パワー半導体モジュールおよびその製造方法
【目的】炭化シリコン素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度に適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】絶縁層と、この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、を備えるパワー半導体モジュール。
【解決手段】絶縁層と、この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、を備えるパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュールの封止構造に関するもので、特に、炭化シリコンを用いたパワー半導体モジュールとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２に、従来のパワー半導体モジュールの断面構造図を示す。パワー半導体モジュール２００は、絶縁層２１と回路パターン２２を有する銅ベース基板２３に、半田層２４ａによってシリコンパワー半導体素子２５が半田付けされる。そして、さらに半田層２６ｂによりリードフレーム２７が半田付けされ、外部接続端子２８が取り付けられる。
【０００３】
パワー半導体モジュール２００に搭載されるシリコンパワー半導体素子２５の数は、パワー半導体モジュール２００の容積で決まり、この容積に合わせた大きさの銅ベース基板２３に取り付けられる。
【０００４】
この状態で、ケース２９が取り付けられ、銅ベース基板２３との接合部を接着剤（図示せず）でシールし、封止材層３０が充填される。封止材層３０として使用されるのはシリコーンゲル材料で、２液混合型の反応材料である。このシリコーンゲル材料を所定量計量したのち、混合攪拌し、１３．３３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の真空状態で１０分間一次脱泡したのちに、ケース２９内に注型される。その後、１３．３３Ｐａの真空状態で１０分間２次脱泡したのちに、１２０℃で２時間加熱硬化し、フタ３１が取り付けられ、パワー半導体モジュール２００が完成する。
【０００５】
その後、熱伝導ペーストが塗布された冷却フィンに取り付けられて、パワー半導体モジュール２００は使用される。
パワー半導体モジュール２００の動作時は、パワー半導体素子２５や回路パターン２２に大電流が流れるため、パワー半導体素子２５で発生した熱を、銅ベース基板２３から熱伝導ペースト１２を介して冷却フィンに伝熱し冷却することが大切となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１６１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
炭化シリコンはシリコンに比べて優れた電気的特性を有しているため、パワー半導体素子の材料は、将来的に、シリコンから炭化シリコンに置き換わることが想定されている。炭化シリコンからなるパワー半導体素子は、シリコンに比べて高温での動作特性が優れているため、パワー半導体素子に炭化シリコンを用いた場合、パワー半導体素子に流れる電流密度を高めることができる。
【０００８】
しかし、パワー半導体素子に高電流密度の電流を流すと、発熱量が増大し、パワー半導体素子を封止する封止材の素子近傍の温度が高温になる。パワー半導体素子をシリコンから炭化シリコンに変更した場合、素子温度は２００℃程度で使用される。一方、パワー半導体モジュールの外周温度は、素子近傍の温度に比べて、低い温度となる傾向を示す。
【０００９】
このため、素子近傍の封止材の耐熱性能が重要となり、高温での動作領域においても安定な性能を有する封止材を適用することが重要となる。
炭化シリコン素子を搭載したパワー半導体モジュールの封止材には、ノンハロゲン化に対応するため、難燃剤として、水酸化アルミニウム等を添加した封止材が使用される。しかしこの場合、封止材は、難燃剤の影響で熱劣化し易くなり、耐熱性の低下が問題であった。
【００１０】
本発明の目的は、上述の問題点を解決するため、炭化シリコン素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度とに適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、上記の目的は、
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、
この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、
を備えることにより達成される。
【００１２】
パワー半導体素子と銅ベース基板、ならびにパワー半導体素子と複数のインプラントピンとの固着は、導電接合層で行なう。
ここで、第１の封止材の熱変形温度が、１７５℃〜２２５℃であることが好ましい。
また、第１の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることが好ましい。
さらに、第１の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることが好ましい。
また、第２の封止材の熱変形温度が１００℃〜１７５℃であることが好ましい。
第２の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることが好ましい。
【００１３】
第２の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが、１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることが好ましい。
第１の封止材ならびに第２の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法によれば、
絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第１銅ブロックと第２銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第１の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第１の封止材を充填する工程と、
この第１の封止材を覆うように難燃剤を添加した第２の封止材を配置する工程と、
を有することとする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、上記の構成を採用した結果、パワー半導体素子の上下の導電接合層の熱疲労による熱抵抗の増大が防止され、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することが可能となる。
【００１６】
また、第１の封止材として、難燃剤を添加しない封止材を用いることにより、耐熱性能を高めることができ、第２の封止材として難燃剤を添加した封止材を用いることにより、耐熱性は難燃剤を添加しない場合に比べ劣るものの、温度が素子周囲よりは低いため、問題の無いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例の、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の断面構造図である。
【図２】従来のシリコンパワー半導体モジュールの断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
発明の実施の形態を、以下に、図１に記載した実施例を用いて詳細に説明する。
［実施例］
図１は、本発明の実施例である炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の断面構造図である。
【００１９】
図１により、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の製造方法について説明する。
絶縁層１の両面に銅ブロック２と銅ブロック３とを配置した銅ベース基板４の上面に、導電接合層５ａにより炭化シリコンパワー半導体素子６が複数個、搭載されて取り付けられ、さらに、炭化シリコンパワー半導体素子６の上面に導電接合層７ｂにより、インプラントピン８を有するインプラント方式のプリント基板９が取り付けられる。
【００２０】
ここで、インプラントピン８について説明すると、インプラントピン８の大きさは例えば直径１２０μｍ、長さ３００μｍであり、各パワー半導体素子６に対して、最大で１１個程度が配置される。
【００２１】
インプラントピン８はプリント基板９の図示しない導電パターンに固着されている。プリント基板９と銅ブロック３との間隔は１ｍｍ程度であり、最も狭いところでは２００μｍ程度である。プリント基板９は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる。
さらに外部接続端子１０を取り付け、銅ベース基板４とインプラント方式のプリント基板９の間の炭化シリコンパワー半導体素子６の近傍に第１の封止材１１をディスペンサーにより注入形成し、図示しない金型内に載置して、第２の封止材１２により封止され、炭化シリコンパワー半導体モジュール成形構造体１００が完成する。
【００２２】
炭化シリコンパワー半導体モジュール成形構造体１００における、第１の封止材１１の封止材注入方法は、銅ベース基板４とインプラント方式プリント基板９の間の、炭化シリコンパワー半導体素子６の近傍の位置に、ディスペンサーにより注入形成するものである。
【００２３】
第１の封止材１１として使用されるのは、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤との混合組成物で、シリカ充填材が８５ｗｔ％配合された、１液状型の成形封止材料で、難燃剤を添加しない状態の液状封止材である。
【００２４】
第１の封止材１１の硬化条件は、１００℃、１時間である。
硬化後の材料物性は、第１の封止材１１の熱変形温度が２２５℃で、熱膨張係数が１．５×１０−５／℃、銅ベース基板４に対する接着強さが２３ＭＰａである。
【００２５】
ここで、第１の封止材１１の材料物性について述べる。
封止材１１の熱変形温度が、１７５℃から２２５℃であると、封止材１１の熱特性に対する変曲点が高くなり、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの、熱疲労による熱抵抗の増大を防止できるので、耐熱性能が高く、信頼性の高い、パワー半導体モジュールを得ることができる。パワー半導体素子の温度は、２００℃程度になるので、封止材１１の熱変形温度は最低でも１７５℃が必要である。熱変形温度の上限は、余裕を持って２２５℃としている。
【００２６】
さらに、封止材１１の上記した熱膨張係数は、銅の熱膨張係数と同等であるので、絶縁層１、銅ブロック２、３を備える銅ベース基板４の反りと、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの熱疲労とによる熱抵抗の増大を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【００２７】
加えて、封止材１１の銅ブロック２、３に対する接着強さが１０ＭＰａから３０ＭＰａであることにより、パワー半導体素子６を銅ベース基板４に強固に接着できるので、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの熱抵抗の増大を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。したがって、本発明のパワー半導体装置は、パワーサイクルやヒートショック試験などの負荷試験において、高い信頼性を備えることが確認される。ヒートショック試験において、サイクル数の増加とともに銅ベース基板４の反りとパワー半導体モジュールの熱抵抗が増加する傾向が小さい。
【００２８】
さて、炭化シリコンパワー半導体ユニット１００の第２の封止材１２による封止方法は、液状トランスファー成形用の上下型（図示せず）によって作られるキャビティに収納され成形温度１６０℃に昇温させて、保温状態で待機する。トランスファー成形用の上下型には、第２の封止材１２のポット部とランナー部とが設けられている。なお、ここで、キャビティ、ポット部、ランナー部とは、上下型に設けられている、樹脂を収容するポット、樹脂封止すべきパワー半導体素子６が収容されるキャビティ、及びポットに収容された樹脂をキャビティに導くための樹脂の通り道であるランナーのことである。
【００２９】
第２の封止材１２として使用されるのは、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤との混合組成物で、シリカ充填材が８５ｗｔ％に、難燃剤として水酸化アルミニウムが配合された１液状型の成形封止材料である。
【００３０】
硬化後の材料物性としては、封止材の熱変形温度が１７５℃で、熱膨張係数が１．５×１０−５／℃で、第１の封止材に対する接着強さが２０ＭＰａである。
第２の封止材１２の材料物性は基本的には第１の封止材１１と同様である。
【００３１】
熱変形温度としては、パワー半導体素子６の温度が２００℃程度であるので、素子近傍の温度は高いので、第１の封止材１１程度の熱変形温度が必要となるが、素子の外側はそれほど高温にはならないので、それほどの耐熱性能は要求されず、比較的安価な封止材を用いることができる。そこで、封止材１２の熱変形温度の上限は、パワー半導体素子６の温度が２００℃程度になることから、封止材１１の熱変形温度の下限である、１７５℃としており、封止材１２の熱変形温度の下限は、封止材１２まではそれほど熱が伝わらないことから、１００℃としている。
【００３２】
熱膨張係数については、銅の熱膨張係数に合わせている。このようにすれば、第１の封止材１１と第２の封止材１２の熱膨張係数が同等であるので、モジュール全体として、不均一な応力がかからず、同じ動きをする。
【００３３】
接着強さも、第１の封止材と同程度である。３０ＭＰａ以上では、封止材料自体の強度が限界であり、１０ＭＰａ以下であると、封止材と銅との接着が弱くなり、剥離し、素子をガードする力が無くなってしまう。
【００３４】
液状封止材によるトランスファー成形方法としては、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤とからなる１液状型の成形封止材を、予め１３．３３Ｐａの真空状態で１０分間１次脱泡したのちにシリンダー容器に注入する。その後、シリンダー容器から金型内のポット部に必要量注入し、その後、上下金型の型締めを行い、成形封止材料は、ポット部からランナー部を経由して金型キャビティに圧入されて、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形が完了する。成形条件は上下金型の型締め圧は１５０ｋｇ／ｃｍ２（１４．７ＭＰａ）で、１６０℃でのゲル化時間は１分で、硬化時間は３分である。
【００３５】
このように、液状封止材において液状エポキシ樹脂を使用することにより、銅ベース基板４とインプラント方式のプリント基板９との間に、予め注入硬化してある第１の封止材１１の外周部に、第２の封止材１２の充填が行なえると同時に、短時間での成形が可能となり、生産性と信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【００３６】
また、素子近傍に配置する第１の封止材１１としては、直接空気に接していないため、酸化劣化が少ない状況から、難燃剤を添加しない封止材を使用して、耐熱性能を高めることができる。また、第２の封止材１２としては、パワー半導体モジュールの外周で直接空気に接することから、難燃剤を添加した封止材を使用することにより、酸化劣化に対して強い構造を提供することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１ 絶縁層
２ 銅ブロック
３ 銅ブロック
４ 銅ベース基板
５ａ 導電接合層
６ 炭化シリコン半導体素子
７ｂ 導電接合層
８ インプラントピン
９ インプラント方式プリント基板
１０ 外部端子
１１ 第１の封止材
１２ 第２の封止材
１３ 取付け金具
１００ 炭化シリコン半導体パワーモジュール成形構造体
２１ 絶縁層
２２ 回路パターン
２３ 銅ベース基板
２４ａ 半田層
２５ シリコンパワー半導体素子
２６ｂ 半田層
２７ リードフレーム
２８ 外部接続端子
２９ ケース
３０ 封止材
３１ フタ
２００ シリコンパワー半導体モジュール構造体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュールの封止構造に関するもので、特に、炭化シリコンを用いたパワー半導体モジュールとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２に、従来のパワー半導体モジュールの断面構造図を示す。パワー半導体モジュール２００は、絶縁層２１と回路パターン２２を有する銅ベース基板２３に、半田層２４ａによってシリコンパワー半導体素子２５が半田付けされる。そして、さらに半田層２６ｂによりリードフレーム２７が半田付けされ、外部接続端子２８が取り付けられる。
【０００３】
パワー半導体モジュール２００に搭載されるシリコンパワー半導体素子２５の数は、パワー半導体モジュール２００の容積で決まり、この容積に合わせた大きさの銅ベース基板２３に取り付けられる。
【０００４】
この状態で、ケース２９が取り付けられ、銅ベース基板２３との接合部を接着剤（図示せず）でシールし、封止材層３０が充填される。封止材層３０として使用されるのはシリコーンゲル材料で、２液混合型の反応材料である。このシリコーンゲル材料を所定量計量したのち、混合攪拌し、１３．３３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の真空状態で１０分間一次脱泡したのちに、ケース２９内に注型される。その後、１３．３３Ｐａの真空状態で１０分間２次脱泡したのちに、１２０℃で２時間加熱硬化し、フタ３１が取り付けられ、パワー半導体モジュール２００が完成する。
【０００５】
その後、熱伝導ペーストが塗布された冷却フィンに取り付けられて、パワー半導体モジュール２００は使用される。
パワー半導体モジュール２００の動作時は、パワー半導体素子２５や回路パターン２２に大電流が流れるため、パワー半導体素子２５で発生した熱を、銅ベース基板２３から熱伝導ペースト１２を介して冷却フィンに伝熱し冷却することが大切となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１６１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
炭化シリコンはシリコンに比べて優れた電気的特性を有しているため、パワー半導体素子の材料は、将来的に、シリコンから炭化シリコンに置き換わることが想定されている。炭化シリコンからなるパワー半導体素子は、シリコンに比べて高温での動作特性が優れているため、パワー半導体素子に炭化シリコンを用いた場合、パワー半導体素子に流れる電流密度を高めることができる。
【０００８】
しかし、パワー半導体素子に高電流密度の電流を流すと、発熱量が増大し、パワー半導体素子を封止する封止材の素子近傍の温度が高温になる。パワー半導体素子をシリコンから炭化シリコンに変更した場合、素子温度は２００℃程度で使用される。一方、パワー半導体モジュールの外周温度は、素子近傍の温度に比べて、低い温度となる傾向を示す。
【０００９】
このため、素子近傍の封止材の耐熱性能が重要となり、高温での動作領域においても安定な性能を有する封止材を適用することが重要となる。
炭化シリコン素子を搭載したパワー半導体モジュールの封止材には、ノンハロゲン化に対応するため、難燃剤として、水酸化アルミニウム等を添加した封止材が使用される。しかしこの場合、封止材は、難燃剤の影響で熱劣化し易くなり、耐熱性の低下が問題であった。
【００１０】
本発明の目的は、上述の問題点を解決するため、炭化シリコン素子を用いたパワー半導体モジュールの素子近傍の温度と、外周部の温度とに適した封止材を使用したパワー半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、上記の目的は、
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、
この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、
を備えることにより達成される。
【００１２】
パワー半導体素子と銅ベース基板、ならびにパワー半導体素子と複数のインプラントピンとの固着は、導電接合層で行なう。
ここで、第１の封止材の熱変形温度が、１７５℃〜２２５℃であることが好ましい。
また、第１の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることが好ましい。
さらに、第１の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることが好ましい。
また、第２の封止材の熱変形温度が１００℃〜１７５℃であることが好ましい。
第２の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることが好ましい。
【００１３】
第２の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが、１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることが好ましい。
第１の封止材ならびに第２の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法によれば、
絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第１銅ブロックと第２銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第１の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第１の封止材を充填する工程と、
この第１の封止材を覆うように難燃剤を添加した第２の封止材を配置する工程と、
を有することとする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、上記の構成を採用した結果、パワー半導体素子の上下の導電接合層の熱疲労による熱抵抗の増大が防止され、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することが可能となる。
【００１６】
また、第１の封止材として、難燃剤を添加しない封止材を用いることにより、耐熱性能を高めることができ、第２の封止材として難燃剤を添加した封止材を用いることにより、耐熱性は難燃剤を添加しない場合に比べ劣るものの、温度が素子周囲よりは低いため、問題の無いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例の、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の断面構造図である。
【図２】従来のシリコンパワー半導体モジュールの断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
発明の実施の形態を、以下に、図１に記載した実施例を用いて詳細に説明する。
［実施例］
図１は、本発明の実施例である炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の断面構造図である。
【００１９】
図１により、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形構造体の製造方法について説明する。
絶縁層１の両面に銅ブロック２と銅ブロック３とを配置した銅ベース基板４の上面に、導電接合層５ａにより炭化シリコンパワー半導体素子６が複数個、搭載されて取り付けられ、さらに、炭化シリコンパワー半導体素子６の上面に導電接合層７ｂにより、インプラントピン８を有するインプラント方式のプリント基板９が取り付けられる。
【００２０】
ここで、インプラントピン８について説明すると、インプラントピン８の大きさは例えば直径１２０μｍ、長さ３００μｍであり、各パワー半導体素子６に対して、最大で１１個程度が配置される。
【００２１】
インプラントピン８はプリント基板９の図示しない導電パターンに固着されている。プリント基板９と銅ブロック３との間隔は１ｍｍ程度であり、最も狭いところでは２００μｍ程度である。プリント基板９は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる。
さらに外部接続端子１０を取り付け、銅ベース基板４とインプラント方式のプリント基板９の間の炭化シリコンパワー半導体素子６の近傍に第１の封止材１１をディスペンサーにより注入形成し、図示しない金型内に載置して、第２の封止材１２により封止され、炭化シリコンパワー半導体モジュール成形構造体１００が完成する。
【００２２】
炭化シリコンパワー半導体モジュール成形構造体１００における、第１の封止材１１の封止材注入方法は、銅ベース基板４とインプラント方式プリント基板９の間の、炭化シリコンパワー半導体素子６の近傍の位置に、ディスペンサーにより注入形成するものである。
【００２３】
第１の封止材１１として使用されるのは、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤との混合組成物で、シリカ充填材が８５ｗｔ％配合された、１液状型の成形封止材料で、難燃剤を添加しない状態の液状封止材である。
【００２４】
第１の封止材１１の硬化条件は、１００℃、１時間である。
硬化後の材料物性は、第１の封止材１１の熱変形温度が２２５℃で、熱膨張係数が１．５×１０−５／℃、銅ベース基板４に対する接着強さが２３ＭＰａである。
【００２５】
ここで、第１の封止材１１の材料物性について述べる。
封止材１１の熱変形温度が、１７５℃から２２５℃であると、封止材１１の熱特性に対する変曲点が高くなり、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの、熱疲労による熱抵抗の増大を防止できるので、耐熱性能が高く、信頼性の高い、パワー半導体モジュールを得ることができる。パワー半導体素子の温度は、２００℃程度になるので、封止材１１の熱変形温度は最低でも１７５℃が必要である。熱変形温度の上限は、余裕を持って２２５℃としている。
【００２６】
さらに、封止材１１の上記した熱膨張係数は、銅の熱膨張係数と同等であるので、絶縁層１、銅ブロック２、３を備える銅ベース基板４の反りと、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの熱疲労とによる熱抵抗の増大を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【００２７】
加えて、封止材１１の銅ブロック２、３に対する接着強さが１０ＭＰａから３０ＭＰａであることにより、パワー半導体素子６を銅ベース基板４に強固に接着できるので、パワー半導体素子６の上下の導電接合層５ａ、７ｂの熱抵抗の増大を防止し、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。したがって、本発明のパワー半導体装置は、パワーサイクルやヒートショック試験などの負荷試験において、高い信頼性を備えることが確認される。ヒートショック試験において、サイクル数の増加とともに銅ベース基板４の反りとパワー半導体モジュールの熱抵抗が増加する傾向が小さい。
【００２８】
さて、炭化シリコンパワー半導体ユニット１００の第２の封止材１２による封止方法は、液状トランスファー成形用の上下型（図示せず）によって作られるキャビティに収納され成形温度１６０℃に昇温させて、保温状態で待機する。トランスファー成形用の上下型には、第２の封止材１２のポット部とランナー部とが設けられている。なお、ここで、キャビティ、ポット部、ランナー部とは、上下型に設けられている、樹脂を収容するポット、樹脂封止すべきパワー半導体素子６が収容されるキャビティ、及びポットに収容された樹脂をキャビティに導くための樹脂の通り道であるランナーのことである。
【００２９】
第２の封止材１２として使用されるのは、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤との混合組成物で、シリカ充填材が８５ｗｔ％に、難燃剤として水酸化アルミニウムが配合された１液状型の成形封止材料である。
【００３０】
硬化後の材料物性としては、封止材の熱変形温度が１７５℃で、熱膨張係数が１．５×１０−５／℃で、第１の封止材に対する接着強さが２０ＭＰａである。
第２の封止材１２の材料物性は基本的には第１の封止材１１と同様である。
【００３１】
熱変形温度としては、パワー半導体素子６の温度が２００℃程度であるので、素子近傍の温度は高いので、第１の封止材１１程度の熱変形温度が必要となるが、素子の外側はそれほど高温にはならないので、それほどの耐熱性能は要求されず、比較的安価な封止材を用いることができる。そこで、封止材１２の熱変形温度の上限は、パワー半導体素子６の温度が２００℃程度になることから、封止材１１の熱変形温度の下限である、１７５℃としており、封止材１２の熱変形温度の下限は、封止材１２まではそれほど熱が伝わらないことから、１００℃としている。
【００３２】
熱膨張係数については、銅の熱膨張係数に合わせている。このようにすれば、第１の封止材１１と第２の封止材１２の熱膨張係数が同等であるので、モジュール全体として、不均一な応力がかからず、同じ動きをする。
【００３３】
接着強さも、第１の封止材と同程度である。３０ＭＰａ以上では、封止材料自体の強度が限界であり、１０ＭＰａ以下であると、封止材と銅との接着が弱くなり、剥離し、素子をガードする力が無くなってしまう。
【００３４】
液状封止材によるトランスファー成形方法としては、環状脂肪族系のエポキシ樹脂と酸無水物硬化剤とからなる１液状型の成形封止材を、予め１３．３３Ｐａの真空状態で１０分間１次脱泡したのちにシリンダー容器に注入する。その後、シリンダー容器から金型内のポット部に必要量注入し、その後、上下金型の型締めを行い、成形封止材料は、ポット部からランナー部を経由して金型キャビティに圧入されて、炭化シリコンパワー半導体モジュールの成形が完了する。成形条件は上下金型の型締め圧は１５０ｋｇ／ｃｍ２（１４．７ＭＰａ）で、１６０℃でのゲル化時間は１分で、硬化時間は３分である。
【００３５】
このように、液状封止材において液状エポキシ樹脂を使用することにより、銅ベース基板４とインプラント方式のプリント基板９との間に、予め注入硬化してある第１の封止材１１の外周部に、第２の封止材１２の充填が行なえると同時に、短時間での成形が可能となり、生産性と信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することができる。
【００３６】
また、素子近傍に配置する第１の封止材１１としては、直接空気に接していないため、酸化劣化が少ない状況から、難燃剤を添加しない封止材を使用して、耐熱性能を高めることができる。また、第２の封止材１２としては、パワー半導体モジュールの外周で直接空気に接することから、難燃剤を添加した封止材を使用することにより、酸化劣化に対して強い構造を提供することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１ 絶縁層
２ 銅ブロック
３ 銅ブロック
４ 銅ベース基板
５ａ 導電接合層
６ 炭化シリコン半導体素子
７ｂ 導電接合層
８ インプラントピン
９ インプラント方式プリント基板
１０ 外部端子
１１ 第１の封止材
１２ 第２の封止材
１３ 取付け金具
１００ 炭化シリコン半導体パワーモジュール成形構造体
２１ 絶縁層
２２ 回路パターン
２３ 銅ベース基板
２４ａ 半田層
２５ シリコンパワー半導体素子
２６ｂ 半田層
２７ リードフレーム
２８ 外部接続端子
２９ ケース
３０ 封止材
３１ フタ
２００ シリコンパワー半導体モジュール構造体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、
この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、
を備えることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
第１の封止材の熱変形温度が、１７５℃〜２２５℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
第１の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
第１の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
第２の封止材の熱変形温度が１００℃〜１７５℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
第２の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
第２の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが、１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
第１の封止材ならびに第２の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項９】
絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第１銅ブロックと第２銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第１の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第１の封止材を充填する工程と、
この第１の封止材を覆うように難燃剤を添加した第２の封止材を配置する工程と、
を有することを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
【請求項１】
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ固着された、第１銅ブロックと第２銅ブロックとを備える銅ベース基板と、
第１銅ブロックの上にその一方の面が導電接合層により固着された、炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に導電接合層により固着された複数のインプラントピンと、
このインプラントピンに固着され、パワー半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に配置された、難燃剤を添加しない第１の封止材と、
この第１の封止材を覆うように配置された、難燃剤を添加した第２の封止材と、
を備えることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
第１の封止材の熱変形温度が、１７５℃〜２２５℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
第１の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
第１の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
第２の封止材の熱変形温度が１００℃〜１７５℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
第２の封止材の熱膨張係数が１．５×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃であることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
第２の封止材の銅ベース基板に対する接着強さが、１０ＭＰａ〜３０ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
第１の封止材ならびに第２の封止材に液状エポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項９】
絶縁層を用意する工程と、
この絶縁層の一方の面と他方の面にそれぞれ第１銅ブロックと第２銅ブロックを備える銅ベース基板を用意する工程と、
第１の銅ブロックの上に炭化シリコンを用いた複数のパワー半導体素子の一方の面を導電接合層により固着する工程と、
このパワー半導体素子のそれぞれの他方の面に複数のインプラントピンを導電接合層により固着する工程と、
このインプラントピンに固着されパワー半導体素子に対向するようにプリント基板を配置する工程と、
少なくともパワー半導体素子とプリント基板との間に難燃剤を添加しない第１の封止材を充填する工程と、
この第１の封止材を覆うように難燃剤を添加した第２の封止材を配置する工程と、
を有することを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１３−４７２９（Ｐ２０１３−４７２９Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４２１１（Ｐ２０１１−１３４２１１）
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
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