ファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置
【課題】温度/出力補正を精度よく行って、安定したレーザ出力を得ることができるファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度の変化による出力変動と、周囲温度の変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置し、この配置状態下において温度センサ22の値をモニタして温度補正テーブルを作成する。温度センサ22の配置例としては、例えばレーザ媒質やその周辺、励起半導体レーザ11やその周辺、ベース19の面などがある。そして、レーザマーキング装置の動作時、この温度補正テーブルを用いて励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を温度変動によらず目標レーザ出力に近づける。
【解決手段】レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度の変化による出力変動と、周囲温度の変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置し、この配置状態下において温度センサ22の値をモニタして温度補正テーブルを作成する。温度センサ22の配置例としては、例えばレーザ媒質やその周辺、励起半導体レーザ11やその周辺、ベース19の面などがある。そして、レーザマーキング装置の動作時、この温度補正テーブルを用いて励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を温度変動によらず目標レーザ出力に近づける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ光源からの光をファイバによって増幅出力するファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、レーザ発振器の一種として、ファイバ(希土類添加ファイバ)を用いた光増幅器によってレーザ光を増幅出力するファイバレーザ発振器が知られている(特許文献1等参照)。特許文献1では、光増幅器に温度センサを設け、この温度センサによって、ファイバの温度や光増幅器全体の環境温度が測定される。そして、温度センサから取得した温度情報を基に、利得制御回路によって増幅器の利得が制御され、所望のレーザ出力が確保される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2001−185788号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、この種のレーザ発振器においては、レーザ電源をオフからオンに切り換えたとき、オンした瞬間から出力が安定するまで一定時間を要する現状がある。しかし、特許文献1では、ファイバ温度や光増幅器全体の環境温度を測定してレーザ出力を調整することはできても、レーザ電源のオフ→オン切り換え時に発生する出力ばらつきに対しては何も考慮なされていない問題があった。
【0005】
また、レーザ発振器の周囲には、発熱する部品、機器、装置等が配置される可能性が高く、温度センサの配置位置が仮に不適当であると、温度センサの検出温度が周囲温度に影響を受けて、ファイバ温度や光増幅器全体の環境温度を正確に測定できない可能性が生じる。このため、温度センサを好適な位置に配置しないと、温度/出力補正を行うにしても、その精度が確保できない問題に繋がってしまう。
【0006】
以上により、レーザ発振器に温度センサを設けて温度/出力補正を行う場合、温度/出力補正の精度を確保するには、レーザ電源のオフ→オン切り換え時に生じる出力変動や、レーザ発振器の周囲温度を考慮に入れて、温度センサの配置位置を決める必要があった。つまり、本発明は、温度センサによってレーザ出力を温度補正する場合に、温度センサを好適な位置に配置することに着想している。
【0007】
本発明の目的は、温度/出力補正を精度よく行って、安定したレーザ出力を得ることができるファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記問題点を解決するために、本発明では、レーザ光源からの光をファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ発振器であって、前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置としたことを要旨とする。
【0009】
本発明の構成によれば、温度検出手段の配置位置を、当該レーザ電源オンの状況下と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるような位置に設定した。このため、レーザ電源オン状況下とレーザ電源オフ→オン切り換え時との各々で、同じ補正値で出力補正することが可能となるので、目標レーザ出力にばらつきを生じ難くすることが可能となる。よって、レーザ出力を安定した値で得ることが可能となる。
【0010】
本発明では、前記温度検出手段は、前記筐体の周囲温度に影響を受けた筐体温度を検出することを要旨とする。この構成によれば、温度検出手段を周囲温度検出可能な位置に配置するので、周囲温度を考慮に入れた出力補正を行うことが可能となる。よって、安定した出力の確保に一層効果が高くなる。
【0011】
本発明では、前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、前記温度検出手段は、前段増幅器及び後段増幅器の各々に設けられ、前記レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されていることを要旨とする。この構成によれば、増幅器を多段に備える場合、増幅器ごとに温度検出手段を設け、これら温度検出手段を本構成の配置条件に則った位置に配置する。このため、増幅器を多段に備える場合であっても、各増幅器において精度のよい補正が行われるので、安定した出力確保に効果が高くなる。
【0012】
本発明では、前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、前記増幅器は、第1筐体と第2筐体との各々に分離して設けられ、前記温度検出手段は、前記第1筐体及び第2筐体の各々に設けられ、前記レーザ光源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されていることを要旨とする。この構成によれば、複数の増幅器が別々の筐体に設けられている場合、筐体ごとに温度検出手段を設け、これら温度検出手段を本構成の配置条件に則った位置に配置する。このため、複数の増幅器が別々の筐体に設けられている場合であっても、各筐体において精度のよい補正が行われるので、安定した出力確保に効果が高くなる。
【0013】
本発明では、レーザ光源から光をファイバによって増幅しつつ、当該増幅した光をヘッドにて走査しながらワークに出射可能であり、前記レーザ光源からの光を前記ファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ加工装置において、前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置としたことを要旨とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、温度/出力補正を精度よく行って、安定したレーザ出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】一実施形態のレーザマーキング装置のブロック図。
【図2】各種光の出力波形を示すタイミングチャート。
【図3】コントローラ側筐体内に収納された各種部品の配置例を示す模式図。
【図4】レーザ出力の温度/出力の変化特性を示すグラフ。
【図5】温度補正テーブルの概念図。
【図6】レーザ電源オフ→オン時に出力小となるときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図7】レーザ電源オフ→オン時に出力大となるときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図8】本例の配置条件に温度センサを配置したときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図9】別例の温度センサの配置例を示す模式図。
【図10】他の別例の温度センサの配置例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を具体化したファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置の一実施形態を図1〜図8に従って説明する。
図1に示すように、レーザマーキング装置1には、ワーク2に照射するレーザ光のソースを生成するレーザ発振器3と、レーザ発振器3から出射されたレーザ光を調光してワーク2に走査しながら照射するヘッド4とが設けられている。また、レーザマーキング装置1には、レーザマーキング装置1の動作を制御するコントローラ5と、操作パネルとなるコンソール6とが設けられている。なお、レーザマーキング装置1がレーザ加工装置に相当する。
【0017】
レーザ発振器3には、レーザ出力の種光源となるレーザダイオード(LD::Laser Diode)7と、レーザダイオード7から出力された光(以降、種レーザ光Saと言う)を増幅する増幅器8とが設けられている。レーザダイオード7は、レーザ発振器3内のドライバ9を介してコントローラ5に接続されている。コントローラ5は、ドライバ9を駆動制御することにより、レーザダイオード7をパルス発振(間欠駆動)させて、レーザダイオード7から図2に示すパルス状の種レーザ光Saを出力させる。なお、レーザダイオード7がレーザ光源に相当する。
【0018】
図1に示すように、増幅器8には、光を単一方向にのみ通す光アイソレータ10と、レーザダイオード7の種レーザ光Saを増幅させる励起半導体レーザ11とが設けられている。励起半導体レーザ11は、増幅器8内のドライバ12を介してコントローラ5に接続されている。コントローラ5は、ドライバ12を駆動制御することにより、励起半導体レーザ11から図2に示す一定強度の光(以降、励起レーザ光Sbと記す)を出力させる。
【0019】
図1に示すように、増幅器8には、種レーザ光Saと励起レーザ光Sbとを結合する多重器13が設けられている。多重器13は、種レーザ光Saを励起レーザ光Sbに合波することにより、種レーザ光Saを励起状態にする。また、多重器13には、多重器13にて合波した光を、誘導放出にて光増幅するファイバ(希土類ドープ光ファイバ)14が接続されている。よって、本例のレーザ発振器3は、ファイバ14によって光増幅するファイバレーザ発振器3となっている。ファイバ14は、図2に示す増幅した光(以降、増幅光Scと記す)をヘッド4に出力する。そして、ヘッド4は、この増幅光Scを調光し、調光後のレーザ光を走査しながらワーク2に照射して、ワーク2を加工する。
【0020】
図1に示すように、コンソール6には、例えば液晶画面等からなる表示器15が設けられている。表示器15には、例えばレーザマーキング装置1の動作モードを設定する各種設定画面や、レーザマーキング装置1の現在動作状態を表示する加工進捗画面などが表示される。また、コンソール6には、レーザマーキング装置1の各種動作態様を設定する際に操作する操作部16が設けられている。操作部16には、例えば電源ボタン、テンキー、モード入力ボタンなどがある。
【0021】
図3に示すように、レーザ発振器3には、レーザ発振器3の各種部品を内蔵する筐体17が設けられ、この筐体17の内部に、例えば励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18などが収納されている。これら部品(励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18等)は、筐体17内に設けられたベース19の上面に配置されている。ベース19は、筐体17内における部品載置用の基台部分である。また、基板18には、例えばコントローラ5やドライバ9,12等が実装されている。図3の場合、複数の励起半導体レーザ11が励起LD群として設けられ、これらが協同して所望の励起電流が多重器13に出力される。
【0022】
ところで、図4に示すように、レーザ出力は、筐体17内の温度(以下、筐体温度Tkと記す)の変化に応じて、出力強度が変化する特性がある。ここで、例えば筐体温度Tkが、ある一点(例えば「0°」のとき)をピークに温度上昇又は温度低下すると、それに連れてレーザ出力が低くなっていく波形変化をとることがある。このため、ヘッド4から一定のレーザ出力を得るには、温度変化にて生じる低下分を補って、レーザ発振器3を駆動させる必要がある。なお、筐体温度Tkに影響するパラメータとしては、例えば励起半導体レーザ11の温度(以降、励起LD温度T1と記す)や、筐体17内の空気の温度(以降、内部空気温度T2と記す)や、ベース19の温度(以降、ベース温度T3と記す)や、筐体17の周囲に位置する各種機器や装置などがある。
【0023】
よって、図1に示すように、本例のレーザマーキング装置1には、筐体温度Tkの温度変化によらず最終的なレーザ出力を一定値に補正する温度/出力補正機能が設けられている。この場合、コントローラ5のメモリ20には、どの筐体温度Tkのときにどの値で実レーザ出力を補正すればよいかが設定された温度補正テーブル21が記憶されている。図5に示すように、温度補正テーブル21は、筐体温度Tkの各温度(各温度測定ポイント)と、これら各温度に対する実レーザ出力の補正値Rとが対応付けられたテーブルとなっている。
【0024】
図1及び図3に示すように、筐体17の内部には、筐体温度Tkを測定する温度センサ22が設けられている。温度センサ22は、例えばサーミスタや熱電対が使用され、配線23を介して基板18に接続されている。温度センサ22は、レーザマーキング装置1の電源(レーザ電源)がオンされると、筐体温度Tkの測定を開始し、その検出温度Dtをコントローラ5に出力する。なお、温度センサ22が温度検出手段に相当する。
【0025】
ここで、図4に示すように、筐体温度Tkと実レーザ出力との変化特性の線(温度/出力の特性線)をLaとすると、補正値Rは、この特性線Laと目標レーザ出力との間の差に対応した係数(乗算値)に相当する。そして、それぞれの検出温度Dtから求まる補正値Rを、そのときの実レーザ出力に乗算することにより、実レーザ出力を目標レーザ出力に近づける。
【0026】
図1に示すように、コントローラ5には、温度センサ22から入力した検出温度Dtを基に温度補正テーブル21を参照してレーザ出力を補正する対温度出力補正部24が設けられている。対温度出力補正部24は、温度補正テーブル21から割り出した補正値Rを基に、励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を補正する。また、対温度出力補正部24は、制御した出力を入力に戻す処理を繰り返し行って目標値に近づけるフィードバック制御にて、励起半導体レーザ11を制御する。
【0027】
ところで、この種のレーザマーキング装置1では、例えばレーザ電源をオフ→オンすると、電源をオンした瞬間から出力が徐々に下がっていき、その後、数分以上かけて出力が安定するという特性がある。よって、電源がずっとオンのままで使用される場合(筐体温度Tkが平衡状態)ならば問題はないが、レーザ電源がオン/オフを繰り返すような場合、オンの瞬間、レーザ出力が充分な値に到達しておらず、目標レーザ出力にずれが発生してしまう懸念がある。なお、平衡状態は、レーザ電源オンの状態が暫く続くという意味で通常状態であるとも言える。
【0028】
また、レーザマーキング装置1の電源のオン/オフの切り換えを考慮に入れてレーザ出力を対温度補正しても、仮に温度センサ22の配置位置が不適当であると、最終的なレーザ出力が安定して出てこない懸念がある。つまり、筐体温度Tkが筐体17の周囲の温度(以降、周囲温度Trと記す)に影響を受けて、筐体温度Tkが正確な値を示さず、レーザ出力のオフ→オン時の出力が安定しない問題の原因となる。
【0029】
例えば、図6に示すように、仮に励起LD温度T1が25℃の場合、同じ25℃であっても、レーザ電源がオンの瞬間のときは、周囲温度Trが25℃となっているのに対し、筐体温度Tkが平常状態のときは、周囲温度Trが15℃となっている。よって、仮に筐体温度Tkを周囲温度Tr寄りの値でとってしまうと、レーザ電源がオンの瞬間のときは、レーザ出力小となり、筐体温度Tkが平衡状態のときは、レーザ出力大となり、それぞれで出力が異なってしまう。つまり、励起LD温度T1が同じ場合であっても、周囲温度Trに影響を受けて、レーザ電源オン時の方が、レーザ出力が狙いの値(目標レーザ出力)よりも低くなってしまう。
【0030】
一方、図7に示すように、仮に内部空気温度T2が25℃の場合、同じ25℃であっても、レーザ電源がオンの瞬間のときは、励起LD温度T1が25℃となっているのに対し、筐体温度Tkが平衡状態のときは、励起LD温度T1が35℃となっている。よって、仮に筐体温度Tkを励起LD温度T1寄りの値でとってしまうと、レーザ電源がオンの瞬間のときは、レーザ出力大となり、筐体温度Tkが平衡状態のときは、レーザ出力小となり、それぞれで出力が異なってしまう。つまり、内部空気温度T2が同じ場合であっても、励起LD温度T1に影響を受けて、レーザ電源オン時の方が、レーザ出力が狙いの値(目標レーザ出力)よりも高くなってしまう。
【0031】
そこで、本例の場合、温度センサ22は、周囲温度Trを利用することにより、レーザ電源のオフ→オンの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時との両方で、温度センサ22の検出温度Dtが同じ変化特性をとることができるような位置に配置されている。別の言い方をするなら、本例の温度センサ22は、平衡状態時やレーザ電源オフ→オン時に拘わらず、平衡状態時にとる温度/実レーザ出力の特性線をとるような位置(近似も含む)に配置されている。本例の場合、図4に示す特性線Laを目標特性線Laとすると、平衡状態時やレーザ電源オフ→オン時に拘わらず、温度/出力のラインが目標特性線Laに乗るようになる。
【0032】
本例の温度センサ22は、例えば励起半導体レーザ11やファイバ14の発熱と周囲温度Trの変化とを、同時に測定できるような箇所に配置されている。このとき、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンとなる際の温度特性と、周囲温度Trが変化する際の温度特性とが、それぞれ同じになるような位置に配置される。つまり、レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度(筐体17の内部温度)Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22が配置される。
【0033】
そして、レーザ電源がオフ→オンとなる際の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性と点を温度センサ22でモニタし、その温度特性に基づき温度補正テーブル21を作成する。このように、本例の温度補正テーブル21は、実測(実験)により測定した値に基づき作成される。対温度出力補正部24は、以上の条件に準じて作成された温度補正テーブル21を基に励起半導体レーザ11を制御することにより、最終的なレーザ出力を所望値(目標レーザ出力)に補正する。
【0034】
温度センサ22の配置位置例には、例えば筐体17内を通るレーザ媒質自体や、その近辺がある。また、温度センサ22の他の配置位置例には、例えば励起半導体レーザ11自体や、その近辺がある。さらに、温度センサ22の他の配置位置例には、例えばベース19の上面においてレーザ媒質や励起半導体レーザ11の間の位置などがある。いずれにせよ、レーザ電源がオフ→オンとなる際の筐体温度Tkと周囲温度Trの変化とで、それぞれ同じ出力変動となるような点をモニタできる箇所であればよい。
【0035】
次に、本例のレーザ発振器3の作用を、図6〜図8を用いて説明する。
図8は、レーザ電源のオフ→オン時の温度特性と、周囲温度Trの変化時の温度特性とが、それぞれ同じになるような点をモニタ可能な位置に温度センサ22を配置した本例の筐体温度Tkと実レーザ出力との特性を示すグラフである。同図に示されるように、本例の条件を満たす位置に温度センサ22を配置すれば、レーザ電源がオフ→オンしたときの点が、目標特性線Laに乗ることが分かる。つまり、平衡状態のときと、レーザ電源オン→オン切り換えのときとで、温度センサ22の検出温度Dtが同じ出力変化をとる。
【0036】
よって、例えば励起LD温度T1が25℃のとき(図6の場合)、筐体温度Tkが平衡状態であれば、周囲温度Trが15℃であるので、本例の場合は、レーザ電源がオフ→オンに切り換わったとき、周囲温度Trを利用することにより、温度センサ22が極力低い値をとるようにする。これにより、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンのときも、平衡状態のときと同じような値を検出するようになる。
【0037】
一方、内部空気温度T2が25℃のとき(図7の場合)、筐体温度Tkが平衡状態であれば、励起LD温度T1が35℃であるので、本例の場合は、レーザ電源がオフ→オンに切り換わったとき、周囲温度Trを利用することにより、温度センサ22が極力高い値をとるようにする。これにより、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンのときも、平衡状態のときと同じような値を検出するようになる。
【0038】
以上により、本例においては、レーザ電源オフ→オン時の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置した。これにより、筐体温度Tkが周囲温度Trを受ける場合であっても、この周囲温度Trを利用することにより、温度/実レーザ出力の特性線が目標特性線Laに近づく。よって、温度センサ22にてレーザ出力を出力補正する場合、その補正精度がよくなるので、安定したレーザ出力(目標レーザ出力)を得ることが可能となる。
【0039】
本実施形態の構成によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
(1)レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置し、この配置状態下において温度センサ22の値をモニタして温度補正テーブル21を作成する。そして、レーザマーキング装置1の動作時、この温度補正テーブル21を用いて励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を温度変動によらず目標レーザ出力に近づける。このため、レーザ出力が温度に影響を受け難くなるので、レーザ出力を安定した値で得ることができる。
【0040】
(2)レーザ電源オフ→オン時、レーザ出力の温度/出力の特性線が、平衡状態時にとるラインに近づくようにした。このため、安定したレーザ出力の確保に効果が高くなる。
(3)各配置位置での温度センサ22の温度特性を実測(実験)により収集し、その実測結果を基に温度補正テーブル21を作成するので、実機に即した精度のよい温度補正テーブル21を作成することができる。
【0041】
なお、実施形態はこれまでに述べた構成に限らず、以下の態様に変更してもよい。
・図9に示すように、増幅器8が前段増幅器8a及び後段増幅器8bの複数ある場合、前段増幅器8a及び後段増幅器8bのそれぞれに温度センサ22を設け、これら温度センサ22を本例の配置条件に準じた位置に配置するとともに、それぞれにおいて温度補正テーブル21を作成してもよい。この場合、前段側温度センサ22の検出出力を基に前段増幅器8aの前段励起半導体レーザ11aが制御され、後段側温度センサ22の検出出力を基に後段増幅器8bの励起半導体レーザ群11bが制御される。
【0042】
・図10に示すように、前段増幅器8a及び後段増幅器8bがコントローラ5とヘッド4とで分離している場合、コントローラ5側の筐体17とヘッド4側の筐体31とのそれぞれに温度センサ22を設け、これら温度センサ22を本例の配置条件に準じた位置に配置するとともに、それぞれにおいて温度補正テーブル21を作成してもよい。この場合、前段側温度センサ22の検出出力を基に前段増幅器8aの励起半導体レーザ11aが制御され、後段側温度センサ22の検出出力を基に後段増幅器8bの励起半導体レーザ群11bが制御される。
【0043】
・温度センサ22は、筐体17内外の各発熱部材との距離が、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時とで、筐体17内外の各発熱部材の総和による温度変化速度(温度変化量)が一致(略一致も含む)する配置としてもよい。つまり、温度センサ22と各発熱部材との間の距離を所定値に設定することにより、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時とで、検出温度の変化特性を同じにすることもできる。なお、発熱部材に、例えば励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18、筐体17周囲の各種機器/装置などがある。
【0044】
・温度センサ22の配置位置は、実施形態で述べた例に限らず、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時との両方で同じ温度特性をとることができれば、他の位置に変更可能である。
【0045】
・温度検出手段は、サーミスタや熱電対に限定されず、他のセンサを使用可能である。
・周囲温度Trは、レーザマーキング装置1に組み付く部品、機器、装置から受ける温度に限らず、レーザマーキング装置1の周囲に配置された他の別装置から受ける温度でもよい。
【0046】
・本例の場合、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で検出温度Dtが同じ変化特性をとるようにしたが、これは全くの同一に限らず、略同一も広義として含むものとする。
【0047】
・ファイバレーザ加工装置は、レーザマーキング装置1に限定されず、レーザを利用した種々の装置に応用可能である。
【符号の説明】
【0048】
1…レーザ加工装置としてのレーザマーキング装置、2…ワーク、3…ファイバレーザ発振器、4…ヘッド、7…レーザ光源としてのレーザダイオード、8(8a,8b)…増幅器、14…ファイバ、17…第1筐体としてのコントローラ側筐体、21…温度補正テーブル、22…温度検出手段としての温度センサ、31…第2筐体としてのヘッド側筐体、Tk…筐体温度、Dt…検出温度、R…補正値、Tr…周囲温度。
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ光源からの光をファイバによって増幅出力するファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、レーザ発振器の一種として、ファイバ(希土類添加ファイバ)を用いた光増幅器によってレーザ光を増幅出力するファイバレーザ発振器が知られている(特許文献1等参照)。特許文献1では、光増幅器に温度センサを設け、この温度センサによって、ファイバの温度や光増幅器全体の環境温度が測定される。そして、温度センサから取得した温度情報を基に、利得制御回路によって増幅器の利得が制御され、所望のレーザ出力が確保される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2001−185788号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、この種のレーザ発振器においては、レーザ電源をオフからオンに切り換えたとき、オンした瞬間から出力が安定するまで一定時間を要する現状がある。しかし、特許文献1では、ファイバ温度や光増幅器全体の環境温度を測定してレーザ出力を調整することはできても、レーザ電源のオフ→オン切り換え時に発生する出力ばらつきに対しては何も考慮なされていない問題があった。
【0005】
また、レーザ発振器の周囲には、発熱する部品、機器、装置等が配置される可能性が高く、温度センサの配置位置が仮に不適当であると、温度センサの検出温度が周囲温度に影響を受けて、ファイバ温度や光増幅器全体の環境温度を正確に測定できない可能性が生じる。このため、温度センサを好適な位置に配置しないと、温度/出力補正を行うにしても、その精度が確保できない問題に繋がってしまう。
【0006】
以上により、レーザ発振器に温度センサを設けて温度/出力補正を行う場合、温度/出力補正の精度を確保するには、レーザ電源のオフ→オン切り換え時に生じる出力変動や、レーザ発振器の周囲温度を考慮に入れて、温度センサの配置位置を決める必要があった。つまり、本発明は、温度センサによってレーザ出力を温度補正する場合に、温度センサを好適な位置に配置することに着想している。
【0007】
本発明の目的は、温度/出力補正を精度よく行って、安定したレーザ出力を得ることができるファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記問題点を解決するために、本発明では、レーザ光源からの光をファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ発振器であって、前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置としたことを要旨とする。
【0009】
本発明の構成によれば、温度検出手段の配置位置を、当該レーザ電源オンの状況下と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるような位置に設定した。このため、レーザ電源オン状況下とレーザ電源オフ→オン切り換え時との各々で、同じ補正値で出力補正することが可能となるので、目標レーザ出力にばらつきを生じ難くすることが可能となる。よって、レーザ出力を安定した値で得ることが可能となる。
【0010】
本発明では、前記温度検出手段は、前記筐体の周囲温度に影響を受けた筐体温度を検出することを要旨とする。この構成によれば、温度検出手段を周囲温度検出可能な位置に配置するので、周囲温度を考慮に入れた出力補正を行うことが可能となる。よって、安定した出力の確保に一層効果が高くなる。
【0011】
本発明では、前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、前記温度検出手段は、前段増幅器及び後段増幅器の各々に設けられ、前記レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されていることを要旨とする。この構成によれば、増幅器を多段に備える場合、増幅器ごとに温度検出手段を設け、これら温度検出手段を本構成の配置条件に則った位置に配置する。このため、増幅器を多段に備える場合であっても、各増幅器において精度のよい補正が行われるので、安定した出力確保に効果が高くなる。
【0012】
本発明では、前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、前記増幅器は、第1筐体と第2筐体との各々に分離して設けられ、前記温度検出手段は、前記第1筐体及び第2筐体の各々に設けられ、前記レーザ光源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されていることを要旨とする。この構成によれば、複数の増幅器が別々の筐体に設けられている場合、筐体ごとに温度検出手段を設け、これら温度検出手段を本構成の配置条件に則った位置に配置する。このため、複数の増幅器が別々の筐体に設けられている場合であっても、各筐体において精度のよい補正が行われるので、安定した出力確保に効果が高くなる。
【0013】
本発明では、レーザ光源から光をファイバによって増幅しつつ、当該増幅した光をヘッドにて走査しながらワークに出射可能であり、前記レーザ光源からの光を前記ファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ加工装置において、前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置としたことを要旨とする。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、温度/出力補正を精度よく行って、安定したレーザ出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】一実施形態のレーザマーキング装置のブロック図。
【図2】各種光の出力波形を示すタイミングチャート。
【図3】コントローラ側筐体内に収納された各種部品の配置例を示す模式図。
【図4】レーザ出力の温度/出力の変化特性を示すグラフ。
【図5】温度補正テーブルの概念図。
【図6】レーザ電源オフ→オン時に出力小となるときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図7】レーザ電源オフ→オン時に出力大となるときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図8】本例の配置条件に温度センサを配置したときのレーザ出力の温度特性を示すグラフ。
【図9】別例の温度センサの配置例を示す模式図。
【図10】他の別例の温度センサの配置例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を具体化したファイバレーザ発振器及びファイバレーザ加工装置の一実施形態を図1〜図8に従って説明する。
図1に示すように、レーザマーキング装置1には、ワーク2に照射するレーザ光のソースを生成するレーザ発振器3と、レーザ発振器3から出射されたレーザ光を調光してワーク2に走査しながら照射するヘッド4とが設けられている。また、レーザマーキング装置1には、レーザマーキング装置1の動作を制御するコントローラ5と、操作パネルとなるコンソール6とが設けられている。なお、レーザマーキング装置1がレーザ加工装置に相当する。
【0017】
レーザ発振器3には、レーザ出力の種光源となるレーザダイオード(LD::Laser Diode)7と、レーザダイオード7から出力された光(以降、種レーザ光Saと言う)を増幅する増幅器8とが設けられている。レーザダイオード7は、レーザ発振器3内のドライバ9を介してコントローラ5に接続されている。コントローラ5は、ドライバ9を駆動制御することにより、レーザダイオード7をパルス発振(間欠駆動)させて、レーザダイオード7から図2に示すパルス状の種レーザ光Saを出力させる。なお、レーザダイオード7がレーザ光源に相当する。
【0018】
図1に示すように、増幅器8には、光を単一方向にのみ通す光アイソレータ10と、レーザダイオード7の種レーザ光Saを増幅させる励起半導体レーザ11とが設けられている。励起半導体レーザ11は、増幅器8内のドライバ12を介してコントローラ5に接続されている。コントローラ5は、ドライバ12を駆動制御することにより、励起半導体レーザ11から図2に示す一定強度の光(以降、励起レーザ光Sbと記す)を出力させる。
【0019】
図1に示すように、増幅器8には、種レーザ光Saと励起レーザ光Sbとを結合する多重器13が設けられている。多重器13は、種レーザ光Saを励起レーザ光Sbに合波することにより、種レーザ光Saを励起状態にする。また、多重器13には、多重器13にて合波した光を、誘導放出にて光増幅するファイバ(希土類ドープ光ファイバ)14が接続されている。よって、本例のレーザ発振器3は、ファイバ14によって光増幅するファイバレーザ発振器3となっている。ファイバ14は、図2に示す増幅した光(以降、増幅光Scと記す)をヘッド4に出力する。そして、ヘッド4は、この増幅光Scを調光し、調光後のレーザ光を走査しながらワーク2に照射して、ワーク2を加工する。
【0020】
図1に示すように、コンソール6には、例えば液晶画面等からなる表示器15が設けられている。表示器15には、例えばレーザマーキング装置1の動作モードを設定する各種設定画面や、レーザマーキング装置1の現在動作状態を表示する加工進捗画面などが表示される。また、コンソール6には、レーザマーキング装置1の各種動作態様を設定する際に操作する操作部16が設けられている。操作部16には、例えば電源ボタン、テンキー、モード入力ボタンなどがある。
【0021】
図3に示すように、レーザ発振器3には、レーザ発振器3の各種部品を内蔵する筐体17が設けられ、この筐体17の内部に、例えば励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18などが収納されている。これら部品(励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18等)は、筐体17内に設けられたベース19の上面に配置されている。ベース19は、筐体17内における部品載置用の基台部分である。また、基板18には、例えばコントローラ5やドライバ9,12等が実装されている。図3の場合、複数の励起半導体レーザ11が励起LD群として設けられ、これらが協同して所望の励起電流が多重器13に出力される。
【0022】
ところで、図4に示すように、レーザ出力は、筐体17内の温度(以下、筐体温度Tkと記す)の変化に応じて、出力強度が変化する特性がある。ここで、例えば筐体温度Tkが、ある一点(例えば「0°」のとき)をピークに温度上昇又は温度低下すると、それに連れてレーザ出力が低くなっていく波形変化をとることがある。このため、ヘッド4から一定のレーザ出力を得るには、温度変化にて生じる低下分を補って、レーザ発振器3を駆動させる必要がある。なお、筐体温度Tkに影響するパラメータとしては、例えば励起半導体レーザ11の温度(以降、励起LD温度T1と記す)や、筐体17内の空気の温度(以降、内部空気温度T2と記す)や、ベース19の温度(以降、ベース温度T3と記す)や、筐体17の周囲に位置する各種機器や装置などがある。
【0023】
よって、図1に示すように、本例のレーザマーキング装置1には、筐体温度Tkの温度変化によらず最終的なレーザ出力を一定値に補正する温度/出力補正機能が設けられている。この場合、コントローラ5のメモリ20には、どの筐体温度Tkのときにどの値で実レーザ出力を補正すればよいかが設定された温度補正テーブル21が記憶されている。図5に示すように、温度補正テーブル21は、筐体温度Tkの各温度(各温度測定ポイント)と、これら各温度に対する実レーザ出力の補正値Rとが対応付けられたテーブルとなっている。
【0024】
図1及び図3に示すように、筐体17の内部には、筐体温度Tkを測定する温度センサ22が設けられている。温度センサ22は、例えばサーミスタや熱電対が使用され、配線23を介して基板18に接続されている。温度センサ22は、レーザマーキング装置1の電源(レーザ電源)がオンされると、筐体温度Tkの測定を開始し、その検出温度Dtをコントローラ5に出力する。なお、温度センサ22が温度検出手段に相当する。
【0025】
ここで、図4に示すように、筐体温度Tkと実レーザ出力との変化特性の線(温度/出力の特性線)をLaとすると、補正値Rは、この特性線Laと目標レーザ出力との間の差に対応した係数(乗算値)に相当する。そして、それぞれの検出温度Dtから求まる補正値Rを、そのときの実レーザ出力に乗算することにより、実レーザ出力を目標レーザ出力に近づける。
【0026】
図1に示すように、コントローラ5には、温度センサ22から入力した検出温度Dtを基に温度補正テーブル21を参照してレーザ出力を補正する対温度出力補正部24が設けられている。対温度出力補正部24は、温度補正テーブル21から割り出した補正値Rを基に、励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を補正する。また、対温度出力補正部24は、制御した出力を入力に戻す処理を繰り返し行って目標値に近づけるフィードバック制御にて、励起半導体レーザ11を制御する。
【0027】
ところで、この種のレーザマーキング装置1では、例えばレーザ電源をオフ→オンすると、電源をオンした瞬間から出力が徐々に下がっていき、その後、数分以上かけて出力が安定するという特性がある。よって、電源がずっとオンのままで使用される場合(筐体温度Tkが平衡状態)ならば問題はないが、レーザ電源がオン/オフを繰り返すような場合、オンの瞬間、レーザ出力が充分な値に到達しておらず、目標レーザ出力にずれが発生してしまう懸念がある。なお、平衡状態は、レーザ電源オンの状態が暫く続くという意味で通常状態であるとも言える。
【0028】
また、レーザマーキング装置1の電源のオン/オフの切り換えを考慮に入れてレーザ出力を対温度補正しても、仮に温度センサ22の配置位置が不適当であると、最終的なレーザ出力が安定して出てこない懸念がある。つまり、筐体温度Tkが筐体17の周囲の温度(以降、周囲温度Trと記す)に影響を受けて、筐体温度Tkが正確な値を示さず、レーザ出力のオフ→オン時の出力が安定しない問題の原因となる。
【0029】
例えば、図6に示すように、仮に励起LD温度T1が25℃の場合、同じ25℃であっても、レーザ電源がオンの瞬間のときは、周囲温度Trが25℃となっているのに対し、筐体温度Tkが平常状態のときは、周囲温度Trが15℃となっている。よって、仮に筐体温度Tkを周囲温度Tr寄りの値でとってしまうと、レーザ電源がオンの瞬間のときは、レーザ出力小となり、筐体温度Tkが平衡状態のときは、レーザ出力大となり、それぞれで出力が異なってしまう。つまり、励起LD温度T1が同じ場合であっても、周囲温度Trに影響を受けて、レーザ電源オン時の方が、レーザ出力が狙いの値(目標レーザ出力)よりも低くなってしまう。
【0030】
一方、図7に示すように、仮に内部空気温度T2が25℃の場合、同じ25℃であっても、レーザ電源がオンの瞬間のときは、励起LD温度T1が25℃となっているのに対し、筐体温度Tkが平衡状態のときは、励起LD温度T1が35℃となっている。よって、仮に筐体温度Tkを励起LD温度T1寄りの値でとってしまうと、レーザ電源がオンの瞬間のときは、レーザ出力大となり、筐体温度Tkが平衡状態のときは、レーザ出力小となり、それぞれで出力が異なってしまう。つまり、内部空気温度T2が同じ場合であっても、励起LD温度T1に影響を受けて、レーザ電源オン時の方が、レーザ出力が狙いの値(目標レーザ出力)よりも高くなってしまう。
【0031】
そこで、本例の場合、温度センサ22は、周囲温度Trを利用することにより、レーザ電源のオフ→オンの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時との両方で、温度センサ22の検出温度Dtが同じ変化特性をとることができるような位置に配置されている。別の言い方をするなら、本例の温度センサ22は、平衡状態時やレーザ電源オフ→オン時に拘わらず、平衡状態時にとる温度/実レーザ出力の特性線をとるような位置(近似も含む)に配置されている。本例の場合、図4に示す特性線Laを目標特性線Laとすると、平衡状態時やレーザ電源オフ→オン時に拘わらず、温度/出力のラインが目標特性線Laに乗るようになる。
【0032】
本例の温度センサ22は、例えば励起半導体レーザ11やファイバ14の発熱と周囲温度Trの変化とを、同時に測定できるような箇所に配置されている。このとき、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンとなる際の温度特性と、周囲温度Trが変化する際の温度特性とが、それぞれ同じになるような位置に配置される。つまり、レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度(筐体17の内部温度)Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22が配置される。
【0033】
そして、レーザ電源がオフ→オンとなる際の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性と点を温度センサ22でモニタし、その温度特性に基づき温度補正テーブル21を作成する。このように、本例の温度補正テーブル21は、実測(実験)により測定した値に基づき作成される。対温度出力補正部24は、以上の条件に準じて作成された温度補正テーブル21を基に励起半導体レーザ11を制御することにより、最終的なレーザ出力を所望値(目標レーザ出力)に補正する。
【0034】
温度センサ22の配置位置例には、例えば筐体17内を通るレーザ媒質自体や、その近辺がある。また、温度センサ22の他の配置位置例には、例えば励起半導体レーザ11自体や、その近辺がある。さらに、温度センサ22の他の配置位置例には、例えばベース19の上面においてレーザ媒質や励起半導体レーザ11の間の位置などがある。いずれにせよ、レーザ電源がオフ→オンとなる際の筐体温度Tkと周囲温度Trの変化とで、それぞれ同じ出力変動となるような点をモニタできる箇所であればよい。
【0035】
次に、本例のレーザ発振器3の作用を、図6〜図8を用いて説明する。
図8は、レーザ電源のオフ→オン時の温度特性と、周囲温度Trの変化時の温度特性とが、それぞれ同じになるような点をモニタ可能な位置に温度センサ22を配置した本例の筐体温度Tkと実レーザ出力との特性を示すグラフである。同図に示されるように、本例の条件を満たす位置に温度センサ22を配置すれば、レーザ電源がオフ→オンしたときの点が、目標特性線Laに乗ることが分かる。つまり、平衡状態のときと、レーザ電源オン→オン切り換えのときとで、温度センサ22の検出温度Dtが同じ出力変化をとる。
【0036】
よって、例えば励起LD温度T1が25℃のとき(図6の場合)、筐体温度Tkが平衡状態であれば、周囲温度Trが15℃であるので、本例の場合は、レーザ電源がオフ→オンに切り換わったとき、周囲温度Trを利用することにより、温度センサ22が極力低い値をとるようにする。これにより、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンのときも、平衡状態のときと同じような値を検出するようになる。
【0037】
一方、内部空気温度T2が25℃のとき(図7の場合)、筐体温度Tkが平衡状態であれば、励起LD温度T1が35℃であるので、本例の場合は、レーザ電源がオフ→オンに切り換わったとき、周囲温度Trを利用することにより、温度センサ22が極力高い値をとるようにする。これにより、温度センサ22は、レーザ電源がオフ→オンのときも、平衡状態のときと同じような値を検出するようになる。
【0038】
以上により、本例においては、レーザ電源オフ→オン時の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置した。これにより、筐体温度Tkが周囲温度Trを受ける場合であっても、この周囲温度Trを利用することにより、温度/実レーザ出力の特性線が目標特性線Laに近づく。よって、温度センサ22にてレーザ出力を出力補正する場合、その補正精度がよくなるので、安定したレーザ出力(目標レーザ出力)を得ることが可能となる。
【0039】
本実施形態の構成によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
(1)レーザ電源のオフ→オン時の筐体温度Tkの変化による出力変動と、周囲温度Trの変化による出力変動とが、それぞれ同じ温度特性となるような位置に温度センサ22を配置し、この配置状態下において温度センサ22の値をモニタして温度補正テーブル21を作成する。そして、レーザマーキング装置1の動作時、この温度補正テーブル21を用いて励起半導体レーザ11を制御することにより、実レーザ出力を温度変動によらず目標レーザ出力に近づける。このため、レーザ出力が温度に影響を受け難くなるので、レーザ出力を安定した値で得ることができる。
【0040】
(2)レーザ電源オフ→オン時、レーザ出力の温度/出力の特性線が、平衡状態時にとるラインに近づくようにした。このため、安定したレーザ出力の確保に効果が高くなる。
(3)各配置位置での温度センサ22の温度特性を実測(実験)により収集し、その実測結果を基に温度補正テーブル21を作成するので、実機に即した精度のよい温度補正テーブル21を作成することができる。
【0041】
なお、実施形態はこれまでに述べた構成に限らず、以下の態様に変更してもよい。
・図9に示すように、増幅器8が前段増幅器8a及び後段増幅器8bの複数ある場合、前段増幅器8a及び後段増幅器8bのそれぞれに温度センサ22を設け、これら温度センサ22を本例の配置条件に準じた位置に配置するとともに、それぞれにおいて温度補正テーブル21を作成してもよい。この場合、前段側温度センサ22の検出出力を基に前段増幅器8aの前段励起半導体レーザ11aが制御され、後段側温度センサ22の検出出力を基に後段増幅器8bの励起半導体レーザ群11bが制御される。
【0042】
・図10に示すように、前段増幅器8a及び後段増幅器8bがコントローラ5とヘッド4とで分離している場合、コントローラ5側の筐体17とヘッド4側の筐体31とのそれぞれに温度センサ22を設け、これら温度センサ22を本例の配置条件に準じた位置に配置するとともに、それぞれにおいて温度補正テーブル21を作成してもよい。この場合、前段側温度センサ22の検出出力を基に前段増幅器8aの励起半導体レーザ11aが制御され、後段側温度センサ22の検出出力を基に後段増幅器8bの励起半導体レーザ群11bが制御される。
【0043】
・温度センサ22は、筐体17内外の各発熱部材との距離が、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時とで、筐体17内外の各発熱部材の総和による温度変化速度(温度変化量)が一致(略一致も含む)する配置としてもよい。つまり、温度センサ22と各発熱部材との間の距離を所定値に設定することにより、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時とで、検出温度の変化特性を同じにすることもできる。なお、発熱部材に、例えば励起半導体レーザ11、ファイバ14、基板18、筐体17周囲の各種機器/装置などがある。
【0044】
・温度センサ22の配置位置は、実施形態で述べた例に限らず、平衡状態時とレーザ電源オフ→オン時との両方で同じ温度特性をとることができれば、他の位置に変更可能である。
【0045】
・温度検出手段は、サーミスタや熱電対に限定されず、他のセンサを使用可能である。
・周囲温度Trは、レーザマーキング装置1に組み付く部品、機器、装置から受ける温度に限らず、レーザマーキング装置1の周囲に配置された他の別装置から受ける温度でもよい。
【0046】
・本例の場合、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で検出温度Dtが同じ変化特性をとるようにしたが、これは全くの同一に限らず、略同一も広義として含むものとする。
【0047】
・ファイバレーザ加工装置は、レーザマーキング装置1に限定されず、レーザを利用した種々の装置に応用可能である。
【符号の説明】
【0048】
1…レーザ加工装置としてのレーザマーキング装置、2…ワーク、3…ファイバレーザ発振器、4…ヘッド、7…レーザ光源としてのレーザダイオード、8(8a,8b)…増幅器、14…ファイバ、17…第1筐体としてのコントローラ側筐体、21…温度補正テーブル、22…温度検出手段としての温度センサ、31…第2筐体としてのヘッド側筐体、Tk…筐体温度、Dt…検出温度、R…補正値、Tr…周囲温度。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ光源からの光をファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ発振器であって、
前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置とした
ことを特徴とするファイバレーザ発振器。
【請求項2】
前記温度検出手段は、前記筐体の周囲温度に影響を受けた筐体温度を検出する
ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項3】
前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、
前記温度検出手段は、前段増幅器及び後段増幅器の各々に設けられ、前記レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2のうちいずれか一項に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項4】
前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、
前記増幅器は、第1筐体と第2筐体との各々に分離して設けられ、
前記温度検出手段は、前記第1筐体及び第2筐体の各々に設けられ、前記レーザ光源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項5】
レーザ光源から光をファイバによって増幅しつつ、当該増幅した光をヘッドにて走査しながらワークに出射可能であり、前記レーザ光源からの光を前記ファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ加工装置において、
前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置とした
ことを特徴とするファイバレーザ加工装置。
【請求項1】
レーザ光源からの光をファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ発振器であって、
前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置とした
ことを特徴とするファイバレーザ発振器。
【請求項2】
前記温度検出手段は、前記筐体の周囲温度に影響を受けた筐体温度を検出する
ことを特徴とする請求項1に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項3】
前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、
前記温度検出手段は、前段増幅器及び後段増幅器の各々に設けられ、前記レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2のうちいずれか一項に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項4】
前記レーザ光源からの光を増幅する増幅器を多段に備え、
前記増幅器は、第1筐体と第2筐体との各々に分離して設けられ、
前記温度検出手段は、前記第1筐体及び第2筐体の各々に設けられ、前記レーザ光源のオン/オフの切り換えによらず、平衡状態時とレーザ電源オン/オフ時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとるように、配置位置が設定されている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のファイバレーザ発振器。
【請求項5】
レーザ光源から光をファイバによって増幅しつつ、当該増幅した光をヘッドにて走査しながらワークに出射可能であり、前記レーザ光源からの光を前記ファイバによって増幅して筐体から出力する際、当該筐体内の温度を温度検出手段によって検出し、各検出温度に対する補正値が設定された温度補正テーブルを基に、実レーザ出力を補正して目標レーザ出力に近づけるファイバレーザ加工装置において、
前記温度検出手段は、レーザ電源のオン/オフの切り換えによらず、当該レーザ電源がオンされて出力が安定した平衡状態時と、該レーザ電源のオフからオンへの切り換わり時との両方で、検出温度が同じ変化特性をとる配置とした
ことを特徴とするファイバレーザ加工装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【公開番号】特開2013−8857(P2013−8857A)
【公開日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−140800(P2011−140800)
【出願日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【出願人】(000106221)パナソニック デバイスSUNX株式会社 (578)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【出願人】(000106221)パナソニック デバイスSUNX株式会社 (578)
【Fターム(参考)】
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