ターゲットであるウエハパターンの形状とレチクルパターンの形状が異なるという点が共通しており、その形状差はＯＰＣ適用時よりも大きくなると予想されている。
【０００８】
以上のように半導体デバイスの微細化に対し、種々の製造手法が試みられているが、パターンを測定する計測装置や検査装置では、上述の手法等で形成されたパターンの測定条件を自動的に決定する手法が十分に確立されていない。ＣＤ−ＳＥＭ等で、欠陥部分を測定するためには、まず、欠陥となる可能性のある位置の座標情報を、シミュレーション装置（以下、シミュレーターと称することもある）や、外部の欠陥検査装置にて、演算或いは検出し、当該座標に、ＣＤ−ＳＥＭ等の視野を位置付けることによって、測定が可能となるが、座標位置のみの測定では、複雑なパターン形状を十分に評価することはできない。
【０００９】
換言すれば、上記２つの装置間連携（シミュレーション装置とＣＤ−ＳＥＭ、検査装置とＣＤ−ＳＥＭ）の方法では、一般的にウエハパターンの欠陥推定座標、もしくは欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標位置の検査しか行われないので、今後益々拡大が予想されるウエハパターンとレチクルパターンの形状差の影響によって、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンの計測位置が正確に特定できなくなり、計測に失敗する可能性がある。特許文献１、及び特許文献２では、欠陥座標以外に評価候補が存在することについて、言及されていない。
【００１０】
また、ウエハ製造時にウエハパターンの形成に影響を与える光の近接効果は、近接して存在する複数のパターン形状間の距離とその寸法に依存することから、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンのみを計測してもレチクルパターンの不良の原因が特定できない可能性がある。
【００１１】
また、ウエハの欠陥座標を参考に手動によってレチクルパターンの計測位置をＣＤ−ＳＥＭに設定することは可能だが、設定作業に時間を要し作業効率が低下するといった問題がある。
【００１２】
以下に、複雑なパターン、或いは複数のパターンが配列され光近接効果の影響を評価すべきパターン等を有する試料に対し、欠陥座標等に基づいて、測定位置を設定する場合に、作業効率の低下を抑制しつつ、測定位置を設定することを目的としたパターン計測条件設定装置について説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、以下に欠陥座標に基づいて、パターンの測定位置を設定するパターン計測条件設定装置において、パターンのレイアウトデータ上で設定される二次元的な領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、当該レイアウトデータ上の前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とする装置等を提案する。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成によれば、欠陥座標部分の測定位置だけではなく、光近接効果等によって、パターン寸法の影響が生じると考えられる欠陥座標部分以外への測定位置の設定を、容易に実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】欠陥座標情報に基づいて、パターンの計測条件を決定するプロセスを説明するフローチャート。
【図２】ウエハパターンとレチクルパターン、及びレチクルパターン上の測定位置を例示する図。
【図３】レチクルパターンの設計レイアウトを説明する図。
【図４】パターン形状評価システムの一例を説明する図。
【図５】近接パターン形状分析プロセスを説明するフローチャート。
【図６】撮影画像の分割手順を説明するフローチャート。
【図７】近接パターンの分析に利用する図形（基準線）を説明する図。
【図８】画像の分割法の一例を説明する図。
【図９】ウエハ座標の読み込みに基づいて、計測レシピを作成し、当該計測レシピに基づいて計測を実行するプロセスを説明するフローチャート。
【図１０】計測ポイントの設定方法を説明する図。
【図１１】計測結果の表示画面を説明する図。
【図１２】欠陥座標，レイアウトデータ、及び基準線となるメッシュを重畳した画像の一例を説明する図。
【図１３】半導体計測システムの一例を説明する図。
【図１４】走査電子顕微鏡の概略説明図。
【図１５】計測条件の設定を行うＧＵＩ画面の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明の実施の形態の欄では、主にウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報も決定する演算装置を備えた計測条件設定装置を、図面を用いて説明する。このような装置構成によれば、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【００１７】
以下に、半導体ウエハ上の欠陥、或いは欠陥となり得る部位の座標に基づいて、測定条件を決定する手法，装置，システム、及びコンピュータプログラム（或いは当該コンピュータプログラムを記憶する記憶媒体、或いは当該プログラムを伝達する伝達媒体）について、図面を用いて説明する。より具体的には、測定装置の一種である測長用走査電子顕微鏡（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope：ＣＤ−ＳＥＭ）を含む装置，システム、及びこれらで実現されるコンピュータプログラムについて説明する。
【００１８】
なお、以下の説明では、画像を形成する装置として荷電粒子線装置を例示すると共に、その一態様として、ＳＥＭを用いた例を説明するが、これに限られることはなく、例えば試料上にイオンビームを走査して画像を形成する集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）装置を荷電粒子線装置として採用するようにしても良い。但し、微細化が進むパターンを高精度に測定するためには、極めて高い倍率が要求されるため、一般的に分解能の面でＦＩＢ装置に勝るＳＥＭを用いることが望ましい。
【００１９】
図１３は、複数の測定、或いは検査装置がネットワークに接続された測定、検査システムの概略説明図である。当該システムには、主に半導体ウエハやフォトマスク等のパターン寸法を測定するＣＤ−ＳＥＭ１３０１、試料に電子ビームを照射することによって、欠陥が存在する位置を示す座標、及び欠陥の大きさに関する情報を出力するＳＥＭ式の欠陥検査装置１３０２、試料に光を照射し、試料からの反射光を検出することによって、欠陥座標、及び大きさを特定する光学式検査装置１３０３がネットワークに接続された構成となっている。また、ネットワークには、半導体デバイスの設計データ上で、測定位置や測定条件等を設定する条件設定装置１３０４、半導体デバイスの設計データと、半導体製造装置の製造条件等に基づいて、パターンの出来栄えをシミュレーションするシミュレーター１３０５、及び半導体デバイスのレイアウトデータや製造条件が登録された設計データが記憶される記憶媒体１３０６が接続されている。
【００２０】
なお、欠陥検査装置１３０２は、試料の全面に電子ビームを照射することによって、欠陥の位置や大きさを検査するＳＥＭ式の欠陥検査装置や、上位の欠陥検査装置から得られた欠陥情報に基づいて、当該欠陥のレビューを行う欠陥レビュー装置などがある。
【００２１】
設計データは例えばＧＤＳフォーマットやＯＡＳＩＳフォーマットなどで表現されており、所定の形式にて記憶されている。なお、設計データは、設計データを表示するソフトウエアがそのフォーマット形式を表示でき、図形データとして取り扱うことができれば、その種類は問わない。また、記憶媒体１３０６は測定装置，検査装置の制御装置、或いは条件設定装置１３０４，シミュレーター１３０５に内蔵するようにしても良い。なお、シミュレーター１３０５は、設計データに基づいて、欠陥発生位置（或いは欠陥候補位置）をシミュレーションする機能を備えている。
【００２２】
なお、ＣＤ−ＳＥＭ１３０１，欠陥検査装置１３０２，光学式検査装置１３０３には、それぞれの制御装置が備えられ、各装置に必要な制御が行われるが、これらの制御装置に、上記シミュレーターの機能や測定条件等の設定機能を搭載するようにしても良い。
【００２３】
ＳＥＭでは、電子源より放出される電子ビームが複数段のレンズにて集束されると共に、集束された電子ビームは走査偏向器によって、試料上を一次元的、或いは二次元的に走査される。
【００２４】
電子ビームの走査によって試料より放出される二次電子（Secondary Electron：ＳＥ）或いは後方散乱電子（Backscattered Electron：ＢＳＥ）は、検出器により検出され、前記走査偏向器の走査に同期して、フレームメモリ等の記憶媒体に記憶される。このフレームメモリに記憶されている画像信号は、制御装置内に搭載された演算装置によって積算される。また、走査偏向器による走査は任意の大きさ，位置、及び方向について可能である。
【００２５】
以上のような制御等は、各ＳＥＭの制御装置にて行われ、電子ビームの走査の結果、得られた画像や信号は、通信回線ネットワークを介して条件設定装置１３０４に送られる。なお、本例では、ＳＥＭを制御する制御装置と、条件設定装置１３０４を別体のものとして、説明しているが、これに限られることはなく、条件設定装置１３０４にて装置の制御と測定処理を一括して行うようにしても良いし、各制御装置にて、ＳＥＭの制御と測定処理を併せて行うようにしても良い。
【００２６】
また、上記条件設定装置１３０４或いは制御装置には、測定処理を実行するためのプログラムが記憶されており、当該プログラムに従って測定、或いは演算が行われる。
【００２７】
また、条件設定装置１３０４は、ＳＥＭの動作を制御するプログラム（レシピ）を、半導体の設計データに基づいて作成する機能が備えられており、レシピ設定部として機能する。具体的には、設計データ，パターンの輪郭線データ、或いはシミュレーションが施された設計データ上で所望の測定点，オートフォーカス，オートスティグマ，アドレッシング点等のＳＥＭにとって必要な処理を行うための位置等を設定し、当該設定に基づいて、ＳＥＭの試料ステージや偏向器等を自動制御するためのプログラムを作成する。
【００２８】
図１４は、走査電子顕微鏡の概略構成図である。電子源１４０１から引出電極１４０２によって引き出され、図示しない加速電極によって加速された電子ビーム１４０３は、集束レンズの一形態であるコンデンサレンズ１４０４によって、絞られた後に、走査偏向器１４０５により、試料１４０９上を一次元的、或いは二次元的に走査される。電子ビーム１４０３は試料台１４０８に内蔵された電極に印加された負電圧により減速されると共に、対物レンズ１４０６のレンズ作用によって集束されて試料１４０９上に照射される。
【００２９】
電子ビーム１４０３が試料１４０９に照射されると、当該照射個所から二次電子、及び後方散乱電子のような電子１４１０が放出される。放出された電子１４１０は、試料に印加される負電圧に基づく加速作用によって、電子源方向に加速され、変換電極１４１２に衝突し、二次電子１４１１を生じさせる。変換電極１４１２から放出された二次電子１４１１は、検出器１４１３によって捕捉され、捕捉された二次電子量によって、検出器１４１３の出力Ｉが変化する。この出力Ｉに応じて図示しない表示装置の輝度が変化する。例えば二次元像を形成する場合には、走査偏向器１４０５への偏向信号と、検出器１４１３の出力Ｉとの同期をとることで、走査領域の画像を形成する。また、図１４に例示する走査電子顕微鏡には、電子ビームの走査領域を移動する偏向器（図示せず）が備えられている。この偏向器は異なる位置に存在する同一形状のパターンの画像等を形成するために用いられる。この偏向器はイメージシフト偏向器とも呼ばれ、試料ステージによる試料移動等を行うことなく、電子顕微鏡の視野（Field Of View：ＦＯＶ）位置の移動を可能とする。本実施例においては、合成画像の形成に供される部分画像によって表現される領域に、ＦＯＶを位置付けるために用いられる。また、イメージシフト偏向器と走査偏向器を共通の偏向器とし、イメージシフト用の信号と走査用の信号を重畳して、偏向器に供給するようにしても良い。
【００３０】
なお、図１４の例では試料から放出された電子を変換電極にて一端変換して検出する例について説明しているが、無論このような構成に限られることはなく、例えば加速された電子の軌道上に、電子倍像管や検出器の検出面を配置するような構成とすることも可能である。
【００３１】
制御装置１４０４は、走査電子顕微鏡の各構成を制御すると共に、検出された電子に基づいて画像を形成する機能や、ラインプロファイルと呼ばれる検出電子の強度分布に基づいて、試料上に形成されたパターンのパターン幅を測定する機能を備えている。
【００３２】
なお、図１３に例示するような大きなシステムではなく、図４に例示するような測定／検査装置４０１、及び電子計算機４０２からなる計測，検査システムでも良い。図４に例示するシステムの場合、電子計算機４０２には、ＣＰＵ等のデータ演算装置、記録するデータ記録装置（ウエハ検査によるウエハパターンの欠陥座標に対応したレチクルパターンの座標データ，レチクルパターンの設計データ，計測情報の生成に利用するパラメータ、後述する計測情報生成方法によって求めた計測情報を記録するもの）が搭載され、データ演算手段は、データ記録装置に記憶された情報に基づいて、ソフトウエア処理を行う。
【００３３】
なお、電子計算機４０２は、レチクルパターンの計測を行うＣＤ−ＳＥＭ等の測定／検査装置４０１に、後述する計測情報生成方法で求めた計測情報を、ネットワークやハードディスクやメモリ経由等で送信できるデータＩＦを有するものとする。
【００３４】
レチクルパターンの計測に必要な計測情報とは、パターンを計測するためのレチクルの座標情報、パターンを計測する方向（例えば、縦方向，横方向）である。以下実施例ではこの計測情報をウエハ検査によって検出された欠陥座標と、レチクルパターンの設計レイアウトとユーザが指定したレチクルパターン計測のための計測パラメータから決定する手順を説明する。
【００３５】
また、以下実施例で示す計測情報生成の実行や、ユーザが指定する計測パラメータは、条件設定装置１３０４に設けられた入力装置や、電子計算機４０２に接続されたデータ入力装置４０４を用い、ユーザが指定できるものとする。更に、以下実施例で示す計測情報生成に用いる設計レイアウトや計測パラメータや計測情報生成によって決定された計測情報は、条件設定装置１３０４にも設けられた表示装置や、電子計算機４０２に接続されたデータ表示手段４０３を通じてユーザに提供できるものとする。
【実施例１】
【００３６】
図１は、欠陥検査装置やシミュレーターにて特定された欠陥座標情報に基づいて、レチクルパターンの測定を行う際の概略手順を説明するフローチャートである。また、図２（ａ）はウエハパターンの撮影画像、図２（ｂ）は図２（ａ）のウエハパターンに対応したレチクルパターンの撮影画像を示したものである。現状のリソグラフィ方式ではレチクルパターンをウエハ上に縮小投影してパターニングしているので、実際のレチクルパターンとウエハパターンのサイズは異なるが比較を容易にするため同サイズの図としている。
【００３７】
この図にて例示するように、光近接効果によるウエハパターンの崩れを防ぐ目的で、レチクルパターンには様々な形状補正が加えられており、両者の形状は大きく異なる。また図２（ａ）（ｂ）の中にウエハの検査で検出された欠陥座標２０１と、欠陥座標２０１に対応したレチクルパターンの座標２０２を示した。上述した理由でウエハパターンとレチクルパターンの形状は異なるため、ウエハパターンの欠陥座標に対応するレチクルパターンの位置の計測位置を定めることは困難である。
【００３８】
仮に図２（ｂ）に例示するように、レチクルパターンの座標２０２に最も近接したエッジパターン間（ｙ）を計測したとしても、その部位に対応するウエハパターンの形成にはそのエッジパターンの周辺のパターンの形状や周辺パターンの配置状態による近接効果の影響が考えられるため、近接したエッジパターンの間隔（ｘ）（ｚ）の他、周辺パターンの寸法（ｕ）（ｖ）等も網羅的に計測し、その結果を欠陥原因の特定に活用する。
【００３９】
図３（ａ）は、図２（ｂ）のレチクルパターンの座標２０２に対応するレチクルパターンの設計レイアウトを示した図である。図３（ｂ）は図３（ａ）で示したレチクルパターンの座標３０１の周辺領域を含む拡大図である。
【００４０】
以下、図１に例示するフローチャートに沿って、計測情報生成方法について具体的に説明する。まず、電子計算機４０２のデータ記録手段、記憶媒体１３０６、或いは欠陥検査装置１３０２、または光学式検査装置１３０３に内蔵された記憶媒体から、ウエハ検査もしくはウエハ製造シミュレーション結果に基づくウエハの欠陥座標もしくは、ウエハ欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標を読み込む（ステップ１０１）。読み込む座標がウエハの欠陥座標の場合はその欠陥座標に対応するレチクルパターンの座標に変換する。
【００４１】
次にレチクルパターンの座標位置を含むレチクルの設計レイアウトを読み込む１０２。レチクルの設計レイアウトはＧＤＳやＯＡＳＩＳといったフォーマットでパターンの形状が定義された設計データある。レチクル全面の設計レイアウトは膨大なデータ量なので、扱いを簡素化するため、例えば図３（ｂ）のように設計データの中からレチクルパターンの座標３０１を中心とした近接パターンを含む所定エリアの設計レイアウトを切り出して読み込んでも良い。所定エリアはレチクルパターンの座標位置に光近接効果を及ぼすパターンの領域を囲むように設定することが望ましい。
【００４２】
本実施例では、以上のようにレイアウトデータ上で設定された二次元的な広がりを持つ領域（少なくとも２つのパターンが含まれる領域、或いは１つのパターンであっても複数の頂角を含み、同一直線上にて複数のエッジ（輪郭線）間の測定を行い得るパターンが含まれる領域）内でパターン形状の分析を行い、その上で適切な位置に測定位置を設定する。以下の説明は、その具体例を示すものである。
【００４３】
次にレチクルパターンの座標に近接したパターンの間隔，寸法を網羅的に計測するために、設計レイアウトのパターン形状の分析を行う（ステップ１０３）。
【００４４】
図５に例示するフローチャートを用いてパターン形状の分析手順を説明する。まず、設計レイアウトに含まれているパターンを図形描画する（ステップ５０１）。設計レイアウトデータには個々のパターンと、パターンの内部，外部（パターンの抜き，残しに対応）を識別するための情報が含まれているので、両者の識別情報を図形の輝度値に反映させて描画する。
【００４５】
例えば図３（ｂ）のようにパターンの外部となる領域は白く（輝度最大値）描画し、図３（ｂ）のレチクルパターン３０３〜３０６のようなパターン内部はパターンの識別情報に従って、輝度値の参照によってそれぞれのパターンが識別できるように、輝度値を変えて描画する。より具体的には、複数のパターン、或いは背景部分毎に、他の部分との識別が可能な識別情報を付加すべく、背景部分（パターンの存在しない部分）を最大輝度とし、パターン部分を、異なるパターン毎に異なる輝度を割り当てるようにする。例えば、パターンＡ，Ｂ，Ｃの３つのパターンが存在する場合には、パターンＡ，Ｂ，Ｃのそれぞれに輝度Ａ，Ｂ，Ｃを割り当てるようにする。なお、背景部分は、最大輝度ではなく、他の輝度としても良い。
【００４６】
次に図３（ｂ）のような設計パターンの描画像にメッシュ３０７を設定する（ステップ５０２）。次にメッシュの各ラインと設計パターンとの交点（例えば交点３０８）を全て求める（ステップ５０３）。次にメッシュの同一ラインにある２つの交点のセット（例えば交点３０８と３０９，３０８と３１０，交点３１１と３１２）を縦ライン，横ラインについて全て求める（ステップ５０４）。ここで求めた交点セットに対応するパターンの間隔がレチクルパターンの計測ターゲットになる。
【００４７】
また、交点セットのうち、レチクルパターンの座標に近い方の交点とレチクルパターンの座標の間隔を計測する（ステップ５０５）。この間隔値は後述の計測方法の決定に用いる。
【００４８】
次に交点セットが示すパターンの形態（異パターンの間隔，同パターンの間隔（パターン外，パターン内））を識別する（ステップ５０６）。
【００４９】
図３（ｂ）で示した交点セットＡ（３０８，３０９），Ｂ（３０８，３１０），Ｃ（３１１，３１２）について具体例を説明する。なお、交点位置はパターンの内側に存在していることを前提に説明する。最初にそれぞれの交点が位置する図形の輝度値を参照する。交点セットＡの輝度値はそれぞれ異なる。交点セットＢ及びＣの輝度値は同一である。交点セットＡは異なるパターンに含まれた交点の輝度比較、交点セットＢ，Ｃは同一パターンに含まれた交点の輝度比較のため、このような結果となる。このように、交点セットの位置する図形の輝度値を比較することで、その交点セットが異パターンの間隔を示すものか、同一パターンの間隔を示すものかを簡単に識別できる。
【００５０】
なお、交点セットＢ，Ｃのような同一パターンの間隔についてはより詳細なパターン形態の識別が可能である。具体的には、交点セットＢのように同一パターン内側のパターン間隔を示すもの、交点セットＣのように同一パターン外側のパターン間隔を示すものである。このような交点セットについては、交点セット区間に存在する図形領域の輝度値を参照することでそのパターン形態を識別できる。同一パターン内側のパターン間隔を示す交点セットについては、交点セット間の図形領域の輝度値は交点位置の輝度値と等しい。一方、同一パターン外側のパターン間隔を示す交点セットについては、交点セット区間の図形領域の輝度値は非図形の輝度値のため交点の輝度値と異なる。
【００５１】
以上説明したように、交点セット位置の輝度値比較、交点セット区間に存在する図形領域の輝度値と交点位置の輝度比較により、交点セットが示すパターン形態（異パターンの間隔，同パターンの間隔（パターン外，パターン内））を識別することができる。
【００５２】
なお、メッシュの形については、図２（ｂ）のように縦，横の等間隔配置したものでもよいし、図７（ａ）のようにレチクルパターンの座標７０１に近いパターンほどより詳細にパターンの計測が行えるようにメッシュの密度を調整したものでもよい。また、図７（ｂ）のように、図２（ｂ）や図７（ａ）のメッシュに回転を加えたメッシュを設計レイアウトに当てはめることによって斜め方向のパターンの計測を目的とした交点セットも求めることができる。
【００５３】
メッシュパターンの格子間間隔は、中心領域を密に、中心から外れた領域を疎にすることによって、欠陥の発生に寄与している可能性の高い欠陥周囲領域を、集中的に測定対象とすることが可能となる。
【００５４】
なお、メッシュの方向は設計レイアウトパターンの連続方向に対し垂直方向に設定すること望ましい。このため、設計レイアウトに含まれるパターンの方向を求め、その方向に対し、垂直な方向にメッシュのラインを設定するような手順で回転角を求めることもできる。
【００５５】
次に座標変換を行う（ステップ５０７）。上記によって求めた交点の座標、距離値は図形の座標系によって求められたものであるため、パターンの図形描画に用いたピクセルスケール（１画素＝Ｌｎｍ）を参考に、図形の座標値をレチクルパターンの座標値に変換する。座標変換誤差が発生する場合は、その誤差値を考慮して座標変換後の座標位置を設計レイアウトのパターン位置に補正すればよい。
【００５６】
以上の近接パターン形状の分析結果を用いてレチクルパターンの計測情報を決定する（ステップ１０４）。具体的には近接パターン形状の分析結果と、データ入力装置４０４を通じてユーザが指定した計測パラメータを比較して計測情報を決定する。近接パターン形状の分析結果とユーザが指定する計測パラメータは例えば以下のようなものがある。
【００５７】
近接パターン形状の分析結果の例として、交点セットの座標（メッシュの縦ライン上及び／又は横ライン上の交点セット）、パターンの形態（異パターンとの間隔、同パターン（例えば欠陥座標と重畳するパターン）の輪郭を測定始点、及び／又は終点としたときの測定始点と終点間の間隔（パターン外及び／又はパターン内））、或いはレチクルパターン座標との近接交点間の距離等が挙げられる。また、ユーザ（操作者）が指定する計測パラメータの例として、レチクルパターン座標を中心としたパターン計測エリア、計測対象パターンの形態（異パターンとの間隔、同パターン（例えば欠陥座標と重畳するパターン）の輪郭を測定始点、及び／又は終点としたときの測定始点と終点間の間隔（パターン外，パターン内）），計測方向（例えば横方向，縦方向）、或いはレチクルパターンの撮影倍率等が挙げられる。
【００５８】
以下、計測情報決定の手順について具体的に説明する。まず、ユーザによってレチクルパターンの計測エリア，計測対象パターンの形態，計測方向等の指定がある場合は、その指定条件に合う交点セットを近接パターンの分析結果から絞り込む。次に、ユーザ指定によって絞り込んだ全交点セットの交点位置の座標を計測座標とする。
【００５９】
また、縦ラインのメッシュによって求められた交点セットについては交点セットの各交点位置に対応するパターン間を縦方向に計測し、横ラインのメッシュによって求められた交点セットについては交点セットの各交点位置に対応するパターン間を横方向に計測するといったメッシュの傾きに応じた計測方向を決定する。
【００６０】
以上の手順で求めた計測情報（計測座標，計測方向）を電子計算機４０２のデータ記録手段に書き込む（ステップ１０５）。
【００６１】
上述のような手法によれば、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定することが可能となる。これにより、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【実施例２】
【００６２】
図９は、座標情報に基づいて、ＳＥＭの動作を制御するレシピを作成し、当該作成レシピに基づいて、計測を行う手順を説明するフローチャートである。実施例１にて説明した計測情報を利用してレチクルパターンの計測を行い、計測結果を電子計算機４０２のデータ記録手段、或いは条件設定装置１３０４内に内蔵された記憶媒体等に書き込むまでの手順を示したものである。なお、計測情報を決定するまでのステップ１０１〜１０５は実施例１にて説明した内容のため、説明を省略する。
【００６３】
計測情報決定後、ＣＤ−ＳＥＭ等のレチクル検査装置でレチクルパターンを計測するための計測レシピを生成する（ステップ９０１）。計測レシピとはレチクル検査装置を制御するためのデータであり、計測対象のレチクルパターンを光学顕微鏡やＳＥＭ等の画像撮影手段で撮影し、目的のパターンを計測するための情報を登録したデータである。
【００６４】
計測レシピには、一般的に、計測対象のレチクルパターンの計測ポイント情報、パターンを計測する方向（例えば、縦方向，横方向）、レチクルパターンの画像撮影位置の情報、撮影画像から計測ポイントをパターンマッチングによって特定するためのテンプレート、画像のフォーカスを調整するためのポイント、画像撮影条件（撮影倍率，ＳＥＭでレチクルパターンの撮影を行う場合は、ＳＥＭの加速電圧やプローブ電流値等）が登録される。
【００６５】
これら計測レシピの登録情報は、上述の計測情報生成方法によって求めたレチクルパターンの計測座標，計測方向の情報に基づき決定される。以下具体例を説明する。なお、画像の撮影条件は一般的にユーザによる指定や装置推奨値に基づき決定され、またフォーカスポイントやパターンマッチングに用いるテンプレートは、レチクルパターンの計測座標に基づき自動もしくは手動で決定する方法が確立されているため、説明を省略する。
【００６６】
画像撮影位置の決定方法について、図６に示すフローチャートを用いて説明する。一般的に画像の撮影倍率が高いほど、装置性能の限界に達しない限り画像の分解能も高めることができるのでパターンの計測精度も高くなる。このため、画像の撮影倍率を高く設定して検査を行うケースが一般的である。画像の撮影倍率を高めるとそれだけ画像視野が小さくなる。このような場合、計測情報として求めた計測対象の交点セット群が一枚の画像視野内に全て収まりきらないという状況が発生しうる。このため計測対象の交点セットの座標については一つの画像に収まり、かつ全計測対象の交点セットの座標がいずれかの画像に収まるように画像の撮影領域を分割し、画像の撮影位置を決定する。
【００６７】
まず、設計レイアウトの分析で求めた全交点セットのうち、ユーザが指定したエリア内、もしくはレチクルパターンの座標に光近接効果が及ぶ範囲内に存在する全交点セットの座標位置を参照する（ステップ６０１）。
【００６８】
次に画像撮影倍率から画像の視野範囲サイズを求め、視野範囲に全交点セットが収まるか求める（ステップ６０２）。視野範囲を外れる交点セットが存在する場合、その交点セットを視野範囲に含むような画像撮影領域を新たに追加する（ステップ６０４）。最後にそれぞれの画像撮影領域の中心座標を画像撮影ポイントとして決定する（ステップ６０５）。
【００６９】
図８の設計レイアウトを利用して画像撮影領域の分割例を示す。計測対象の交点セットを全て網羅する領域８０１と、画像撮影倍率の視野範囲を比較し、全ての交点セットが計測できるように複数の画像撮影領域８０２を決定する。
【００７０】
次に図１０を用いてレチクルパターンの計測ポイント情報を決定する方法を説明する。基本的には交点セットの座標１００２間の中点位置１００３を計測ポイントの座標とし、その計測ポイントに対応するパターンの計測位置を２つの交点セットの座標１００２とする。ただし、交点セットの座標１００２は設計レイアウトの分析で求めた座標位置のため、実際のレチクルパターンの形状が設計レイアウトのパターンに対して変形していた場合に、撮影画像の中から計測対象のパターンが特定できない可能性がある。このため、交点セットの座標１００２を中心とし、対向した交点座標を含まない程度のパターンエッジ探索エリア１００１を設定する。以上の計測ポイントの座標，計測パターン位置，パターンエッジ探索エリアの情報を全交点セットについて求め、計測ポイント情報として計測レシピに登録する。
【００７１】
以上の手順で生成した計測レシピに基づき、レチクルパターンの撮影およびパターンの計測を行う（ステップ９０２）。最後に計測レシピに基づくパターンの計測結果をデータ記憶手段に保存する（ステップ９０３）。
【００７２】
また、計測結果を電子計算機４０２に接続されたデータ表示手段４０３に表示する。例えば、図１１（ｂ）のように設計レイアウト上に数値を重ねた図を作成し、データ表示手段４０３に表示することで、ユーザに計測結果を提供することができる。また、大量の計測値が得られ、数値表示だと視認性が低下する場合は、図１１（ｂ）のようにまず、計測した交点セットの中心位置に円パターンや矩形パターンの図形１１０１〜１１０３を設定し、その図形の色情報を実施例１で説明したパターン形態の識別情報（異パターンの間隔，同パターンでの間隔（パターン外，パターン内））と計測値もしくは計測値と理想値の差分値に基づき決定する。
【００７３】
例えば、データ表示手段４０３に用いられる一般的なカラーモニタはＲＧＢの３色の色情報をそれぞれ２５６段階変化させたものを組み合わせてフルカラーを表示している。このため、例えば、異パターンの間隔にはＲ（１１０１）、同パターンの間隔（パターン外）はＧ（１１０２）、同パターンの間隔（パターン内）はＢ（１１０３）を設定し、計測値もしくは計測値と理想値の差分値を輝度値に設定した図を生成し、データ表示手段４０３に表示する。これにより、大量の計測値が得られた場合でも、表示画面の視認性を低下させることなく、ユーザの計測結果を提供できる。
【００７４】
以上説明したように、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定する。更に計測情報を活用した計測レシピの生成，計測の実行，計測結果のユーザへの提供を行うことで、レチクルパターンに起因したウエハパターンの欠陥原因の特定に活用できる情報を効率的にユーザに提供することができる。
【００７５】
図１２に例示するメッシュ画像と、レイアウトデータの重畳表示画像を用いて、交点セットの抽出の手法をより具体的に説明する。図１２はメッシュ１２０１に、レイアウトデータが重畳されている例を説明する図である。欠陥座標１２０２は予め、欠陥検査装置等から読み出されているものとする。また、重畳画像内には４つのパターン（パターン１２０３〜１２０６）が表示されており、個々に異なる輝度をもって表示されている。
【００７６】
この重畳画像から、交点のセットを抽出すると、パターン外であって、縦方向の交点のセットが１３セット、パターン外であって、横方向の交点のセットが５セット検出できる。同様に、パターン内であって、縦方向の交点のセットが７セット、パターン内であって、横方向の交点のセットが１１セット検出できる。図１２では、理解が容易なように、パターン内部の交点のセットを、始点と終点が黒丸の点線、パターン外部の交点のセットを、始点と終点が矢印の実線で表している。
【００７７】
以上のような前提で、近接パターンの形状分析を行い、当該分析に基づいてパターンの計測条件を決定する手法を以下に説明する。欠陥を生じさせる要因は、実際に欠陥が発生した個所だけではなく、その周囲のパターン（隣接するパターン、或いは欠陥が発生した個所からμｍオーダーで離間したパターン）にある可能性がある。そこで、パターン内部（異物等がパターン外部に存在する場合にはパターン外部）と、パターン外部（パターン内部）のそれぞれを評価対象とすると共に、測定の効率化を実現すべく、以下のような判断基準に基づいて、計測位置を選択する。
【００７８】
まず、パターン内部の計測候補を選択すべく、欠陥座標と同じ輝度を持つ領域内に含まれる交点のセットであって、欠陥座標を基点として所定本数分のメッシュの線分上に位置する交点セットを選択する。本例では、縦横共に、当該所定本数を１本と予め設定しておくことで、線分１２０７〜１２１０上に存在し、且つ欠陥座標と同じ輝度情報を持つ、交点セット１２１１〜１２１４を選択する。次に、パターン外部の計測候補を選択すべく、パターン外部（最大輝度領域）であって、上記所定本数の線分上に位置する交点セットの内、上記パターン内部で選択された交点セットに隣接する交点セットを選択する。本例の場合、交点セット１２１５〜１２２１が、それに相当する。なお、交点セット１２１５は、欠陥を内在するパターンの輪郭線上の交点と、同じ輪郭線であって異なる位置に存在する交点とのセットであり、交点セット１２１６〜１２２１は、欠陥を内在するパターンの輪郭線上の交点と、他のパターンの輪郭線の交点のセットである。
【００７９】
以上のように選択された交点セット１２１１〜１２１４（第１の測定位置）、及び１２１５〜１２２１（第２の測定位置）を測定候補として選択する。
【００８０】
上述のように、パターンの輪郭線を示す線分にて区切られた領域ごとに、異なる情報（輝度情報）を割り当て、上記輪郭線と、メッシュのような格子状の基準線との交点を抽出すると共に、上記領域毎の情報に基づいて、上記交点間の測定位置を選択するような手法によれば、欠陥の座標情報に基づいて、欠陥の影響が生じると考えられる部位を、選択的に測定候補として抽出することが可能となるため、測定条件設定の手間を大幅に削減することが可能となる。
【００８１】
特に、領域ごと（パターンの内外，パターンの種類ごと）に、当該領域の属性情報が割り当てられているため、同一の線分上であっても、当該属性情報に基づいて、線分の切り分けを行うことができ、結果として、領域単位での測定点設定が可能となる。
【００８２】
なお、図１２に例示する手法では、欠陥座標に対し、所定数の線分上に位置する交点セットを抽出することについて説明したが、これに限られることはなく、例えば欠陥座標を基点とした所定距離内に含まれる線分上の交点セットを抽出するようにしても良い。また、所定のパターンと重畳する線分上の交点セットを選択するようにしても良いし、距離だけではなく画素数や、パターンの頂角の数に基づいて、抽出すべき線分を求めるようにしても良い。測定候補として設定された測定位置は、使用者によって変更可能とすることによって、より使用者の意に沿った測定条件設定が可能となる。
【００８３】
また、異なる観点での設定を可能とすべく、欠陥座標を基準とした、交点セットの数を設定できるようにしても良い。例えば線分１２０８の場合、欠陥座標に最も近接する交点セット１２１２は、欠陥座標から１番目の交点セットに相当する。また、交点セット１２１５，１２１７は、欠陥座標を基準とすると、２番目の交点セットに相当する。このように欠陥座標を中心とした、欠陥座標の順番の設定を可能とすることによって、複雑な形状のパターンであっても、適切に測定位置を割り当てることが可能となる。上述のように、欠陥を生じさせる要因は、実際に欠陥が発生した個所だけではなく、その周囲のパターンにある可能性があるため、欠陥発生個所だけではなく、それ以外への測定位置を容易に設定し得る本手法は非常に有効である。
【００８４】
上記手法によれば、欠陥座標情報，レイアウトデータ上で割り当てられた領域の属性情報、及び操作者の設定情報に基づいて、適正な位置に測定位置を設定することが可能となる。
【００８５】
図１５は、測定条件を設定するためのＧＵＩ（Graphical User Interface）画面の一例を説明する図である。このような画面は、電子計算機４０２や条件設定装置１３０４に備えられた表示装置上に表示される。外部の欠陥検査装置等から読み出された欠陥情報は、電子計算機４０２等の記憶媒体に記憶され、「Defect Name」にて選択可能とする。また、併せて読み出されたレイアウトデータ（設計データ）に基づいて、当該欠陥座標に相当するパターンの名前やパターンの種類を、それぞれ「Pattern Name」、「Pattern Type」の欄に表示させる。また、「Defect Location」には読み出された欠陥の座標情報が表示される。「Mesh Type」では測定位置の基準線となるメッシュのパターンが選択可能となっている。例えば図３に例示するようなメッシュや図７に例示するようなメッシュを選択可能とし、当該選択状態が、図１５の右側のレイアウトデータ表示画面に表示される。「Distance」はメッシュ間間隔を任意に設定するための入力ウィンドウである。
【００８６】
「Range Definition」は、欠陥座標を基点とした測定範囲を決定するための基準を設定するためのものである。例えば「Number of Lines」にて線分の本数を選択すると、設定本数分の線分について、パターンの輪郭線の交点セットを抽出する。同様に、「Width」、「Pixels」を選択すれば、それぞれ欠陥座標を基点として、設定した大きさ、画素数の中に含まれる線分について、交点セットを抽出する。「Pattern」はパターンの種類を入力することで、選択したパターンに関与する線分（例えば選択パターンと交差する線分）が設定される。
【００８７】
以上のような条件設定に基づいて、決定される測定位置が、「Measurement Position」及びレイアウトデータ表示画面に表示される。「Measurement Position」の条件、或いはレイアウトデータ表示画面上で、ポインティングデバイス等を用いた測定位置の調整を可能とすることによって、操作者の意に沿ったカスタマイズが可能となる。入力された設定は、「Learn」ボタンを押すことによって、ＣＤ−ＳＥＭの動作レシピとして登録される。また、この際に測定対象を含むように、ＦＯＶを自動選択するようにしても良い。
【００８８】
以上のように、本実施例によれば、光近接効果等によって変動する可能性のあるパターンについて、適切に測定候補位置を設定することができるため、操作者の設定に要する負担を大幅に軽減することができる。
【００８９】
上述の手法によれば、ウエハの検査、もしくはウエハの転写イメージの検査で検出されたウエハ上の欠陥座標に対応するレチクルの座標情報と、前記レチクルの座標を含むレチクルの設計レイアウトの情報から、前記レチクルの座標に最近接したレチクルのパターンエッジを含むパターンを計測するための計測情報と、前記レチクルの座標を含む所定エリア内に存在し、かつ前記最近接したレチクルのパターンエッジを含まないパターンを計測するための計測情報を決定する。これにより、ウエハ上で欠陥と判定されたパターンの製造時に影響を与えうるレチクルパターンを網羅的に計測するための計測情報を自動的に生成することができる。
【符号の説明】
【００９０】
２０１ 欠陥座標
２０２，３０１，７０１ レチクルパターンの座標
３０３〜３０６ レチクルパターン
３０７ メッシュ
３０８〜３１２ 交点
４０１ 測定／検査装置
４０２ 電子計算機
４０３ データ表示手段
４０４ データ入力装置
８０１ 領域
８０２ 画像撮影領域
１００１ パターンエッジ探索エリア
１００２ 交点セットの座標
１００３ 中点位置
１１０１〜１１０３ 交点セット中点位置の図形
【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥座標に基づいて、パターンの測定位置を設定するパターン計測条件設定装置において、
レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記レイアウトデータは、前記試料上に配置される複数のパターンの識別情報を有することを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記レイアウトデータは、レチクルパターンのレイアウト情報であることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記演算装置は、前記欠陥座標を基準とした所定領域内に含まれる前記線分上の前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を選択することを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記複数の基準線は、格子状のパターンであることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記格子状のパターンは、回転可能に前記レイアウトデータ上に重畳されることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記格子状のパターンの格子間間隔は、当該パターンの中心が、当該パターンの中心以外の部分より狭いことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記演算装置は、前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を、測定条件を入力する入力装置によって得られた情報を用いて絞り込むことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項９】
半導体デバイスの設計データを記憶する記憶媒体にアクセスが可能、或いは当該設計データを記憶する記憶媒体を備えたコンピュータに、前記半導体デバイスの計測条件を設定させるコンピュータプログラムにおいて、
当該プログラムは、前記コンピュータに、レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳させ、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定させると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９において、
前記レイアウトデータは、前記試料上に配置される複数のパターンの識別情報を有することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項９において、
前記レイアウトデータは、レチクルパターンのレイアウト情報であることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項９において、
前記プログラムは、前記コンピュータに前記欠陥座標を基準とした所定領域内に含まれる前記線分上の前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項９において、
前記複数の基準線は、格子状のパターンであることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記格子状のパターンは、回転可能に前記レイアウトデータ上に重畳されることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記格子状のパターンの格子間間隔は、当該パターンの中心が、当該パターンの中心以外の部分より狭いことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項９において、
前記演算装置は、前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を、測定条件を入力する入力装置によって得られた情報を用いて絞り込むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１７】
試料上の欠陥位置を検出する欠陥検査装置、及び／又は半導体デバイスの設計データに基づいて、前記欠陥位置をシミュレーションするシミュレーション装置と、当該欠陥検査装置、或いはシミュレーション装置によって検出された欠陥位置情報に基づいて作成されるレシピに基づいて、レチクル上のパターンの測定を行うパターン測定装置を含む計測システムにおいて、
当該計測システムは、レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とする計測システム。
【請求項１】
欠陥座標に基づいて、パターンの測定位置を設定するパターン計測条件設定装置において、
レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記レイアウトデータは、前記試料上に配置される複数のパターンの識別情報を有することを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記レイアウトデータは、レチクルパターンのレイアウト情報であることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記演算装置は、前記欠陥座標を基準とした所定領域内に含まれる前記線分上の前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を選択することを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記複数の基準線は、格子状のパターンであることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記格子状のパターンは、回転可能に前記レイアウトデータ上に重畳されることを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記格子状のパターンの格子間間隔は、当該パターンの中心が、当該パターンの中心以外の部分より狭いことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記演算装置は、前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を、測定条件を入力する入力装置によって得られた情報を用いて絞り込むことを特徴とするパターン計測条件設定装置。
【請求項９】
半導体デバイスの設計データを記憶する記憶媒体にアクセスが可能、或いは当該設計データを記憶する記憶媒体を備えたコンピュータに、前記半導体デバイスの計測条件を設定させるコンピュータプログラムにおいて、
当該プログラムは、前記コンピュータに、レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳させ、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定させると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９において、
前記レイアウトデータは、前記試料上に配置される複数のパターンの識別情報を有することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項９において、
前記レイアウトデータは、レチクルパターンのレイアウト情報であることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項９において、
前記プログラムは、前記コンピュータに前記欠陥座標を基準とした所定領域内に含まれる前記線分上の前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を選択させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項９において、
前記複数の基準線は、格子状のパターンであることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記格子状のパターンは、回転可能に前記レイアウトデータ上に重畳されることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記格子状のパターンの格子間間隔は、当該パターンの中心が、当該パターンの中心以外の部分より狭いことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項９において、
前記演算装置は、前記第１の計測位置、及び第２の計測位置を、測定条件を入力する入力装置によって得られた情報を用いて絞り込むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１７】
試料上の欠陥位置を検出する欠陥検査装置、及び／又は半導体デバイスの設計データに基づいて、前記欠陥位置をシミュレーションするシミュレーション装置と、当該欠陥検査装置、或いはシミュレーション装置によって検出された欠陥位置情報に基づいて作成されるレシピに基づいて、レチクル上のパターンの測定を行うパターン測定装置を含む計測システムにおいて、
当該計測システムは、レイアウトデータ上の二次元領域に、複数の線分からなる基準線を重畳し、前記欠陥座標が存在するパターンを示す輪郭線の内側であって、当該輪郭線と、前記基準線の交点間に第１の計測位置を設定すると共に、当該輪郭線の外側であって、当該輪郭線と、当該輪郭線の他の部分或いは他の輪郭線との交点間に第２の計測位置を設定する演算装置を備えたことを特徴とする計測システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−１３７９０１（Ｐ２０１１−１３７９０１Ａ）
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９６６６１（Ｐ２００９−２９６６６１）
【出願日】平成２１年１２月２８日（２００９．１２．２８）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２８日（２００９．１２．２８）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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