【課題】ディフェクトの発生を低減できるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、及び該レジスト組成物の添加剤として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び含フッ素化合物成分（Ｆ）を含有するレジスト組成物。前記含フッ素化合物成分（Ｆ）は、一般式（ｆ１−１）で表される構成単位及び一般式（ｆ１−２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位（ｆ１）と、フッ素原子を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物（Ｆ１）を含有する［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｒ^１、Ｒ^２は２価の連結基；Ｒｆ^１はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の炭化水素基又は炭素数３〜２０の環含有炭化水素基である］。
［化１］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び含フッ素化合物成分（Ｆ）を含有するレジスト組成物であって、
前記含フッ素化合物成分（Ｆ）は、下記一般式（ｆ１−１）で表される構成単位及び下記一般式（ｆ１−２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位（ｆ１）と、フッ素原子を含む構成単位（ｆ２）（但し、前記構成単位（ｆ１）を除く）とを有する高分子化合物（Ｆ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立に２価の連結基であり、Ｒｆ^１はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数３〜２０の環含有炭化水素基である。］
【請求項２】
前記構成単位（ｆ２）が、下記一般式（ｆ２−１）で表される請求項１に記載のレジスト組成物。
【化２】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ａは−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、Ｘ^０は単結合又は２価の連結基であり、Ｒｆ^０は有機基であり、Ｘ^０、Ｒｆ^０の少なくともいずれか一方がフッ素原子を有し、ｖは０又は１である。］
【請求項３】
前記現像液が界面活性剤を含む現像液であり、
前記基材成分（Ａ）が、酸の作用により極性が増大する基材成分（Ａ０）である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ｆ１−１）で表される構成単位及び下記一般式（ｆ１−２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位（ｆ１）と、フッ素原子を含む構成単位（ｆ２）（但し、前記構成単位（ｆ１）を除く）とを有する高分子化合物。
【化３】

［式中、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立に２価の連結基であり、Ｒｆ^１はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数３〜２０の環含有炭化水素基である。］
【請求項６】
前記構成単位（ｆ２）が、下記一般式（ｆ２−１）で表される請求項５に記載の高分子化合物。
【化４】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ａは−Ｏ−又は−ＮＨ−であり、Ｘ^０は単結合又は２価の連結基であり、Ｒｆ^０は有機基であり、Ｘ^０、Ｒｆ^０の少なくともいずれか一方がフッ素原子を有し、ｖは０又は１である。］

【公開番号】特開２０１３−９７２７４（Ｐ２０１３−９７２７４Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４１６１４（Ｐ２０１１−２４１６１４）
【出願日】平成２３年１１月２日（２０１１．１１．２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】